дәріс Тиристордың құрылымы және қолданылуы. Динисторлар. Тринисторлар

Тиристордың құрылымы және қолданылуы. Динисторлар. Тринисторлар. 
Тиристор 
деп, көп қабатты құрылымды үш не одан да көп 
р-п 
ауысулары жабық 
күйден ашық күйге ауыстырылып қосыла алатын немесе керісінше болатын жартылай 
өткізгішті құралдарды айтады. Құрлысы және жұмыс істеу принципіне қарай тиристорлар 
динисторлар, тринисторлар және симисторлар деп бөлінеді. Барлық тиристорлар үшін 
ортақ белгілер теріс кедергілер бөлігіндегі сызықты емес ВАС болады. Бұл жабық күйден 
ашыққа ауысқандағы құралдағы қайта қалпына келтірілу процесі болып табылады. 
Тиристорларды дайындауға дұрысы кремний материалы деп есептелінеді. 1,а-суретінде 
р-
п-р-п 
құрылымды динистор 
көрсетілген, оның шеткі облыстарын 
р - 
және 
п - 
базалары 
деп атайды. Құрылымы төрт қабатты кристалда 
р-п 
үш ауысуы бар. Қалыңдығы 0,5мм-ден 
кем емес электрондық өткізгіштік шамалы (әлсіз) қоспаландырылған кремний 
пластинасының екі жағына да диффузия әдісін пайдаланып, алюминий және бор 
қоспаларын ендіреді. Олар тесіктік заряд тасымалдаушыларының (10
17
см
-3
ретті) жоғарғы 
концентрациясын түзеді. Мұнда n
2
 
облысы тасымалдаушыларының концентрациясы 10
15
см
-3
шамасында болатын бастапқы кристалдардан тұрады. Ең жұқа n
4 
 
қабаты р
3
 
қабатына 
20 мкм тереңдікке дейін фосфор атомдары диффузиялануы және 10
19
см
-3
дейін 
электрондар концентрациялануы нәтижесінде жасалады, эмиттерлік облыстарға шығыстар 
қосылған. 
А- 
анод деп аталатын электрод, 

жүктеу/скачать 2,83 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: