изоляциялайды. Концентрациясы жоғары
тасымалдаушылар облысында
р
+
жартылай
өткізгішпен
р~п
ауысуын түзеді. Оның бәрі кернеудің кез-келген полярлығында
бастаумен салыстырғанда ағып кетуде кері
бағытта қосылған болып,
І
с
тогының жүруіне
бөгет жасайды.
3,ә-суретінде ендірілген каналды МДЖ - транзисторы көрсетілген. Сырт көрінісі
жағынан оның индукцияланған каналды транзистордан еш айырмашылығы жоқ. Ал шын
мәнісінде, оның айырмашылығы мынада: бастау мен ағып кетуді байланыстыратын 4 ток
өткізгіш каналға технологиялық жолмен сәл қоспаланған
жартылай өткізгіштік қабат
(ендіріледі) жасалады. Бекітпенің нөлдік кернеуінің өзінде жіңішке каналда
І
с
тогының
болуы мүмкін. Бекітпедегі
U
зи
теріс кернеуі каналдан
электрондарды ысырып тастап,
тесіктерді тартады, яғни каналды негізгі тасымалдаушылармен байытады және оның
өткізгіштігін арттырады.
U
ЗИ
кернеуінің оң мәнінде каналдағы
негізгі тасымалдаушылар
тесіктер сирейді, ал оның өткізгіштігі тасымалдаушылардың концентрациясына сай
азаяды.
МДЖ - транзисторларының
п-
түрінің индукцияланған
немесе ендірілген каналды
варианттары да болуы мүмкін. МДЖ -транзисторларының статикалық сипаттамалары
ауысулары басқарылатын өрістік транзисторлардыкіне ұқсас.
Негізгі айырмашылығы
координата бас нүктесінен ағып кету бекітпесінің сипаттамаларының басқаша
орналасуында болады.
Достарыңызбен бөлісу: 
