Примечания: В схеме нельзя использовать два канала коннектора, т.к. при этом частота отсчетов оказывается недостаточной

1. 
   В схеме нельзя использовать два канала коннектора, т.к. при этом частота отсчетов оказывается недостаточной.
   
2. 
   Конденсатор C = 0,22 мкФ служит для исключения пути протекания постоянного тока через катушку и ввиду большой емкости не влияет на параметры резонансного контура.
   

• 
  Изменяйте обратное постоянное напряжение варикапа ступенями согласно табл. 3.2.1. и находите значения резонансной частоты f_РЕЗ для каждого значения обратного напряжения. Резонансная частота в данном случае - это та частота, при которой напряжение между концами параллельной цепочки достигает максимума. Занесите результаты измерений в табл.3.2.1.
  

Таблица 3.2.1

• 
  По таблице 3.2.1 постройте график зависимости резонансной частоты от обратного напряжения U_ОБР.
  

Рис.3.2.4

• 
  Вычислите емкость резонансной цепи по измеренным резонансным частотам и индуктивности, занесите значения в табл. 3.2.1.
  

• 
  Затем определите собственную емкость катушки С_К. Для этого уберите из цепи диод и конденсатор и измерьте снова резонансную частоту. Собственную емкость катушки по найденной резонансной частоте можно вычислить по той же формуле
  

• 
  Разница между емкостью резонансной цепи С_ОБЩ и собственной емкостью катушки С_К есть емкость запорного слоя варикапа:
  

• 
  Занесите значения емкости запорного слоя С_V в табл.3.2.1. Затем постройте зависимость емкости запорного слоя С_V от обратного напряжения U_ОБР на графике (рис. 3.2.5).
  

Рис. 3.2.5

4. Биполярные транзисторы

4.1. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов

4.1.1. Общие сведения

Транзистор (рис. 4.1.1) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий р-проводящий слой помещен между двумя n-проводящими слоями (n-p-n транзистор) или n-проводящий слой помещен между двумя р-проводящими слоями (p-n-p транзистор).

p-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

Рис. 4.1.1

4.1.2. Экспериментальная часть

Задание

Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного p-n переходов транзисторов типа p-n-p и типа n-p-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном направлении токи через эти p-n переходы ничтожно малы.

Порядок выполнения эксперимента

• 
  Соберите цепь согласно схеме (рис. 4.1.2а).
  
• 
  Поочередно устанавливая значения токов I_ПР регулятором напряжения источника, измерьте соответствующие значения напряжения на p-n переходе U_БЭ и занесите их в табл. 4.1.1.
  
• 
  Измените схему в соответствии сначала с рис. 4.1.2б, затем 4.1.2в и 4.1.2г и повторите все измерения.
  

Рис. 4.1.2

• 
  На рис. 4.1.3 постройте графики I_ПР(U_ПР) для каждого случая и убедитесь, что вольтамперные характеристики всех p-n переходов практически совпадают.
  
• 
  Установите входное напряжение источника равным нулю, поменяйте его полярность (зажим «+» на «—») и увеличивая напряжение до 5 В (но не выше!), убедитесь, что ток в p-n переходе практически остается равным нулю (не превышает 1 μА).
  
• 
  Проделайте этот с остальными p-n переходами согласно схеме на рис. 4.1.2 при обратной полярности источника питания.
  

Таблица 4.1.1

IПР, мА

жүктеу/скачать 4,87 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: