Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»
жүктеу/скачать 8,62 Mb. Pdf көрінісі
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Бақылау сұрақтары. 1. Биполярлы транзисторды қалай алуға (дайындауға) болады 9.3-кесте І Б
- Жұмыс мақсаты: дала транзисторының шығу сипаттамаларын құру, S = f 1 ( І С ); І С
- МОП-транзистор немесе МДП- транзистор
| 1
К = f 1 (І Б ); β ст = f 2 (І Б ); β дин = f 3 (І Б ) Толтырылған кестені және графиканы зертханалық жұмыс бойынша есепке көшіріп алу. 9.4-кестеге сәйкес зертханалық жұмыс нұсқаларын орындау. 5. Бақылау сұрақтары. 1. Биполярлы транзисторды қалай алуға (дайындауға) болады? 9.3-кесте І Б , мА 0 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,09 І К , мА 0 Δ І К , мА — β ст — β дин — 9.4-кесте Нұсқа 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 U КЭ, В 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 243 2. Биполярлы транзистордың кіру сипаттамасы деп нені атайды? 3. Биполярлы транзистордың шығу сипаттамасы деп нені атайды? 4. p — n — p- және n — p — n-типті биполярлық транзисторлардың шартты белгіленулерін сызыңыз және транзистор шығыстары атауларын көрсетіңіз. 5. Ортақ эмиттерлі сызбада, транзистордың тоқты өткізуі үшін n— p —n-транзисторы базасына қандай кернеу беру қажет (оң немесе теріс) (өзіңіздің таңдауыңызды p —n-өтпелерінің қажетті ығысуына байланысты түсіндіріңіз)? 6. І Б , I K , 1 Э тоқтарын байланыстыратын теңдікті келтіріңіз. р статикалық және динамикалық параметрлерінің айырмашылықтары қандай? № 9.3. Зертханалық жұмысы Дала транзисторы 1. Жұмыс мақсаты: дала транзисторының шығу сипаттамаларын құру, S = f 1 (І С ); І С = f 1 (U ЗИ ) тәуелділіктері графигін құру; 2. Жұмыс барысында пайдаланылған аспаптар мен толымдаушылар тізбесі: характериограф, индукцияланған арнасы бар MOSFET дала транзисторы. 3. Зертханалық жұмыстың сипаттамасы. Дала транзисторлары (FET — Field Effect Transistors) екі типке бөлінеді: с басқарушы p —n- өтпелі (JFET — Junction FET) дала транзисторы және оқшауланған бекітпелі дала транзисторы (MOSFET — Metal Oxidе Semiconductor FET). Отандық әдебиетте оқшауланған бекітпелі транзисторлар МОП-транзистор немесе МДП- транзистор деген атпен белгілі. Оқшауланған бекітпелі транзисторлар өз кезегінде индукцияланған арналы транзисторлар және енгізілген арналы транзисторлар болып бөлінеді. Санамаланған транзисторлардың әрқайсысы п-арналы, сонымен бірге р-арналы болулары мүмкін. Зертханалық жұмыстарда ортақ көзбен сызба бойынша жалғанған, мысалы 2N7000 тәрізді, индукцияланған п-арналы оқшауланған бекітпелі дала транзисторы пайдаланылатын болады. Бұл транзистордың вольт-амперлік сипаттамасы, басқарушы p —n- өтпелі дала транзисторының вольтамперлік сипаттамасына ұқсас. Бірақ, ағар – көз тұрақты кернеуі жағдайында, бекітпе – көз кернеуінің (U ЗИ) ұлғаюымен (U СИ = const) ағардың тоғы I С кемігеннің орнына артатындығында болатын айтарлықтай ерекшелігі де бар. 244 Характериографтың көмегімен дала транзисторының вольт-амперлік сипаттамасын құру қажет. Алынған қисық сызықтарды пайдалана отырып, 9.5-ші кестені толтыру және тәуелділіктер графикасын құру қажет. 1) жүктеу/скачать 8,62 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|