"SCIENCE AND EDUCATION IN THE MODERN WORLD:
CHALLENGES OF THE XXI CENTURY"
NUR-SULTAN, KAZAKHSTAN, JULY 2019
98
(0 ≤ х ≤ 0,3) получен рекордный
коэффициент тензочувствительности (К = 2000 -30330
при деформациях порядка ε = 0,1 - 3,0·10
-3
). Тезорезистивные свойства этих кристаллов
сохраняются стабильными при тысячекратных повторениях деформационного и
температурного циклов испытания при переменной деформации (ε = ±1,4·10
-4
) не
превышает 1-2,3 %, что свидетельствует о том, что кристаллы TlInS
2x
Se
2(1-x)
(х = 0; 0,1;
0,2; 0,3) являются перспективными материалами для полупроводниковой тензометрии.
Также необходимо отметить, что можно значительно повысить чувствительность
датчиков из монокристаллов твердых растворовTlInS
2x
Se
2(1-X)
к измеряемым величинам с
применением нагрева и оптической подсветки.
ЛИТЕРАТУРА
1. Умаров С. Х. К методике тензометрических измерений в статическом режиме.-
Т.: 1992. 9 с. – Деп. В Уз НИИНТИ 16.04.1992. № 1209 – Уз 9
2. Умаров С. Х.
Влияние структуры, состава и внешних воздействии на
оптические, электрофизические и фотоэлектрические
особенности монокристаллов
твердых растворов системы TlInS
2
- TlInSe
2
. Дисс. на соиск.уч.степенидокт. физ.-мат.
наук. Ташкет, 2004, 246 с.
3. S. Kh. Umarov, I. Nuritdinjv ,Zh. Dzh. Ashurov, and F. Rh. Rhallokov. Single Crystals of
TlIn
1-x
Co
x
Se
2
(0≤ x≤ 0.5) Solid Solutions As Effective
Materials for Semiconductor
Tensometry. //Technikal Physics Letters, 2017, Vol. 43, № 8, pp. 731 – 733.
4.Бахышов А.Е., Ахмедов А.М. Диаграммы состояния и диаграммы состав-
свойства систем TlGaS
2
- TlGaSe
2
иTlInS
2
- TlInSe
2
. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1979.
т.15. №3. С. 417-420.
5. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. Пьезофоторезистивный
эффект на
монокристаллах TlInSe
2
. // ДАН СССР. 1973. т. 203. № 5. С. 1052-1054.
6. Турсунов И.Г. Исследование деформационных эффектов в кремнии,
легированном золотом, никелем и гадолинием.: Автореф. дис.… канд. физ. – мат. наук. –
Ташкент. 1998. – 16 с.
Достарыңызбен бөлісу: