Алматы 2017 январь

 

●

 Техникалық ғылымдар 

 

ҚазҰТЗУ хабаршысы №1 2017                                          

129 

 

ЛИТЕРАТУРА 

[1]  Андреев Е.Е., Тихонов О.Н. Дробление, измельчение и подготовка сырья к обогащению. – СПб.:             

С.- Петербург. горный ин-т, 2007. – 439с.  

[2]  Андреев С.Е., Перов В.А., Зверевич В.В. Дробление, измельчение и грохочение полезных ископае-

мых. – М.: Недра, 1980. – 113с.  

[3]   Бардовский А.Д., Дмитрак Ю.В. Горные машины и оборудование. – М.: МГТУ, 2002. – 100с.  

[4]   Бауман В.А., Быховский И.И. Вибрационные мельницы и процессы в строительстве. – М.: Высшая 

школа, 1977. – 255с.  

[5]  Вайсберг Л.А. Проектирование и расчет вибрационных грохотов. – М.: Недра, 1986. – 114с.  

 

Саздыбеков Е.М., Б.С.Бейсенов  

Методы интенсификации процессов грохоченияс использование интенсификаторов распределения 

потока по поверхности сита 

Түйіндеме.  Мақала бөлгіш орнату, перпендикуляр жазықтықта ағынын қозғалатын бойынша діріл скри-

нингтік  әсерлердің  әдістері  жандандыру,  сондай-ақ,  елек  ұшақ  өтінім  беру  кезең  тегіс  ағынының  бөлу  сипат-

тайды.  теңгерімсіз діріл-exciters, атап айтқанда кафедрасында ҚҰЗТУ TMжЖ инерциялық рев әзірленген және 

дайындалған  стендтік  құралы  тасымалдаушылар  (вибратор  көлденең  діріл  және  хоппер  тамақтың  розеткада 

бөлгіштер-саптаманы  жандандыру)  болды  бар  дірілді  машиналар  сындарлы  және  режимдік  параметрлерін 

әсерін зерттеу.  терезесінің шикізат Діріл скрининг оның ұзындығы скринингтік бетінің пайдалану тиімділігін 

арттыру үшін көлденең діріл тудыратын қоздырғыш және материалды өту және скринингтік тиімділігін артты 

жылдамдығын қосылды.  эксперименттер шанақтарды қақпасын ашқан кезде, материалдық білігінің тар бетін-

де,  көп  немесе  аз  ені  таратуға  ені  және  тек  соңғы  үшінші  тең  розетканың  тамақ  ені  бойымен  жылжиды,  бұл 

ешқандай кросс-реттеңіз көрсетті.  Тамақ бөлгіш кезінде елек ұшақта бірыңғай материалдық тарату үшін орна-

тылған.  бөлгіш орнатқаннан кейін елек ұшақта үлгідегі өту жылдамдығы анық кем дегенде 10-15% -ға өсті. 

Негізгі сөздер: скринингтік, сүрлемі, реттеңіз, стенд, көлденең тербелістер. 

 

Sazdybekov E. M., Beisenov B. S. 

Мethods of intensifying the processes of screening with the use of tools of distribution of the flow over the 

surface of the sieve 

Annotation.  Annotation.  The article describes methods intensification of vibration screening effects on mov-

ing stream in the perpendicular plane, as well as a smoother flow distribution by sieve plane filing stage, installing di-

viders.    To  study  the  influence  of  constructive  and regime  parameters  of  vibrating  machines  with  unbalanced  vibro-

exciters, namely inertial roar in KNRTU  TME at the department has been designed and manufactured test bench Tool 

carriers  (the  vibrator  transverse  vibrations and  intensifying nozzles,  dividers  on  the  outlet mouth  of  the  hopper).   To 

improve the efficiency of use of the screening surface area for its length in vibratory screening of raw materials to the 

box was attached exciter generating transverse vibrations, and the increased rate of passage of the material and screen-

ing  efficiency.    The  experiments  showed  no  cross-vibrator that  when  opening  the  gate  of  the  hopper,  the  material  is 

moved along the narrow surface of the shaft, an outlet throat width equal to the width and only in the last third distrib-

uted more or less in width.  For uniform material distribution on the sieve plane at the throat divider was installed.  The 

rate of passage of sample on sieve plane after setting divider is clearly increased at least by 10-15%. 

Key words: screening, hopper, vibrator, stand, transverse vibrations. 

 

 

 

УДК: 537.612 

 

Е.М. Әден, А.З. Нурмуханова, Ш.С. Оспанова,  А.А. Куйкабаева 

(Әл-Фараби атындағы Қазақ Ұлттық Университеті 

Алматы, Қазахстан Республикасы) 

 

ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШ ДИОД БАЗАСЫНЫҢ КЕДЕРГІСІН КЕРНЕУДІҢ ТІКЕЛЕЙ 

АЗАЮЫНА НЕГІЗДЕЛГЕН ӨЛШЕУ ӘДІСІ 

 

Түйіндеме.  Бұл  мақалада  жартылай  өткізгіш  диодтың  базасының  кедергісін  өлшеу  әдісі  сипатталады. 

Жоғары  жиіліктегі  гетеро-өткізгішті  жарық  шығаратын диодтарды  өлшеу  кезіндегі  жоғары  қателіктердің  сал-

дарынан болатын ескі өлшеу әдістері келтіріледі. Жоғары жиілікте жарық шығаратын диодтардың шықпасында 

индуктивтілік пайда болады. Кернеудің тікелей азаюын өлшеуге  негізделген өлшеу әдісін қолдану ұсынылады.  

Кілттік  сөздер:  ЖШД  (жарық  шығаратын  диодтар),  база,  кернеу,  кедергі,  импульс,  индуктивтілік,  өл-

шеу, гетероауыспалы. 

 

●

 Технические науки 

 

130                                                                                            

№1 2017 Вестник КазНИТУ 

 

Жартылай өткізгішті диодтардың маңызды параметрлерінің бірі базаның тізбекті кедергісі бо-

лып табылады. Диод базасының кедергісі үлкен (шекті рұқсат  етілгенмен салыстырмалы) тоқтар ре-

жимінде  экспоненцальді  функциядан  диодтың  шынайы  ВАС  ауытқуына  әкеледі  [1,  2],  сондай-ақ 

ЖШД ТЖ шуының параметрлерін өлшеу нәтижелерін интерпретациялау үшін маңызды болып табы-

лады.  

ЖШД  типіне  байланысты  базаның  кедергісінің  шамасы  Омнің  бөлшегі,  (мысалы,  Vishay 

TLCR5800  типті  қызыл  жанатын  ЖШД),  10  Ом  (мысалы,  Протон  КИПД  89С40/20  жасыл  жанатын 

ЖШД), 30 Ом (Vishay TLHG5800 жасыл жанатын ЖШД) құрауы мүмкін.   

Диод  базасының  кедергісін  өлшеуге  екі  принциптік  әртүрлі  амал  болуы  мүмкін.  Бірінші  амал 

тестілік сингналдың жоғары жиілігінде диод  базасының кедергісін өлшеуден тұрады, онда (1) өрне-

гімен сипатталатын диодтың эквивалентті схемасының импедансы r

S

: |Z(f)| ≈ r

S 

кедергісімен анықта-

лады. Алайда гетероауыспалы ЖШД үшін бұл шарт 100 МГц диапаозында жүзеге асырылуымен бай-

ланысты бұл амал бірқатар қиындықтарды туындатады, онда диод шығарымдарының индуктивтілігі 

өлшеу нәтижесіне әсер көрсетеді. Диод шығарымдарының индуктивтілігі L

В 

1…20 нГн құрайды, со-

ған  сай  индуктивті  кедергі  ωL

В

  (0,628…12,56  Ом  шамасы),  диод  базасының  кедергісімен  өлшемдес 

болады және өлшеу нәтижесінде едәуір қателік енгізеді.  

Осыған байланысты, ауысу кедергісі R

p-n

  тестілік  сигналдың төмен жиілігінде базаның кедер-

гісімен салыстырғанда елеусіз кіші болғанда тоқ бойынша ЖШД режимін белгілеу жолымен  екінші 

амал қолданылады (1). 

Диод  арқылы  өткізгенде  әртүрлі  шамадағы  және  де  тікелей  тоқтың  берілген  шамаларында 

диодта кернеудің  U

Д

 түсуін өлшеуде  әрі  диодтың ВАС I

Д

 = F(U

Д

) құруда тікелей тоқтан I

Д 

 өтуізуде 

тұратын жартылай өткізгішті диод базасының кедергісін өлшеу тәсілі көрсетілген. Базаның кедергісі 

тікелей  тоқтың  әртүрлі  мәндерінде  өлшеу  нәтижелері  бойынша  құрылған  теңдеулер  жүйесін  шешу 

жолымен экспоненттерден диодтың ВАС ауытқуы бойынша анықталады. 

Базаның кедергісі диодтың осы типі үшін шекті рұқсат етілген шамаға жақын  үлкен тоқтарда 

ғана  экспоненттің  ВАС  ауытқуында  көрініс  береді,  сондықтан  тәсілдің  кемшілігі  үлкен  шамадағы 

тұрақты тоқпен жылумен қызуымен шақырылған өлшеудің үлкен қателігі болып табылады.  

Тікелей тоқ импульсін өшіру кезінде диодтағы кернеудің қарғу шамасы бойынша диод базасы-

ның кедергісін анықтау тәсілі сипатталған. Бұл өлшеу тәсілінің нақтылығы да үлкен тікелей тоқтағы 

диодтық  қызуы  және  диодта  кернеудің  тікелей  түсу  кернеуінің  жүздеген  милливольты  деңгейінде 

кернеудің салыстырмалы кіші қарғуы салдарынан төмен болады. 

Егер тікелей тоқты үлкен сіңіргіштікпен және амплитудамен I

1

, kI

1

, 2kI

1 

үш кезекті тік төртбұ-

рышты импульстар түрінде беретін болса, диодта U

1

, U

2

, U

3 

кернеу түсуінің ең жоғарғы мәнін өлшей 

отырып  диодт  базасының  r

S

  кедергісін  өлшеу  нақтылығын  жоғарылатуға  және  r

S

  келесі  формула 

бойынша есептеуге болады: 

 

                                                             

                                                 (1) 

 

мұнда 

 

 

Егер k = 2, то

 таңдайтын болсақ, онда формула едәуір ықшамдайды: 

 

                                                        

                                                   (2) 

 

Диодта U

1

, U

2

, U

3 

кернеу түсуінің ең жоғарғы мәнін түрлендіргіштің белгілі түрімен айнымалы 

тоқ вольтметрімен немесе имльпустік вольтметрмен анықтайды [3].  

Тәсілдің  мәні  келесіден  тұрады.  ВАС-тың  экспоненциальді  функциясынан  ауытқуы  базаның 

кедергісінен  кернеудің  түсуі  жылу  потенциалымен  φ

Т

  салыстырмалы  болатын  тоқтарда  байқалады. 

 

●

 Техникалық ғылымдар 

 

ҚазҰТЗУ хабаршысы №1 2017                                          

131 

 

(2)-ге  сай  базаның  кезекті  кедергісін  есепке  ала  отырып,  диодтағы  кернеудің  түсуі  келесіге 

тең:

. 

Тоқ импульсінің ұзақтығы диодтардың осы типі үшін кернеудің өсу уақытынан едәуір асуы ке-

рек.  Q>100  сіңіргіштікте  ауысу  температурасының  өсуі  жұмысшы  тоқтардың  бүкіл  диапазонында 

кельвин  үлесін  құрайтын  болады;  температураның  мұндай  өсуін  елемеуге  және  ауысу  температура-

сын р-n тоқ импульсінің кез келген амплитудасында бірдей деп санауға болады. Тәсілді жүзеге асы-

руда тестілік сигналдар 1-суретте көрсетілген.  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1-сурет. Диод базасының кедергісін өлшеу үшін тестілік сигналдар 

 

Тоқ  импульсі  амплитудасының  үш  белгілі  мәндерінде  диодта  кернеудің  тікелей  түсу  импуль-

стеріің  амплитудасын  өлшей  отырып  (диодтардың  осы  типі  үшін  шекті  рұқсат  етілген  шамадан  ас-

пайтын), теңдеулер жүйесін аламыз: 

 

                            

                                                     (3) 

мұнда,  

 ал параметр

. 

(3)  жүйесі  кезекті  алып  тастау  әдісімен  оңай  шешіледі  және  нәтижесінде  диод  базасының  ке-

дергісі үшін мына өрнектіаламыз: 

 

                                                   

                                                        (4) 

мұнда ν= ln 2 b. 

Тоқ I

1

 амплитудасы мен коэффициенттің k мәндерін таңдағанда тәсілді жүзеге асыру үшін, бі-

ріншіден, 2kI

1

max

 шартын ұстану қажет, мұнда  I

max

 - диодтардың осы типі үшін шекті рұқсат етілген 

импульстік  тоқ;  екіншіден,  I

1 

шамасындағы  тоқта базаның  кедергісіне  кернеудің  түсуі  елеулі  болуы 

және  p-n-  ауысуда  кернеудің  түсуінен  тым  болмаса  0,1...0,2  құрауы    қажет:  r

Sо

I

1

>0,1U

1

,  мұнда  r

Sо

  – 

диодтардың осы типі түрін база кедергісінің болжалды (күтілетін) мәні. Осы  екі  шарттан k коэффи-

циентін  k<

5r

Sо 

I

max

U

1  шартынан  таңдау  қажеттілігі  туындайды.  Егер  база  кедергісінің  мәні  тіпті 

болжалды түрде де белгісіз болса, онда I

1

 тоқ амплитудасының және k коэффициенттің мәндерін таң-

дауды ВАС алдын ала өлшеу нәтижелері бойынша жүзеге асыруға болады [4]. 

Ұсынылған  тәсіл  гетероауыспалы  жарық  диодтарының  үш  топтарында  апробацияланған: 

TLCR5800  Vishay  типті  қызыл  AlInGaP/GaAs;  ARL-5213PGC  Arlight  типті  жасыл  InGaN;  

КИПД89С40/20-Л4-П Протон типті жасыл InGaN. 

 

●

 Технические науки 

 

132                                                                                            

№1 2017 Вестник КазНИТУ 

 

Қызыл  TLCR5800  ЖШД  диоды  базасының  кедергісі  Омның  үлесін  құрайды  сондықтан  ВАС 

тік сызықты учаскеге шығуы 1 А тоқта жүзеге асырылады (2-сурет). ЖШД ВАС өлшеу 0,1-3 А тоқтар 

диапазонында  импульстік  режимде  жүзеге  асырылған.  Импульстардың  жүру  кезеңі  20  мс  құрады, 

импульстің ұзақтығы 40 мкс, сіңіргіштігі 500.  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2-сурет. Импульстік режимде өлшенген TLCR5800 № 69 

ЖШД вольт-амперлік сипаттамасы 

 

Екінші типті Arlight және үшінші типті Протон жасыл ЖШД базасының кедергісі 11 Омды құ-

райды және ВАС сызықты учаскеге шығуы 0,2 А тоқта жүзеге асырылады. Бұл типтердің ЖШД ВАС 

0,2-0,6 А тоқтар диапазонында импульстік режимде өлшенді. Импульстердің жүру кезеңі 20 мс құра-

ды,  импульстің ұзақтығы 40 мкс, сіңіргіштігі 500. Үш типтің r

S

 кедергісін өлшеу нәтижесі 1-кестеде 

көрсетілген.  

 

1-кесте. Үш типті ЖШДr

S

 белсенді кедергісінің мәндері 

 

Қызыл TLCR5800 Vishay 

Жасыл Arlight 

Жасыл Протон 

 

ЖШД№ 

r

S

, Ом 

ЖШД№ 

r

S

, Ом 

ЖШД№ 

r

S

, Ом 

 

57 

0,97 

1 

11,87 

1 

10,40 

 

75 

0,91 

2 

12,6 

2 

11,97 

 

68 

0,86 

3 

11,03 

3 

10,5 

 

3 

0,81 

4 

11,03 

4 

10,71 

 

79 

0,85 

5 

10,5 

5 

10,5 

 

15 

0,83 

6 

11,03 

- 

- 

 

69 

0,77 

7 

9,87 

- 

- 

 

36 

0,79 

8 

12,6 

- 

- 

 

72 

0,86 

9 

12,92 

- 

- 

 

20 

0,80 

10 

9,77 

- 

- 

 

6 

0,77 

- 

- 

- 

- 

 

86 

0,86 

- 

- 

- 

- 

 

22 

0,94 

- 

- 

- 

- 

 

67 

0,86 

- 

- 

- 

- 

 

50 

0,79 

- 

- 

- 

- 

 

Орта мәні, 

0,82 

Орта мәні, 

11,32 

Орта мәні, 

10,82 

 

Ом 

Ом 

Ом 

 

 

 

 

 

СКО, Ом 

0,06 

СКО, Ом 

1,13 

СКО, Ом 

0,66 

 

 

●

 Техникалық ғылымдар 

 

ҚазҰТЗУ хабаршысы №1 2017                                          

133 

 

ӘДЕБИЕТТЕР 

[1] Аронов В.Л. Исследование и испытание полупроводниковых приборов /В. Л. Аронов, Я. А. Федотов. 

- М.: Высшая школа, 1975. - 325 с. 

[2] Горюнова Н.Н. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений / Под ред. Горюнова Н.Н., 

Носова Ю.Р. -М.: Сов. радио, 1968. - 304 с. 

[3] Фролов И.В. Исследование статистических характеристик оптических и электрических  шумов  гете-

ропереходных  светодиодов  /  И.В.  Фролов Ю.Н. Щербатюк // Актуальные проблемы физической и функцио-

нальной электроники. Материалы 12-й региональной научной школы-семинара. М.: 1966.-114 с. 

[4] Разуменко    Д.Г.  Низкочастотные  шумы  электронных  компонентов  как  инструмент  для  диагностики 

внутренних дефектов / Д. Разуменко // Компоненты и технологии. - 2008. - №9. - С.168 - 174. 

 

Әден Е.М., Нурмуханова А.З., Оспанова Ш.С., Куйкабаева А.А. 

  Способ  измерения  сопротивления  базы  полупроводникового  диода  на  основе  прямого  падения 

напряжения 

Резюме. В данной статье описывается способ измерения сопротивления базы полупроводникового дио-

да. Приводятся недостатки прежних способов измерения, обусловленные большими погрешностями измерений 

гетеропроходных светоизлучающих диодов при высоких частотах. При высоких частотах в выводах светоизлу-

чающих диодов образуется индуктивность. Предлагается использовать способ измерения ,основанный на изме-

рение амплитуды прямого падения напряжения. 

Ключевые  слова: СИД (светоотражающие диоды), база, напряжение,  сопротивление, импульс, индук-

тивность, измерение, гетеопеременные. 

 

Aden E.M., Nurmukhanova A.Z., Ospanova Sh.S., Kuykabaeva A.A. 

Measurement base resistance method based on semiconductor diode forward voltage drop 

Summary:  This  article  describes  a  method  of  measuring  the  base  semiconductor  diode  resistance.  Given  the 

shortcomings of previous methods of measurement due to large measurement errors straight-through light-emitting di-

odes at high frequencies. At high frequencies, the inductance generated in the conclusions of light emitting diodes. It is 

proposed to use the method of measurement based on the measurement of the amplitude of the forward voltage drop 

Key  words:  LED  (reflective  diodes),  base,  voltage,  resistance,  momentum,  inductance,  measurement,  game-

overmenu. 

 

 

 

УДК: 006:005:502 

 

М.К. Саргужина, О.А. Лаврищев, А.З. Нурмуханова 

(Әл-Фараби атындағы Қазақ Ұлттық Университеті 

Алматы, Қазақстан Республикасы) 

 

ISO 14001:2004  СӘЙКЕС ЭКОЛОГИЯЛЫҚ МЕНЕДЖМЕНТ ЖҮЙЕСІНЕ  

ҚОЙЫЛАТЫН ТАЛАПТАРДЫ ТАЛДАУ 

 

Түйіндеме. Бұл мақалада стандарттар бойынша ұлттық ұйымдардың (СХҰ мүше-ұйымдары) бүкіл әлем-

дік федерациясы болып табылатын стандарттау бойынша Халықаралық ұйым қарастырылады (СХҰ). 

Кілттік  сөздер:  стандарт,  халықаралық  ұйым, әзірлеу,  енгізу,  өнімді  бақылау,  өнім  қауіпсіздігін  сынау 

және бақылау. 

 

Стандарттау  бойынша  халықаралық  ұйым  (СХҰ)  стандарттар  бойынша  ұлттық  ұйымдардың 

(СХҰ мүше-ұйымдардың) бүкіләлемдік федерациясы болып табылады. Халықаралық стандарттарды 

дайындау  бойынша  жұмыстар  әдетте  СХҰ  техникалық  комитеттерінің  күштерімен  жүзеге  асырыла-

ды.  Сәйкес  теникалық  комитет  құрылған  салада  қызығушылық  танытаны  СХҰ  әрбір  ұлттық  мүше-

ұйымы осы комитетте болуына құқылы. СХҰ байланыста болатын үкіметтік және үкіметтік емес ха-

лықаралық  ұйымдар  да  осы  жұмыстарға  қатысады.  СХҰ  электртехникалық  стандарттаудың  барлық 

салаларында Халықаралық электртехникалық комиссиямен (ХЭК) тығыз қызмет атқарады. 

Барлық түрдегі ұйымдар артып жатқан мөлшерде өзінің әрекеттерінің, өнімдерінің немесе қыз-

меттерінің  экологиялық  саясаты  мен  мақсаттарына  сәйкес  келетін  қоршаған  ортаға  әсерін  басқару 

арқылы  жақсы  экологиялық  көрсеткіштерге  қол  жеткізуге  және  оларды  көрсетуге  ұмтылады.  Олар 

бұл жұмыстардың барлығын заңнамалық тұрғыдан, қоршаған ортаны қорғауды күшейтетін экономи-

 

●

 Технические науки 

 

134                                                                                            

№1 2017 Вестник КазНИТУ 

 

калық саясат пен басқа шараларды жетілдіру, сонымен қатар қоршаған ортаның жағдайына және тұ-

рақты  даму  сұрақтарына  қызығушылық  танытатын  жақтардың  артып  келе  жатқан  алаңдаушылығы-

мен  атқарады.  Көптеген  ұйымдар  өздерінің  экологиялық  көрсеткіштерін  бағалау  үшін  экологиялық 

талдаулар» немесе «аудит» жүргізген. Алайда осы «талдаулар» мен «аудиттер» ұйымға өз әрекетінің 

тек  қазіргі  уақытта  ғана  емес,  сонымен  бірге  болашақта  да  заңнамалық  және  нормативті  талаптарға 

және  де  өзінің  саясатының  талаптарына  сәйкес  келетіндігіне  сенімділік  қамтамасыз  ету  үшін  жеткі-

ліксіз болады. Нәтижелілікке қол жеткізу үшін бұл «талдаулар» мен «аудиттер» ұйымда жұмыс атқа-

ратын құрылымдалған менеджмент жүйесінің аясында жүргізілуі керек. 

Ұйым  экологиялық  менеджмент  жүйесін  осы  халықаралық  стандарттың  талаптарына  сәйкес 

әзірлеуі, құжаттандыру, енгізуі, өзекті күйде ұстап тұру қажет, сонымен бірге ол осы талаптарға сәй-

кестікті қалай қамтамасыз ететіндігін анықтауы керек. Ұйым экологиялық менеджмент жүйесі тара-

латын саланы анықтап, құжатпен бекітуі керек. 

Жоғарғы  басшылық  ұйымның  экологиялық  саясатын  анықтап  және  орнатылған  сала  аясында 

экологиялық менеджмент жүйесінің:  

-әрекетінің, өнімінің және қызметінің сипаты мен ауқымына, сонымен бірге олардың қоршаған 

ортаға әсерінің сәйкестігін; 

-ластануды үнемі жақсарту және алдын алу бойынша міндеттерді қосуын; 

-экологиялық  көріністеріне  қолданылатын  заңнамалық  және  нормативті  талаптарды,  сонымен 

бірге ұйым келісетін талаптардың оған қолданылатын басқа да экологиялық көріністерін қосуын; 

-экологиялық мақсаттар мен міндеттерді орнату мен талдау үшін негізді құрауын; 

-құжаттармен рәсімделуін, өмірге қолданылып және өзекті болуын; 

-ұйымға немесе ұйым атынан жұмыс істейтін барлық тұлғаларға жеткізілуін және  қоғамға қол 

жетімді болуын қамтамасыз етуі керек [1]. 

Ұйым іс-шараларды әзірлеуі, енгізуі және өзекті күйде ұстап тұруы керек: 

-жоспарланған немесе дамудың өзінің жаңа нұсқаларын, әрекетінің, өнімдерінің және қызмет-

терінің жаңа немесе өзгертілген түрлерін  ескере  отырып, бақылай алатын және әсер  ете алатын әре-

кеттерінің,  өнімдерінің  және  қызметтерінің  экологиялық  көріністерінің  экологиялық  менеджмент 

жүйесінің таралу саласының аясында сәйкестендіруді; 

-қоршаған  ортаға  әсер  ететін  немесе  айтарлықтай әсер  етуі  мүмкін  көріністерді  анықтау  (яғни 

маңызды экологиялық көріністерді). Ұйым осы ақпаратты құжаттандырып және оны өзекті күйде ұс-

тап отыруы керек. 

-ұйым іс-шараларды әзірлеп, енгізіп және өзекті күйде ұстап отыруы керек: 

-заңнамалық және нормативті талаптардың экологиялық көріністеріне қолданылатын, сонымен 

бірге  ұйым  келісетін  талаптардың  басқа  да  экологиялық  көріністеріне  қолданылатын  талаптарды 

анықтауды; 

-осы талаптарды экологиялық көріністерге қалай қолданылатындығын анықтау. 

Ұйым  осы  қолданылатын  заңнамалық  және  нормативті  талаптардың,  сонымен  бірге  экология-

лық менеджмент жүйесін әзірлегенде, енгізгенде және өзекті күйде ұстап отыру барысында ұйым ке-

лісетін басқа талаптардың орындалуын қамтамасыз етуі керек. 

Ұйым  экологиялық  мақсаттар  мен  міндеттердің  сәйкес  қызметтік  құрылымдар  және  ұйым 

ішіндегі  деңгейлер  үшін  құжаттамалық  рәсімдеуін  орнатуы,  оларға  қол  жеткізуді  қамтамасыз  етіп 

және  олардың өзектілігін ұстап отыруы керек. Мақсаттар мен міндеттер мүмкін болатын жерде эко-

логиялық  саясатпен,  сонымен  бірге  ластанудың  алдын  алу,  қолданылатын  заңнамалық  және  норма-

тивтік  талаптардың  және  де  ұйым  келісетін  басқа  да  талаптардың  және  тұрақты  жақсару  бойынша 

міндеттердің орындалуы бойынша өлшеніп және келісілуі керек. 

Ұйым  өзінің  мақсаттары  мен  міндеттерін  орнатқанда  және  талдағанда  заңнамалық  және  нор-

матвиті талаптарды және де ұйым келісетін басқа да талаптарды, өзінің маңызды экологиялық көрі-

ністерін ескеруі керек. Сонымен бірге  ол өзінің технологиялық мүмкіндіктерін, жеке қаржылық, өн-

дірістік және іскерлік талаптарын және де қызығушылық танытатын жақтардың көзқарастарын еске-

руі  керек.  Ұйым  басшылығы  экологиялық  менеджментті  құрастыру,  енгізу,  өзекті  күйде  ұстап  тұру 

үшін  қажетті  ресурстардың  болуын  қамтамасыз  етуі  керек.  Ресурстар  адам  ресурстарынан,  қызмет-

керлердің  арнайы  дағдыларынан,  ұйымның  инфрақұрылымынан,  технология  мен  қаржылық  ресур-

стардан тұрады [2]. 

Міндеттер, жауапкершілік және құзыреттіліктер орнатылып, құжаттамалармен рәсімделіп және 

нәтижелі  экологиялық  менеджментке  қол  жеткізу  үшін  қызметкерлерге  жеткізілуі  керек.  Ұйымның 

жүктеу/скачать 28,19 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: