Методика эксперимента: Сплавы заданного состава синтезировались сплавлением
компонентов в соответствии со стехиометрией в вакуумированных до давления 1,2·10
-4
мм. рт. ст. кварцевых ампулах с диаметром 12 - 15 mm, высотой расплава 50 - 60 mm, в
качестве исходных компонентов использовали особо чистые элементы: таллий 000,
индий 000, серу ОСЧ – 16 – 5 и селен ОСЧ –17 – 4.
Монокристаллы выращивались усовершенствованным методом Бриджмена -
Стокбаргера с применением электронных терморегуляторов для поддержания
оптимального теплового режима в процессе кристаллизации. Скорость направленной
кристаллизации составляла примерно 0,9 mm/ч. Монокристаллы TlInS
2х
Se
2(1-х)
имели р -
типа проводимость. Образцы для исследования были изготовлены скалыванием
монокристаллов в двух взаимно перпендикулярных плоскостях естественного скола и
имели форму прямоугольного параллелепипеда. Размеры исследованных образцов
составляли 10х10х0,25 mm
3
. Омические контакты получены точечной сваркой
соответствующих проволок (ø = 0,01 mm) конденсаторным разрядом на торцы нагретых
в потоке инертного газа образцов.
Тензочувствительность образцов измерялась при 300 К в статическом режиме
указанного методикой в [1 - 3].
Основная часть: В работе сообщается результаты исследованного нами влияния
направленной деформации на тензорезистивные свойства твердых растворов TlInS
2х
Se
2(1-
х),
на основе чего высказано предположение о наиболее вероятных расположениях
экстремумов в зоне Бриллюэна. Показано, что монокристаллы TlInS
2х
Se
2(1-х)
, благодаря
высокой тензочувствительности, значительной гибкости и способности скалываться на
желаемые нитеобразные пластинки с зеркальными гранями в направлении
максимального пьезорезистивного эффекта, являются исключительно эффективными
материалами для полупроводниковой тензометрии. Полученные монокристаллы