2 курс білім алушыларға арналған практикалық сабақТЫҢ Әдістемелік нұСҚаулығЫ
Пленкалық, гибридтік және жартылай өткізгіштік интегралдық микросхемалар
жүктеу/скачать 0,82 Mb.
|
| Пленкалық, гибридтік және жартылай өткізгіштік интегралдық микросхемалар
Технологиялық, конструктивтік, схемалық шешімдердің нәтижесінде электрондық аппаратураның салмағын, көлемін әлдеқайда кішірейтіп, тиімділігін, экономикалық пайдалылығын күшейтіп, сериялылығын жақсарту проблемаларын шешетін электрониканың күшті дамып келе жатқан жаңа саласы микроэлектроника деп аталады. Ал, интегралдық микросхема дегеніміз бұл бір технологиялық процеспен жасалып шыққан, өзара электрлік қосылысы бар, жалпыға ортақ корпусқа салынған, біртұтас бөлінбейтін активтік элементтер (транзисторлар, диодтар) мен пассивтік элементтерден (резисторлар, конденсаторлар) құралған микроэлектрондық бұйым. Конструктивтік-технологиялық белгілері бойынша интегралдық микросхемалар пленкалық, гибридтік және жартылай өткізгіштік микросхема деп бөледі. Пленкалық микросхемаларды диэлектрлік негізге пассивті элементтер, яғни, резисторлар, конденсаторлар, катушкалар мен осы элементтердің арасындағы қосылыстарды пленка түрінде қабаттап жабыстыру арқылы жасайды (2.11.1-сурет). Активті элементтер пленкалық болып жасалмайды. (Олардың құрылысы мен атқаратын қызметі пассивті элементтерге қарағанда күрделірек болғандықтан, олардың сапасы нашар болады) Пленкалық микросхемалар жіңішке (пленканың қалыңдығы 1-2 мкм дейін) және қалың (жуан) пленкалы болып бөлінеді. 2.11.1-сурет. Пленкалық резистор және конденсатор: 1-резистивтік пленка; 2-шығару; 3-негіз Гибридтік интегралдық микросхема – пассивті элементтер (резисторлар, конденсаторлар) диэлектрлік астарлық қабаттың үстіндегі жұқа пленка (қабыршық) түрінде жасалып, ал активті элементтер (диодтар, транзисторлар) жеке-жеке өте кішкентай көлемде жасалып, схемалық платаның үстінен орын алады. Гибридтік интегралдық микросхемалар пленкалық технологияларды жартылай өткізгіштік технологиялармен үйлестіріп қолдануға мүмкіндік береді (2.11.2 сурет). 2.11.2 сурет – Гибридтік ИМС-ның құрылысы және схемасы Жартылай өткізгіштік интегралдық микросхема біріктірілген технология бойынша жасалуы мүмкін – активті элементтері жартылай өткізгіш монокристалл көлемінде, ал пассивті элементтері – жұқа пленкалық орындауда, монокристалдың қорғалған (мысалы, тотықпен) бетінде жасалуы мүмкін. Жартылай өткізгіштік интегралдық микросхема – ол барлық элементтері мен электродаралық қосылыстары көлемді болып және қалыңдығы 200-300 мкм кремний пластинкасынан жасалған жартылай өткізгіштің бетінде жасалған интегралдық микросхема. Элементтердің арасындағы изоляция ретінде n-p ауысу, диэлектрлік қабат, сапфирдағы кремний қолданылады. Жартылай өткізгіштік интегралдық микросхемаларды жасағанда әдетте планарлық технологияны пайдаланады. Жартылай өткізгіштік интегралдық микросхема активті және пассивті элементтерін жартылай өткізгіштің бір монокристалында таңдап құрады. Жартылай өткізгіштік интегралдық микросхема элементтерді өзара қосу көлемді болып жасалуы мүмкін және жартылай өткізгіштің монокристалының бетінде жартылай өткізгіштің тотыққан бетінде ток жүргізу жолдарын, мысалы, металды вакуумдық шаң жағу әдісімен орындалуы мүмкін. Конденсатор ретінде микросхемаларда кері ығысқан p-n ауысулар немесе Si-SiO2-металл конденсаторлық құрылымдар қолданылады. Резисторлардың рөлін жартылай өткізгіш кристалы беттерінің бөліктері немесе түзу немесе кері бағытта ауытқыған p-n ауысу, сонымен қатар МДЖ (металл-диэлектрлік жартылай өткізгіш) – транзисторлар орындайды. Интегралдық микросхемаларда жеке элементтер арасындағы шекараны үнемі көрсету мүкін емес. Мысалы, конденсатордың түйіні бір уақытта конденсатордың электроды да болып табылуы мүмкін. Электродаралық қашықтықтардың аздығы және микросхемалардағы кристалдың барлық элементтеріне жалпы түрде байланыстың күрделі паразиттік болуы, сонымен қатар паразиттік элементтердің пайда болуы микросхеманың барлық параметрлерін, радиоэлектрондық аппаратураның байланысқан түйіндерін нашарлатады. жүктеу/скачать 0,82 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|