«Радиоэлектроника негіздері» пәні бойынша
п- кремниймен қоспаланып жасалған. Төсеніштің қалыңдығында өте күшті қоспаланған екі облыста (2), р
жүктеу/скачать 2,83 Mb. Pdf көрінісі
|
| п-
кремниймен қоспаланып жасалған. Төсеніштің қалыңдығында өте күшті қоспаланған екі облыста (2), р + электр өткізгіштің түрі жасалған. Металл пленкаларының (5) үстіндегі екі шығыс сымдары бастау (И) және ағып кетудің (С) электродтары болады. Кристалдың беті Si0 2 екі тотықты кремний диэлектриктің қабатымен (3) жабылған. Ол 3 бекітпенің электродын жартылай өткізгішті төсеніштен изоляциялайды. Концентрациясы жоғары тасымалдаушылар облысында р + жартылай өткізгішпен р~п ауысуын түзеді. Оның бәрі кернеудің кез-келген полярлығында бастаумен салыстырғанда ағып кетуде кері бағытта қосылған болып, І с тогының жүруіне бөгет жасайды. 3,ә-суретінде ендірілген каналды МДЖ - транзисторы көрсетілген. Сырт көрінісі жағынан оның индукцияланған каналды транзистордан еш айырмашылығы жоқ. Ал шын мәнісінде, оның айырмашылығы мынада: бастау мен ағып кетуді байланыстыратын 4 ток өткізгіш каналға технологиялық жолмен сәл қоспаланған жартылай өткізгіштік қабат (ендіріледі) жасалады. Бекітпенің нөлдік кернеуінің өзінде жіңішке каналда І с тогының болуы мүмкін. Бекітпедегі U зи теріс кернеуі каналдан электрондарды ысырып тастап, тесіктерді тартады, яғни каналды негізгі тасымалдаушылармен байытады және оның өткізгіштігін арттырады. U ЗИ кернеуінің оң мәнінде каналдағы негізгі тасымалдаушылар тесіктер сирейді, ал оның өткізгіштігі тасымалдаушылардың концентрациясына сай азаяды. МДЖ - транзисторларының п- түрінің индукцияланған немесе ендірілген каналды варианттары да болуы мүмкін. МДЖ -транзисторларының статикалық сипаттамалары ауысулары басқарылатын өрістік транзисторлардыкіне ұқсас. Негізгі айырмашылығы координата бас нүктесінен ағып кету бекітпесінің сипаттамаларының басқаша орналасуында болады. жүктеу/скачать 2,83 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|