р- эмиттеріне, ал
К- катоды
п- эмиттеріне
жабысады.
П 1 және П
3
ауысулары эмиттерлік, ал
П 2 - коллекторлық деп аталады.
Динисторге кернеуді қосқанда (анодта «+» катодта «-»)
П 1 және
П 3 ауысулары тура
бағытта ығысады, яғни ток өткізеді, ал ортадағы
П 2 ауысуы токты кері бағытта өткізеді.
Кристалдың жеке бөліктеріндегі кедергілерге сәйкес кернеулердің таралуы орындалады.
Жоғары дәрежеде қоспаланған
р 1, р 3 , п 4 қабаттары және ашық
П 1 және П
3
ауысуларының
өте аз (2-3 Ом) кедергілері болады, ал төменгі дәрежеде қоспаланған
п 2 қабаты мен жабық
П 2 ауысуының кедергілері үлкен болады. Сондықтан іс жүзінде барлық түсірілген
кернеулер тек
П 2 ауысуына түседі. Пайда болған өрістің әсерінен негізгі зарядтарды
тасымалдаушылар
р 1 және
п 4 облыстарынан
П 1 және
П 3 ауысулары арқылы: тесіктер р
1
-
ден
п 2 -ге, ал электрондар
п 4 -тен р 3
-ке қарай жүреді. Төрт қабатты динисторда жүретін
физикалық процесті талдау нәтижесінде, оны баламалы түйінде VI және V2 әр түрлі
құрылымды
(p-n-р және
n-p- п) транзисторларының ОЭ схемасымен қосылған жағдайы
1,г-суреті арқылы түсіндірілетініне көңіл аударуға болады.
П 2 ауысуы екі транзистор үшін
ортақ коллекторлық ауысу болады.
П 2 коллекторлық ауысуы арқылы жүретін токты
эмиттерлердің
1 және
2 токты беру коэффиценттерін ескеріп, қосынды түрінде жазамыз:
мұндағы
І Э1 және
І Э2 - эмиттерлік ауысулары арқылы жүретін токтар, ал
І КО
-
коллекторлық ауысудың меншікті кері тогы. Ауысулар тізбектеп қосылғандықтан
І к1
=
І э2
=І
тур
токтары өзара теңбе тең, сондықтан
U a кернеуін жоғарылатқан жағдайда, эмиттер тогы мен
1 және
2 коэффиценттері
де жоғарылайды.
Динисторда жүретін электрлік процестерді 1
,
б-суретінде келтірілген ВАС-тан
анықтайды. Вертикаль өс бойымен тура және кері токтардың мәндері, ал
1-сурет
горизональ өске тура және кері кернеулердің мәндері салынған.