3.9-сурет. Түрлі құрылымдық құраушылардан (а-г) және квази екілік жүйелердің InTe-Sb2 (e) [құйма құрамы 72% (мол.) Sb2 – 28% (мол.) InTe; ×120] сызбанұсқалық бейнелері;
а – α-біріншілік кристалдар;
ә – α-біріншілік кристалдар +β-екіншілік кристалдар;
б – α-біріншілік «эвтетика» (α+β);
в – «эвтетика» (α+β);
г – β-біріншілік кристалдар + эвтетика
Эвтетикалық айналудың тууымен пайда болуы бар фазалық тепе-теңдік диаграммалары.Егер компонентінің біреуі жартылай өткізгіштік болса, яғни бағытталған және қаныққан байланыс пен элементтің өзінде басқа байланыс табиғатымен ( шамасының үлкен болуы) нашар ерітетін күшке ие болатын болса, онда фазалық диаграмма түрі өзгереді. Металл-жартылай өткізгіш фазалық диаграммасы 3.10-суретте көрсетілген.
3.10а-суретте көрсетілген диаграмма түрі Ag-Ge, Au-Ge, Al-Si жүйелеріне тән. 3.10ә-суретте келтірілген диаграмма түрі эвтектикалық тууылуы бар диаграмма деп аталынады (эвтектикалық нүкте таза компонентке жуық), ол In-Ge, Pb-Ge, Ga-Si, Zn-Si, Tl-Ge, Bi-Ge, Sn-Ge жүйелеріндегі тепе-теңдікті сипаттайды.
Құрылымдық сараптаулар мен электр физикалық параметрлерді өлшеулер жаңа прецизиондық әдістерімен аса таза материалдарды қолданумен орындалған зерттеу компоненттерінің өзара ерігіштігі аз болса орын алатындығын көрсеткен. Бұл бұрын келтірілген термодинамикалық қорытындылардың әділеттілігін дәлелдейді. Металдар жартылай өткізгіштерде ерітіледі, алайда, жүз және мыңдаған атомдық пайыздық мөлшердегі аз шамада.
Фазалық диаграммаларда ерігіштігі аз бейнелер үшін жоғарыда аталғандай концентрация осіне басқа масштабты енгізу қолданылады. Мысал ретінде Si-Fe және Si-Аu жүйелерінің фазалық диаграммалар бейнелерін келтіруге болады (3.1-сурет).
