Тема 2.9. Технологические процессы производства гибридных интегральных схем
Содержание
40
1.ТехнологическиепроцессыизготовлениятонкопленочныхГИС Тонкопленочные гибридные микросхемы (ГИС) и микросборки (МСБ). Элементная база ГИС и МСБ. Термины и определения. Технологические процессы изготовления тонкопленочных ГИС.Материалы подложек. Требования к материалам подложек. Подготовка подложек перед нанесением тонких пленок. Материалы проводников и контактных площадок. Требования к материалам проводников и контактных площадок.
Способы нанесения тонких пленок: термическое испарение в вакууме, тонное испарение. Катодное распыление, ионно-плазменное распыление, реактивное ионное распыление.
20
2.Способыполучениярельефатонкихпленок Получение рельефа тонких пленок методом свободной маски. Способы получения свободной маски фотохимическим фрезерованием и электрохимическим наращиванием. Получение ре- льефа тонких пленок метод контактной маски. Прямой метод использования контактной маски. Косвенный метод использования контактной маски. Метод селективного травления.
Фотолитография. Основные этапы процесса фотолитографии. Разрешающая способность процесса фотолитографии. Фоторезисты и их свойства. Подготовка пластин к нанесению фо- тослоя.
Фотошаблоны. Совмещение фотошаблона.. Знаки совмещения. Экспонирование, проявление и термообработка фотомаски. Метод двойной фотолитографии.
Получение рельефа тонких пленок методом электронно-лучевого фрезерования, электроно- литографией, электронно-лучевым разложением.
3.Тонкопленочныерезисторыитонкопленочныеконденсаторы Тонкопленочные резисторы. Материалы резистивных пленок. Требования к материалам ре- зистивных пленок. Расчет тонкопленочных резисторов. Понятие о коэффициенте формы ре- зистора.
Тонкопленочные конденсаторы. Материалы тонкопленочных конденсаторов. Материалы ди- электрика. Требования к материалам диэлектрика. Топология тонкопленочного конденсато- ра. Методика расчета тонкопленочных конденсаторов.
Топология тонкопленочных микросборок. Технологические ограничения при проектирова-
