Лабораторная работа №7 «Исследование характеристик полевого транзистора с изолированным затвором»
жүктеу/скачать 258 Kb.
|
ВТиПО - 21 Асанхан Нұртілек ЛАБ7
- Бұл бет үшін навигация:
- Порядок выполнения работы
|
Евразийский национальный университет им. Л.Н.Гумилева Кафедра Вычислительной техники и программного обеспечения Отчёт
«Лабораторная работа №7» Пəн:Электроника Орындаған: Асанхан Н. Группа: ВТиПО-21 Тексерген:Есенгалиева Ж.С. Лабораторная работа №7 «Исследование характеристик полевого транзистора с изолированным затвором» Цель работы: Изучить ВАХ полевого транзистора с изолированным затвором в схеме с общим истоком, определить его основные параметры. Порядок выполнения работы: Работа может выполняться как на учебном стенде, так и на ПЭВМ с использованием программы "Electronics Workbench". В работе исследуются входная и выходная ВАХ конкретного элемента по выбору или заданного преподавателем. Методика выполнения работы соответствует предыдущей лабораторной работе по изучению характеристик полевого транзистора с обратносмещенным р-n переходом. Полевые транзисторы с изолированным затвором. ... Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор, MOSFET) – это полевой транзистор,затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Собрал схему для исследования характеристик МДП транзистора и снял ВАХ собранной схемы Начальные данные: Вольтметр №1 = 1 В Вольтметр №2 = 10 В Амперметр №1 = 20 μА Принцип действия МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Приповерхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисторов. МДП-транзисторы выполняют двух типов – со встроенным и с индуцированным каналом. помощью выставления определенного напряжения в первом источников питания можно добиться небольшого увеличения силы тока Ну, а с если задать обратной напряжение равное третьему источнику или большее, на втором источнике питания, можно многократно увеличить силу тока, но этот ток будет протекать в обратном направлении При подаче на затвор положительного напряжения, электрическим полем, которое при этом создается, дырки из канала будут выталкиваться в подложку, а электроны вытягиваться из подложки в канал. Канал обогащается основными носителями заряда – электронами, его проводимость увеличивается и ток стока возрастает. Этот режим называют режимом обогащения. При подаче на затвор напряжения, отрицательного относительно истока, в канале создается электрическое поле, под влиянием которого электроны выталкиваются из канала в подложку, а дырки втягиваются из подложки в канал. Канал обедняется основными носителями заряда, его проводимость уменьшается и ток стока уменьшается. Такой режим транзистора называют режимом обеднения. жүктеу/скачать 258 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|