Мақсаты: Аналогты құрама электр өлшеуіш прибордың жұмыс істеу приципін, құрылуын және қолдану аясын оқып үйрену, өлшеу қателіктерін анықтау әдісімен танысу.
Міндеттері: Интегралдық микросхемалар жұмысынын және физикалық принциптерін білу.
Ситуациялық және типтік есептерді шешу.
Тақырыптың негізгі сұрақтары: Интегралдық микросхемалар жұмысының физикалық принциптері және оларды құру.
Логикалық элементтер ЖӘНЕ, НЕМЕСЕ, ЕМЕС.
Пленкалық, гибридтік және жартылай өткізгіштік интегралдық микросхемалар.
Сабақты өткізу формасы:Практикалық сабақ.
Оқыту және оқыту әдістері: Көрнекі: ЭЕМ-і арқылы Electronics Workbench виртуальды бағдарламасын қолдану.
Интерактивті: Шағын топтарда жұмыс істеу, Миға шабуыл әдісі әдісі
Тақырып бойынша тапсырма:
№
Практикалық дағды
Балл
1
Берілген құрылымдық теңдеуге сәйкес функционалдық сызбаны құрастырыңыз:
5
2
Берілген құрылымдық теңдеуге сәйкес функционалдық сызбаны құрастырыңыз:
5
3
Берілген құрылымдық теңдеуге сәйкес функционалдық сызбаны құрастырыңыз:
5
4
Берілген құрылымдық теңдеуге сәйкес функционалдық сызбаны құрастырыңыз:
5
5
Берілген құрылымдық теңдеуге сәйкес функционалдық сызбаны құрастырыңыз:
5
6
Логикалық құрылғының берілген функционалдық сызбасы бойынша теңдеуін құрастырыңыз:
5
7
Логикалық құрылғының берілген функционалдық сызбасы бойынша теңдеуін құрастырыңыз:
5
8
Логикалық құрылғының берілген функционалдық сызбасы бойынша теңдеуін құрастырыңыз:
5
9
Логикалық құрылғының берілген функционалдық сызбасы бойынша теңдеуін құрастырыңыз:
Берілген формула үшін ақиқат кестесін толтырыңыз :
Схема құрыңыз:
Айнымалылар
Аралық логикалық формулалар
Формула
A
B
10
12
Берілген формула үшін ақиқат кестесін толтырыңыз:
Схема құрыңыз:
Айнымалылар
Аралық логикалық формулалар
Формула
A
B
C
10
13
Берілген формула үшін ақиқат кестесін толтырыңыз :
Схема құрыңыз:
Айнымалылар
Аралық логикалық формулалар
A
B
C
10
14
Берілген формула үшін ақиқат кестесін толтырыңыз:
Схема құрыңыз:
Айнымалылар
Аралық логикалық формулалар
A
B
C
10
Барлығы
100
Әдебиет, оның ішінде электрондық ресурстар: Негізгі: 1.Ш.Е.Жусипбекова, В.Б.Рыстыгулова, Г.Б.Алимбекова «Электротехника және электроника негіздері» Оқу құралы, Алматы 2022, [140-146 бет]
Қосымша: Ш.Е.Жусипбекова «Электротехника және электроника негіздері» Электронды оқу құралы, Алматы 2023.
Е.Ғ. Нәдіров, С.Б.Балабатыров, К.О.Ғали, А.А.Әбдіқадіров, Р.Дағарбек «Электротехника және электроника негіздері», Алматы 2014ж.
4. n pn транзисторында база эмиттер өткелінен ағатын ток:
электрондар арқылы,
кемтіктер мен электрондардың бірдей мөлшері мен,
кемтіктер арқылы,
токтың кемуімен.
5. Ортақ база конфигурациясымен жалғанған pn p тектес транзисторы қалыпты режимінде
базамен салыстырғанда эмиттер потенциалы төмен,
базамен салыстырғанда коллектор потенциалы төмен,
эмиттермен салыстырғанда база потенциалы төмен,
эмиттермен салыстырғанда коллектор потенциалы төмен.
6. Транзистор қалыпты жағдайда жұмыс істейді, сонда ол ортақ база конфигурациясына жалғанғанда:
базамен салыстырғанда эмиттер потенциалы төмендеу
базамен салыстырғанда коллектор потенциалы жоғарылау
эмиттерге қарағанда база потенциалы жоғары
эмиттерге қарағанда коллектор потенциалы төмендеу.
7. эмиттерді қалдырып отыратын электрондар коллекторға өтсін, мәні 0.9 . Â pn p транзисторының коллекторына сәйкес эмиттор тогы 4 мкА, онда
база тогы 4.4 ìÀ құрайды,
коллектор тогы 3.6 ìÀ құрайды,
коллектор тогы 4.4 ìÀ құрайды,
база тогы 3.6 ìÀ құрайды.
8. pn p транзистордың база аймағы дегеніміз:
кемтіктермен өте күшті қоспаланған өте жіңішке аймақ
электрондармен өте күшті қоспаланған өте жіңішке аймақ
кемтіктермен өте нашар әлсіз қоспаланған өте жіңішке аймақ
электрондармен өте әлсіз қоспаланған өте жіңішке аймақ.
9. Қалыпты режим жұмысында pn p кремний транзисторының база эмиттер өткелінде кернеудің түсуі тең:
200 мВ
600 мВ
0
4.4 В.
10. pn-p транзистор үшін:
база-эмиттер өткеліндегі негізгі тасымалдаушылар саны коллектордағы кернеуге тәуелді