Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»



Pdf көрінісі
бет136/159
Дата10.10.2022
өлшемі8,62 Mb.
#42085
түріОқулық
1   ...   132   133   134   135   136   137   138   139   ...   159
Байланысты:
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)

1
К
= f
1
(І
Б
);
β
ст

f
2
(І
Б
); 
β
дин
f
3
(І
Б

Толтырылған кестені және графиканы зертханалық жұмыс бойынша 
есепке көшіріп алу.
9.4-кестеге сәйкес зертханалық жұмыс нұсқаларын орындау. 
5. 
Бақылау сұрақтары. 
1. 
Биполярлы транзисторды қалай алуға (дайындауға) болады?
9.3-кесте
І
Б
,
мА 
0 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 
0,07 0,08 0,09 
І
К
,
мА 

Δ
І
К
,
мА — 
β
ст

β
дин

9.4-кесте
Нұсқа 









10 
11 
12 
U
КЭ, 
В 









10 
11 
12 


243 
2. 
Биполярлы транзистордың кіру сипаттамасы деп нені атайды? 
3. 
Биполярлы транзистордың шығу сипаттамасы деп нені атайды? 
4. 
p
 — 
n
 — 
p-
 және 
n
 — 
p
 — n-типті биполярлық транзисторлардың 
шартты белгіленулерін сызыңыз және транзистор шығыстары 
атауларын көрсетіңіз. 
5. 
Ортақ эмиттерлі сызбада, транзистордың тоқты өткізуі үшін
n—
p
n-транзисторы базасына қандай кернеу беру қажет (оң немесе 
теріс) (өзіңіздің таңдауыңызды 
p
n-өтпелерінің қажетті 
ығысуына байланысты түсіндіріңіз)?
6. 
І
Б
, I
K
, 
1
Э
тоқтарын байланыстыратын теңдікті келтіріңіз. 
р 
статикалық 
және 
динамикалық 
параметрлерінің 
айырмашылықтары қандай?
№ 9.3. Зертханалық жұмысы 
Дала транзисторы 
 
1. Жұмыс мақсаты:
дала транзисторының шығу сипаттамаларын құру, 
S
f
1
(І
С
); І
С
  = f
1
(U
ЗИ
) тәуелділіктері графигін құру; 
2. 
Жұмыс барысында пайдаланылған аспаптар мен толымдаушылар 
тізбесі: характериограф, 
индукцияланған арнасы бар
MOSFET дала
транзисторы. 
3. 
Зертханалық жұмыстың сипаттамасы. 
Дала транзисторлары 
(FET
— Field Effect Transistors) екі типке 
бөлінеді: 
с басқарушы p
n- өтпелі (JFET — Junction FET) 
дала 
транзисторы және оқшауланған бекітпелі дала транзисторы 
(MOSFET
— Metal Oxidе Semiconductor FET). Отандық әдебиетте 
оқшауланған бекітпелі транзисторлар 
МОП-транзистор
немесе 
МДП- 
транзистор деген атпен белгілі. 
Оқшауланған бекітпелі транзисторлар өз 
кезегінде индукцияланған арналы транзисторлар және енгізілген арналы 
транзисторлар 
болып 
бөлінеді. 
Санамаланған 
транзисторлардың 
әрқайсысы п-арналы, сонымен бірге р-арналы болулары мүмкін. 
Зертханалық жұмыстарда ортақ көзбен сызба бойынша жалғанған, мысалы 
2N7000 тәрізді, индукцияланған п-арналы оқшауланған бекітпелі дала 
транзисторы пайдаланылатын болады. Бұл транзистордың вольт-амперлік 
сипаттамасы, 
басқарушы p
n- өтпелі дала транзисторының вольтамперлік 
сипаттамасына ұқсас. Бірақ, ағар – көз тұрақты кернеуі жағдайында
бекітпе – көз кернеуінің (U
ЗИ)
ұлғаюымен (U
СИ
= const) ағардың тоғы 
I
С
кемігеннің орнына артатындығында болатын айтарлықтай ерекшелігі де 
бар. 


244 
Характериографтың көмегімен дала транзисторының вольт-амперлік 
сипаттамасын құру қажет. Алынған қисық сызықтарды пайдалана отырып, 
9.5-ші кестені толтыру және тәуелділіктер графикасын құру қажет. 
1) 


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   132   133   134   135   136   137   138   139   ...   159




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет