«Радиоэлектроника негіздері» пәні бойынша
жүктеу/скачать 2,83 Mb. Pdf көрінісі
|
1e6ec6c4a5fb7051bc2c53fbeb812ded
|
4-сурет Р-п ауысуы басқарылатын өрістік транзисторлардың, каналы индукцияланған МДЖ - транзисторының тиісті шартты белгіленулері 1-3 позицияларымен 4,а-суретінде п- түріндегі канал үшін келтірілген. Өрістік транзисторлар да биполярлықтар секілді тізбекке ортақ бекітпемен, ортақ бастаумен және ортақ ағып кетумен схемаға қосылады. Өрістік транзисторлардың айырықша белгісі сол, олар бекітпе-ағып кету тізбегінде токпен емес кернеумен басқарылады. Бұл оларды электрондық шамға ұқсас етіп көрсетеді; осы қасиетіне қарай өрістік транзисторлардың кернеу бойынша өте үлкен К V күшейту коэффициенті болады. Өрістік транзисторлар көптеген күшейткіш және айырып-қосқыш кұрылғыларда ойдағыдай қолданылады. Өрістік транзисторлардың құрылымына қарай интегралдық микросхемаларды құру ыңғайлы. Өрістік транзисторлардың белгіленуі де биполярлықтарға ұқсас, тек мұнда екінші элемент П (өрістік) әрпі болады, мысалы КП306А: өрістік транзистор, жұмыс жиілігі 30 МГц қуаты аз кремнийлік, жасалу нөмері 306, А тобы. Транзисторлар туралы қажетті ақпараттар анықтама әдебиеттерінде беріледі. Мысалы, КП302В транзисторы: өрістік кремнийлі ауысуы басқарылатын п- түрлі каналды, ағып кетудің максимал тогы 80 мА, сипаттамасының тіктігі (крутизна) S = 7 мА/В, қиылу кернеуі U зиқи = -10 В, бастау-ағып кету тогы U CИ =20 В, бекітпе-бастау кернеуі U ЗИ =-12 В, кіріс сыйымдылығы С зи = 20 пФ, өту сыйымдылығы С пр = 8 пФ, қуаттың шашырауы Р тах ЗОО мВт, температура диапазоны – 60 +100 °С, каналдың кедергісі 100 Ом -нан артық емес. жүктеу/скачать 2,83 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|