Радиоэлектрондық құрылғылардың электр қорегінің екінші көздері 13-14 дәріс
жүктеу/скачать 0,65 Mb.
|
13-14 дәріс
- Бұл бет үшін навигация:
- Жасау технологиясымен онда пайдаланылған физикалық принциптер негізінде
Микроэлектрониканың шығуына электрондық аппаратуралар құрылысының күрделенуі, аумағының үлкеюі және жұмыс сенімділігіне қойылатын талаптың артуы себепші болды. Жеке аппаратураларда бірнеше кейде ондаған мың электрондық лампы, транзистор, резистор, трансформаторлар қолдану олардың аумағын үлкейтті, әрі оларды құрастыру (дәнекерлеу) көп еңбекті қажет етті. Ғылыми ізденістердің нәтижесінде электрондық аппаратуралар жасауға конструкциялық-техникалық жаңа тәсілдер (баспалық монтаж, модуль және микромодуль, интегралдық схемалар т.б.) табылып іске асырылды.Жасау технологиясымен онда пайдаланылған физикалық принциптер негізіндеЖасау технологиясымен онда пайдаланылған физикалық принциптер негізіндемикроэлектроника интегралдық, вакуумдық микроэлектроника және функционалдық электроника деген салаларға ажыратылады.Интегралдық электрониканың шығуына байланысты микроминиатюралы радиоэлектрондық және интегралдық схемаларға негізделген аппаратуралар жасау ісі дами бастады. Жартылай өткізгішті интегралдық схема жасау үшін планарлы-эпитаксиалды деп аталатын технологиялық процесс қолданылады. Бұл тәсіл келесі жұмыстар тізбегінен құралады:
Осы аталған технологиялық процестердің ең жауаптысы - фотолитография. Ол жартылай өткізгіш пластинаның жеке учаскелерін талғап өңдеуге мүмкіндік береді. Жасалатын дайындаманың негізі ретінде p-типтес жартылай өткізгіш кремний пластинасы алынады. Оның бетіне кремнийдің n-типтес эпитаксиалды қабаты, ал бұның үстіне кремний қос тотығы жалатылады. Тотықтанған кремний пластинасының бетіне жарық сезгіш лак - фоторезист жағылады. Кепкен соң фоторезисттің үстіне фотошаблон беттестіріліп, ультракүлгін сәулемен сәулелендіріледі. Оның жарықталған учаскелері полимерленеді. Фотошаблон алынып, оның полимерленген учаскесі шайылып тасталады. Қышқылмен өңделген кезде кремнийдің сәуледен көлеңкеленбеген учаскесі мүжіліп желінеді. Осыдан кейін оның полимерленген учаскесі арнаулы қышқыл арқылы фоторезисттен тазартылады. Осы өңдеулер кезінде ешқандай өзгеріске ұшырамаған кремний тотығының жұқа қабыршық қабаты перде ретінде пайдаланылады да диффузиялық құбылыс негізінде n-типтес кремнийдің айналасы p-типтес кремниймен қапталады. Осыдан соң пластина жаңадан қосымша кремний қабаты түзіледі. Интегралдық схема дайындаудың пленкалық, гибридтік, бірнеше әдіс біріктірілген, көп кристалдық, вакуумдық түрлері бар.жүктеу/скачать 0,65 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|