Лекция Электр қондырғылары және қауіпсіздік техникасы жөніндегі жалпы мағлұматтар. Электротехникалық материалдар, бұйымдар және олармен жұмыс. Жоспар Электр қондырғыларын түрге бөлу 1 лекция Электр қондырғылары және қауіпсіздік техникасы жөніндегі жалпы
- тұрақты тоқтың орташа мәні 0,3 А-ден аспайтын түзеткiшті
жүктеу/скачать 371,9 Kb.
|
Лекция Электр қондырғылары және қауіпсіздік техникасы жөніндегі -emirsaba.org
- Бұл бет үшін навигация:
- 9 –негізгі емес заряд тасымалдаушылар
- Биполяр транзисторлар
- Жұмыс істеу принципін талдау үшін
| 1- тұрақты тоқтың орташа мәні 0,3 А-ден аспайтын түзеткiшті
2- тұрақты тоқтың орташа мәні 0, 3 А -ден асатын түзеткiшті; 3- диодтық түрлендiргiштер; Импульсті диодтар: 4,5,6,7,8- керi кедергiнiң қалпына келтiрулер уақытымен сәйкесiнше 500нс артық; 150-ден 500 нс –ге дейін; 30-дан 150 нс –ге дейін; 5-тен 30 нс – ге дейін; 1-ден 5 нс –ге дейін. 9 –негізгі емес заряд тасымалдаушылар өмірінің тиімді уақыты 1 нс. 1.4 Биполярлық транзисторлар. 1.Биполярлық транзиторлар. 2.Жұмыс істеу принципі 3. Дрейфтік биполяр транзистор, 4. Транзитордың қосылыс сұлбалары (ОБ,ОЭ,ОК). Негізгі түсініктемелер сөздігі: база, коллектор, эмиттер. Биполяр транзисторлар Биполяр транзистор - кірісіндегі әлсіз сигналды күшейтуге арналған үш кезектескен – өткізгіштігі әртүрлі қабаттан тұратын шалаөткізгіш прибор. Биполяр транзистордағы ток электронды және кемтікті заряд тасымалдаушылармен түзелетіндіктен биполярлы деп аталған. Құрылымы бойынша биполяр транзистор кезектесе орналасқан үш аймақтан (n-p-n немесе p-n-p аймақтардан) және сәйкесінше екі p-n-өтпеден тұрады. Әрбір аймақтың сыртқы тізбекке қосылатын «қысқышы» бар. Биполяр транзистор дайындалатын материалдар - кремний и германий, келешекте –галлий арсениді, цинк сульфиді пайдалануы мүмкін. Белгіленуі: n – p – n p – n – p Сурет 21. Биполяр транзистор типтері Ортаңғы аймақ «база» деп аталады. Егер транзисторды бір-бірімен жалғаса орналасқан екі диод деп қарастырсақ, онда базаға қатысты «тура» жалғанған шеткі аймақ «эмиттер» деп аталады да, базаға қатысты «кері» жалғанған шеткі аймақ «коллектор» деп аталады. Оның қарапайым сызбасын (21-суреттен ) көріңіз. Жұмыс істеу принципін талдау үшін n-p-n типті транзистор жұмысын қарастырайық. Бастапқыда К-ға оң кернеу беріледі. База-эмиттер өтпесіндегі кернеу мәні нольге тең болғанда, коллекторлық өтпе жабық, транзистор арқылы ток жүрмейді. Егер Uбэ0 және эмиттердегі кернеу базаға қарағанда теріс мәнді болғанда, эмиттер-база өтпесі тура қосылады. Осы кернеу әсерінен электрондар эмиттерден базаға жылжиды. База енінің жұқалығы электронның еркін жүрісі ұзындығына тең етіп жасалады. Сурет 22. Биполяр транзистордың құрылымы Заряд алған электрондар коллекторға өте жақын келеді де, күшті коллектор кернеуімен тартылып, коллекторға өтеді. Транзистор арқылы ток жүре бастайды. Сурет23. Биполяр транзистордың өтпелеріндегі өзгерістер. Биполяр транзистордың ортаңғы қабатының ені 1...20 мкм және тіпті одан да кіші болуы мүмкін. Сондықтан екі өтпедегі электрлік процестер бір-бірімен өте тығыз байланысты. Яғни бір өтпенің тогы екінші өтпенің тогына қатты әсер етеді және керісінше. Міне, осы байланыс транзистордың негізгі ерекшелігі. Сонымен бірге «эмиттер-база» өтпесіндегі жанасу аймағының көлеміннен «база-коллектор» өтпесіндегі жанасу аймағының көлемі әлдеқайда үлкен болса, мұндай бейсимметриялылық транзистордың параметрлеріне жағымды әсер етеді, яғни параметрлерін жақсартады. Әртүрлі типті транзисторда электрон мен кемтіктің қызметі әртүрлі. n-p-n типті транзисторлардың параметрлері әлдеқайда жоғары, себебі, n-p-n типті транзистордағы электрлік процестерде ток электрондардан түзіледі және электронның кемтікке қарағанда жылдамжығы 3-4 есе артық. Сурет 24. Биполяр транзистордың эквивалент сұлбасы. Егер транзисторды бір-бірімен жалғаса орналасқан екі диод деп қарастырсақ, «эмиттер-база» өтпесі әр уақытта да ашық, ал «база-коллектор» өтпесі жабық. Сондықтан эмиттер-база өтпесінің кернеуі аз да, ал коллектор-база өтпесінің кернеуі үлкен болады. Егер «эмиттер-база» өтпесінен электрондардың эмиттерден базаға инжекциялануы арқылы iЭ ток жүрсе, кемтіктердің базадан эмиттерге инжекциялануы нәтижесінде пайда болатын iБ тогы одан әлдеқайда аз, iБ<Э. Соның әсерінен рекомбинация жүреді. Жоғары жылдамдық алған электрондар базаның өте кіші енінен оңай өтіп, «база-коллектор» өтпесіне жетеді. Коллектордың оң таңбалы кернеуі әсерінен өтпеден өтіп, коллектор тогын iК түзеді. Сондықтан iЭ ≈ iК . Бұдан жасалатын қортынды: эмиттер кірісінде берілген қуаты аз сигналды формасын өзгертпей коллектордан алуға болады, оның мәнін базаға берілетін токпен реттеуге болады. Биполяр транзистор құрамында қолданылатын қоспа концентрациясына байланысты дифффузиялық және дрейфтік болып бөлінеді. Диффузиялық биполяр транзисторларда базаның қоспа концентрациясы оның барлық бөлігінде бірдей және атом иондарының көмегімен өтпеде заряд тасымалдаушылар жылдамдығына әсер ететін қосымша электр өрісі пайда болмайды. жүктеу/скачать 371,9 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|