Схема включения с общей базой

• 
  Среди всех трёх конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Не инвертирует фазу сигнала.
  
• 
  Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх = I_к/I_э = α [α<1].
  
• 
  Входное сопротивление R_вх = U_вх/I_вх = U_эб/I_э.
  

• 
  Хорошие температурные и широкий частотный диапазон, так как в этой схеме подавлен эффект Миллера.
  
• 
  Высокое допустимое коллекторное напряжение.
  

• 
  Малое усиление по току, равное α, так как α всегда немного менее 1
  
• 
  Малое входное сопротивление
  

• 
  Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх = I_к/I_б = I_к/(I_э-I_к) = α/(1-α) = β [β>>1].
  
• 
  Входное сопротивление: R_вх = U_вх/I_вх = U_бэ/I_б.
  

• 
  Большой коэффициент усиления по току.
  
• 
  Большой коэффициент усиления по напряжению.
  
• 
  Наибольшее усиление мощности.
  
• 
  Можно обойтись одним источником питания.
  
• 
  Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.
  

• 
  Имеет меньшую температурную стабильность. Частотные свойства такого включения по сравнению со схемой с общей базой существенно хуже, что обусловлено эффектом Миллера.
  

• 
  Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх = I_э/I_б = I_э/(I_э-I_к) = 1/(1-α) = β+1 [β>>1].
  
• 
  Входное сопротивление: R_вх = U_вх/I_вх = (U_бэ + U_кэ)/I_б.
  

• 
  Большое входное сопротивление.
  
• 
  Малое выходное сопротивление.
  

• 
  Коэффициент усиления по напряжению немного меньше 1.
  

• 
  Коэффициент передачи по току.
  
• 
  Входное сопротивление.
  
• 
  Выходная проводимость.
  
• 
  Обратный ток коллектор-эмиттер.
  
• 
  Время включения.
  
• 
  Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
  
• 
  Обратный ток коллектора.
  
• 
  Максимально допустимый ток.
  
• 
  Граничная частота коэффициента передачи токав схеме с общим эмиттером.
  

• 
  коэффициент усиления по току α;
  
• 
  сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:
  
  • 
    r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
    
  • 
    r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
    
  • 
    r_б — поперечное сопротивление базы.
    
• 
  Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».
  
• 
  Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.
  
• 
  h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0.
  
• 
  Коэффициент обратной связи по напряжениюпоказывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.
  
• 
  h₁₂ = U_m1/U_m2, при I_m1 = 0.
  
• 
  Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.
  
• 
  h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0.
  
• 
  Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.
  
• 
  h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0.
  
• 
  Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:
  
• 
  U_m1 = h₁₁I_m1 + h₁₂U_m2;
  
• 
  I_m2 = h₂₁I_m1 + h₂₂U_m2.
  
• 
  В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.
  
• 
  Для схемы ОЭ: I_m1 = I_mб, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mб-э, U_m2 = U_mк-э. Например, для данной схемы:
  
• 
  h_21э = I_mк/I_mб = β.
  
• 
  Для схемы ОБ: I_m1 = I_mэ, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mэ-б, U_m2 = U_mк-б.
  
• 
  Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:
  
• 
  h11∍=rδ+r∍1−α
  
• 
  h12∍≈r∍rκ(1−α)
  
• 
  h21∍=β=α1−α ;
  
• 
  h22∍≈1rκ(1−α)
  
• 
  С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C_к. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C_этакже снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r_э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.
  
• 
  В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ_зотносительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ_ф. Временем включения транзистора называется τ_вкл = τ_з + τ_ф.
  

Токи в биполярном транзисторе имеют две основных составляющих.

• 
  Ток основных носителей эмиттера I_Э, который частично проходит в коллектор, образуя ток основных носителей коллектора I_{к осн}, частично рекомбинирует с основными носителями базы, образуя рекомбинантный ток базы I_бр.
  
• 
  Ток неосновных носителей коллектора, который течёт через обратно смещённый коллекторный переход, образуя обратный ток коллектора I_кбо.