Р — п ауысудың сыйымдылығы. Р-п ауысуы бар жартылай өткізгішті кристалдың
р - және
п – облыстары ауысумен бөлінген конденсаторлардың астарлары деп қарауға
болады.
Тосқауылдық және
диффузиялық сыйымдылықты
р-п ауысулар деп бөледі.
Тосқауылдық сыйымдылық тасымалдаушылардан жұтаған жабық қабаттың болуынан
туады. Ол қабат
р - және
п - аймақтарының арасына орналасып ортаның оң және теріс
иондарымен толады.
Р-п ауысудың тесілуі. Сыртқы кері (теріс) кернеуді
(U<0) ұлғайтқан жағдайда
р -п ауысуының шығыс облысында (12.5,а-суретіндегі, 1-қисық), оның белгілі бір мәнінде
І 0
кері тогы бірқалыпты (монотонды), одан әрі күрт өсіп
(ВС бөлігі),
р -п ауысуы тесіледі.
Тесілудің бірнеше түрлері болады.
Электрлік тесілу тунельдік және тасқындық болуы мүмкін. Тунельдік тесілу 10
В -
ке дейінгі кері кернеуде, үлкен өріс кернеулігі пайда болған кезде, өте жіңішке
р -п ауысуында байқалады. Өте күшті электр өрісінің әсерінен
р аймағының түйірпелі
қабатындағы электрондар атомдардан жұлынып шығып,
п облысына келіп түседі.
Тасқындық тесілу өте күшті электр өрісімен (шамамен 10
7 В /м) жүреді және ол
р -п ауысуларының қалыңдығы айтарлықтай болатын жартылай өткізгіштерге тән. Тасқындық
тесілуде негізгі рөл ауысуда орналасқан негізгі емес тасымалдаушыға тән болады; Олар
электр өрісімен жеделдетіліп, атомдарды иондайды. Соның нәтижесінде жаңа түзілген
электрондар көрші басқа атомдармен соқтығысады, процесс тасқын тәрізді ұлғаяды.
Тесілудің екі түрі де қайтымды, жартылай өткізгіштің кристалдық құрылымын
бұзбай жүретін процесс.
Кристалдың температурасы жоғарлаған кезде, зарядты тасымалдаушылардың саны
көбейгенде
р
