КОЛЛОИДНАЯ ХИМИЯ
МАТВИЕНКО ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ
КОНСПЕКТ ПОДГОТОВЛЕН СТУДЕНТАМИ, НЕ ПРОХОДИЛ
ПРОФ РЕДАКТУРУ И МОЖЕТ СОДЕРЖАТЬ ОШИБКИ
СЛЕДИТЕ ЗА ОБНОВЛЕНИЯМИ НА VK.COM/TEACHINMSU
Согласно уравнению Больцмана распишем концентрацию в точке x:
𝑐
𝑥𝑖
= 𝑐
0𝑖
𝑒𝑥𝑝
(︂
−
𝑧
𝑖
𝐹 𝜙
𝑥
𝑅𝑇
)︂
(100)
Плотность же заряда в точке x равна:
𝜌
𝑥
= 𝑧
+
𝐹 𝑐
+
+ 𝑧
−
𝐹 𝑐
−
(101)
Объединяя уравнение :
𝜌
𝑥
= 𝑧
+
𝐹 𝑐
0+
𝑒𝑥𝑝
(︂
−
𝑧
+
𝐹 𝜙
𝑥
𝑅𝑇
)︂
+ 𝑧
−
𝐹 𝑐
0−
𝑒𝑥𝑝
(︂
−
𝑧
−
𝐹 𝜙
𝑥
𝑅𝑇
)︂
(102)
Если записать соотношение для плотности из курса электричества ∇
2
𝜙 = −
𝜌
𝜀𝜀
0
и
в простейшем симметричном случае (𝑧
+
= 𝑧
−
, 𝑐
+
= 𝑐
−
) получаем:
𝑑
2
𝜙
𝑑𝑥
2
= −
𝑧𝐹 𝑐
0
𝜀𝜀
0
(︂
𝑒𝑥𝑝
(︂
−
𝑧
+
𝐹 𝜙
𝑥
𝑅𝑇
)︂
− 𝑒𝑥𝑝
(︂ 𝑧
−
𝐹 𝜙
𝑥
𝑅𝑇
)︂)︂
(103)
или переписав с помощью гиперболических функций:
𝑑
2
𝜙
𝑑𝑥
2
=
2𝑧𝐹 𝑐
0
𝜀𝜀
0
𝑠ℎ
(︂ 𝑧𝐹 𝜙
𝑥
𝑅𝑇
)︂
(104)
Учитывая краевые условия системы и введя переменную 𝑘 =
√︂ 2𝐹
2
𝐼
𝜀𝜀
0
𝑅𝑇
, после инте-
грирования, получаем выражение для потенциала в теории Луи Чепмена:
𝑡ℎ
(︂ 𝑧𝐹 𝜙(𝑥)
4𝑅𝑇
)︂
= 𝑡ℎ
(︂ 𝑧𝐹 𝜙
0
4𝑅𝑇
)︂
𝑒
−𝑘𝑥
(105)
При рассмотрении потенциала на достаточно удаленном расстоянии от поверхности
соотношение еще больше упрощается:
𝜙(𝑥) ≈
4𝑅𝑇
𝑧𝐹
𝑡ℎ
(︂ 𝑧𝐹 𝜙
0
4𝑅𝑇
)︂
* 𝑒
−𝑘𝑥
(106)
В случае слабозаряженных поверхностей 𝑡ℎ𝑥 → , и тогда
𝜙 = 𝜙
0
𝑒
−𝑘𝑥
(107)
Данное приближение хорошо работает при малых потенциалах и в пренебрежении
кривизной поверхности. При этом 𝜆 =
1
𝑘
– Дебаевский радиус (радиус на котором
находится граница скольжения).
В случае высоких потенциалов 𝑡ℎ𝑥 → 1, решение уравнения Пуассона-Больцмана
дает уравнение Гуи-Чепмена более сложной формы:
𝜙
𝑥
=
4𝑅𝑇
𝑧𝐹
𝑒
−𝑘𝑥
(108)
53
Достарыңызбен бөлісу: