СИ қи мәнінде ток қанығу мәніне жетеді (Г нүктесі), одан әрі шамамен тұрақты болып қалады
(U ЗИ + \Ucu\
U ЗИқи – U ЗИ ). Қанығу режімі басталғандағы ток пен кернеудің
қанығу тогы І с қан
және
қанығу кернеуі U ЗИ қан
деп аталады.
U СИ -дің үлкен мәнінде электрлік (тасқын)
тесіп өтуі
Д нүктесі байқалады (2,а-суретте).
Ағып кету тогы
І с қаи
бекітпедегі
U зи
(U CИ тұрақты болғанда) кернеуінен өте күшті
тәуелді болады;
U ЗИ = 0 (бекітпенің бастаумен қысқа тұйықталуы) болған кезінде
І с тогы
максимал, себебі канал бұл кезде максимал бастапқы жұмыс қимасының мәніне ие
болады. |
U ЗИ | кернеуін көбейткен сайын канал сығылады, оның бастапқы өткізгіштігі
төмендейді,
І с тогы соған сәйкесті нөлге дейін төмендейді (2,а-сурет), оны
U ЗИ = 0 графиктен төмен орналасқан
U зи
сызбасы бейнелейді.
Оқшауланған бекітпесі бар өрістік транзисторлар. МДЖ - транзисторларының р-п ауысулары
басқарылатын
өрістік
транзисторлардан айырмашылығы, бекітпенің электроды каналдың жартылай өткізгішті
облысынан диэлектрик қабатымен изоляцияланған. Берілген түрдегі транзисторлардың
аталуы кристалдың құрылымына негізделген: метал-диэлектрик-жартылай өткізгіш
(МДЖ). Сол сияқты метал-тотық- жартылай өткізгіш (МТЖ) деп аталатын түрі де
қолданылады.
МДЖ
-
транзисторлары
технологиялық
құрылымына
қарай
индукцияланатын және ендірілген каналдармен деп екі түрге бөлінеді.
3-сурет
Индукцияланған каналды МДЖ - транзисторы (3,а-сурет) төсеніш деп аталынатын
кристалл пластинка негізі (1)
