Тема 2.10. Технология производства полупровод- никовых микросхем
Содержание
32
1.Введение в технологию полупроводниковых микросхем, получение биполярных струк- тур. Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах. Планарно- эпитаксиальный транзистор. Последовательность технологического процесса изготовления
транзистора. Эпитаксиальные резисторы и интегральные конденсаторы. МДП конденсаторы
16
2.Изоляция элементов в полупроводниковых ИМС. Изоляция обратно-смещенным p-n переходом. Схема технологического процесса получения планарно-эпитаксиального транзи- стора. Изоляция диэлектриком. Изоляция поликристаллическим кремнием. Изоляция воз-
душным зазором. Комбинированная изоляция (Изопланар – I, Изопланар – II). Полипланар- ная и эпипланарная технологии изоляции элементов ИМС. Полная изоляция вмикросхемах.
3.Маршрутизготовленияпластинкремния. Шлифование и полировка пластин. Особен-
ности и виды шлифования. Абразивные материалы для шлифования. Способы крепление пластин при шлифовании. Оборудование для шлифовки пластин.
Полировка пластин. Механическая и химическая полировка пластин. Полуавтомат полиров- ки пластин. Формирование фасок. Назначение данной операции. Получение фасок профиль- ным алмазным кругом. Ориентация слитков полупроводниковых материалов по различным плоскостям. Способы разметки, ориентирования и резки заготовок и слитков полупроводни- ковых материалов. Оборудование для ориентации слитков по кристаллографическим осям и
плоскостям
