Ақылбеков Ә. Т., Кривобоков В. П., Даулетбекова А. К
жүктеу/скачать 4,15 Mb. Pdf көрінісі
|
Механика сплошной среды Mechanics
of
continua, continuum mechanics Раздел механики, посвященный изучению движения и равновесия газов, плазмы и деформируемых твердых тел. Основное допущение ее состоит в том, что вещество можно рассматривать как непрерывную сплошную
среду, пренебрегая его молекулярным (атомным) строением и одновременно считать непрерывным распределение в среде всех ее характеристик (плотности, напряжений, скоростей частиц и т.д).
Mechanics of continua, continuum mechanics Деформациялаушы қатты денелердің газдар мен плазманың тепе-теңдігі мен қозғалысын оқып үйренуге арналған механиканың бӛлімі. Оның негізгі артықшылығы, затты оның молекулалы (атомды) құрылысын ескермей, үзіліссіз тұтас орта деп қарастыруға болатындығында және біруақытта оның сипаттамаларының (тығыздығының, кернеуінің, бӛлшектер жылдамдығының және т.б) ортада үлестірілуі үзіліссіз деп есептеуде жатыр. 133
mechanochemistry Раздел науки изучающий химические првращения веществ при механических воздействиях
менльницах, дезинтеграторах, на вальцах, экструдерах и т.п), при деформировании, трении, ударном сжатии. Механохимия Mechanochemistry Деформациялау, үйкеліс, соққылы сығылу (диірмендерде, экструдерлерде және т.б) сияқты механикалық әсер етулер кезінде заттардың
химиялық құбылуларын зерттейтін ғылым саласы. Миграция энергии Energy migration Многократный
перенос энергии возбуждения электронов в веществе, не сопровождаемый излучением.
Energy migration Сәулеленумен қатар
жүрмейтін, затта
электрондардың қозу
энергияларының кӛпреттік тасымалы. Микроанализ ионный Ion microanalysis Метод локального анализа твѐрдого тела, основанный на регистрации масс-спектров вторичных ионов
с микроучастков поверхности. Исследуемый образец в вакууме бомбардируют сфокусированным пучком первичных ионов (Аr + , О 2 + , О , Cs + ;
диаметр пучка 1-100 мкм). Первичные ионы при взаимодействии с поверхностью упруго и неупруго рассеиваются, перезаряжаются, испытывают многократные соударения с атомами твердого тела. При этом часть атомов вблизи поверхности получает энергию, достаточную для их эмиссии в вакуум в виде нейтральных частиц (катодное распыление) или в
вторичных ионов
(вторичная ионная
эмиссия). Затем определяется их состав и количество. Ионный микроанализатор состоит из источника первичных ионов, вакуумной камеры, статического и динамического масс-анализаторов и системы регистрации вторичных ионов. Иондық микроанализ Ion microanalysis Беттің микроучаскілерінен пайда болған екінші ретті иондардың масс-спектрлерін тіркеуге негізделген қатты денені локальді талдау әдісі. Зерттелетін үлгіні вакуумда бірінші ретті
иондардың тоғысқан шоқтарымен (Ar + , O 2 + , O + , Cs
+ ; шоқ диаметрі 1-100мкм) атқылайды. Біріншілік иондар бетпен әрекеттескен кезде серпімді және серпімсіз шашырайды, қайта зарядталады, қатты дене атомдарымен кӛп рет соқтығысады. Бұл кезде бетке жақын атомдардың бір бӛлігі вакуумға бейтарап бӛлшек (катодтық тозаңдалу) немесе екінші ретті иондар түрінде (екінші ретті иондық эмиссия) эмиссиялануына жеткілікті энергияға ие болады. Содан кейін олардың құрамы мен саны анықталады. Иондық микроанализатор бірінші ретті
ион кӛздерінен, вакуумдық камерадан, статикалық және
динамикалық масс-
анализаторлардан және
екінші ретті
иондарды тіркеу жүйесінен тұрады Микродеформа́ция Microstrain, microdeformation Деформация в объеме металла (изделия), составляющая малую долю его общего объема, которая может быть достаточно большой по величине локальных смещений элементов его структуры.
Microstrain, microdeformation Жалпы кӛлемінің аз үлесін құрайтын металл (бұйым) кӛлеміндегі деформация. Ол ӛз құрылымы элементтерінің локальді ығысу шамасынан үлкен болуы мүмкін. Микродифра́кция Microdiffraction Рассеяние электронов малым объемом исследуемого вещества, используемое в электронной микроскопии для анализа локальной структуры материала. Микродифракция Microdiffraction Материалдың локальді құрылысын талдау үшін
электронды микроскопияда қолданылатын, зерттелетін заттың аз
кӛлемінен электрондардың шашырауы Микролегирование Microalling Микролегирование Microalling 134
Введение в металический сплав в небольших (до 0,1 % его массы) добавак легированных элементов для изменения его свойств в нужном направлении, например для
прокаливаемости или хладостойкости конструкции жаропрочных и коррозионно- стойких никелевых сплавов. Часто в понятие «микролегирование» ошибочно включают процессы раскисления и модифицирования, отличающиеся механизмом влияния на структуру и свойства стали и сплавов. Металды
қорытпаға
легирленген элементтердің аз мӛлшердегі (0,1 % -ға дейін) қоспаларын, оның қасиеттерін дұрыс бағытта ӛзгертуге, мысалы ыстыққа бекем және коррозияға бекем никель корытпалар конструкциясының суыққа бекемдігін енгізу. «Микрорегирлеу» түсінігі мен қорытпа және болат қасиеттері мен құрылымына әсер ету механизмі жағынан ӛзгеше болып келетін қышқылдану немесе
модифицирлеу үрдістерін қателікпен біріктіріп қояды. Микроско́п Microscope Прибор для получения увеличенного изображения объектов. Микроскоп Microscope Объектінің үлкейтілген бейнесін алуға арналған құрал. микроскоп атомно-силовой / atomic-force microscope — сканирующий зондовый микроскоп высокого разрешения, основанный на взаимодействии иглы кантилевера (зонда)
с поверхностью исследуемого образца. Обычно под
взаимодействием понимается притяжение или
отталкивание кантилевера от поверхности из-за сил Ван-дер-Ваальса. Но при 134туннельного134и специальных кантилеверов можно изучать электрические и магнитные свойства поверхности. В отличие от сканирующего 134туннельного микроскопа, может
исследовать как
проводящие, так
и непроводящие поверхности даже через слой жидкости, что позволяет работать с органическими молекулами. Пространственное разрешение атомно-силового микроскопа зависит от размера кантилевера и кривизны его острия. Разрешение достигает атомарного по горизонтали и существенно превышает его по вертикали. — атомды-күштік микроскоп / atomic- force microscope – кантилевер инелерінің (зондының) зерттелетін үлгі бетімен
әркеттесуіне негізделген, ажырату қабілеті жоғары, сканерлеуші зондылы микроскоп. Кӛбінесе бұл әрекеттесуді Ван-дер-Ваальс күшінің есебінен кантилевердің беттен тебілуі немесе оған тартылуы деп түсінеміз. Бірақ
туннельді және
арнайы кантилеверлермен беттің электрлік және магниттік қасиеттерін зерттеуге болады. Сканерлеуші туннельді микроскоптан ерекшелігі мұнымен ӛткізгіш беттерді де және ӛткізбейтін беттерді де, тіпті сұйық қабаты арқылы да зерттеуге болады. Бұл органикалық молекулалармен жұмыс істеуге мүмкіндік береді.
Атомдық-күштік микроскоптың кеңістіктегі ажыратқыштығы кантилевердің ӛлшеміне және оның ұшының қисықтығына байланысты. Ажыратқыштық горизонталь бағытта атомдық ӛлшемге және вертикаль бағытта одан жоғары болады.
электроннооптический прибор, в котором для получения изображений применяется
или газоразрядным ионным источником. иондық микроскоп / ion microscope – бейне алу үшін термоионды немесе газды разрядты иондық кӛзбен жасалатын иондық шоқ қолданылатын электронды оптикалық құрал. 135
ионный, микроскоп автоионный) / field- ion microscope — безлинзовый ионно- оптический прибор
для получения увеличенного в несколько миллионов раз изображения поверхности твердого тела (чаще металла). ионды өрістік микроскоп / field-ion microscope – қатты дене бетінің бірнеше миллион есе ұлғайтылған кескінін алуға арналған линзасыз ионды-оптикалық құрал. микроскоп полевой электронный (проектор электронный, автоэлектронный микроскоп) / field- electron microscope — безлинзовый электроннооптический прибор
для получения увеличенного в 10 5 – 10
6 раз
изображения поверхности твердого тела. электронды өрістік микроскоп / field- electron microscope – қатты дене бетінің 10 5 –
6 есе ұлғайтылған кескінін алуға арналған линзасыз электронды оптикалық құрал.
transmission electron microscope — микроскоп, в котором для освещения исследуемого объекта использован пучок ускоренных электронов. электронмен жарықтандырылатын микроскоп / transmission electron microscope – зерттелетін объектіні жарықтандыру үшін үдетілген электрондар шоғыры қолданылатын микроскоп. микроскоп растровый (сканирующий) / scanning microscope — электронный микроскоп, действие которого основано на использовании предварительно сформированного тонкого электронного луча (зонда), положением которого (сканированием) управляют с помощью электромагнитных полей. Под воздействием электронов пучка происходит ряд процессов, характерных для данного материала и его структуры. К их числу относятся рассеяние первичных
электронов, испускание(эмиссия)
вторичных электронов, появление электронов, прошедших сквозь объект (в случае тонких образцов), возникновение рентгеновского излучения. В ряде специальных случаев (люминесцирующие
материалы, полупроводники) возникает также световое излучение. Регистрация электронов, выходящих из объекта, а также других видов излучения (рентгеновского, светового) дает информацию о различных свойствах микроучастков изучаемого объекта. Синхронно с разверткой электронного зонда осуществляется развертка луча большого кинескопа. — растрлы микроскоп(сканерлеуші) / scanning microscope – орналасу қалыбы (сканерлеу) электромагнитті ӛрістің кӛмегімен басқарылатын, қызметі алдын ала қалыптастырылған жұқа электрондық сәулені қолдануға негізделген,
электронды микроскоп. Электрон шоқтарының әсерінен берілген материалға және оның құрылысына тән бірнеше процестер жүзеге асады. Оларға бірінші ретті электрондардың шашырауы, екінші ретті электрондардың шығарылуы (эмиссиясы), объект арқылы ӛтіп кеткен электрондардың пайда болуы, рентген сәулелерінің пайда болуы жатады. Бірқатар арнайы жағдайларда (люминесценцияланушы материалдарда, жарылай ӛткізгіштерде) жарықтың сәулеленуі болады. Объектіден шығатын электрондарды, сонымен қатар сәулеленудің басқа түрлерін (рентгендік, жарықтық) тіркеу зерттелетін объекті микроучаскілерінің әр түрлі қасиеттері туралы мәлімет береді. Электронды зондтың ашылуымен синхронды түрде
үлкен кинескоптың сәулесі ашылады. микроскоп растровый(туннельный) / scanning tunnel microscope — электронный микроскоп, , основанный на возникновении так называемого туннельного тока между растрлы микроскоп (туннельді) / scanning tunnel microscope — z арақашықтығы шамамен 0,1 нм болатын ӛткізгіш беті мен металл ұшының арасындағы (олардың 136
поверхностью проводника и металлическим острием, удаленным от нее на расстояние z около 0,1 нм (при разности потенциалов между ними
порядка 1 В). При перемещении острия вдоль поверхности (сканировании) и поддержании тока постоянным за счет изменения z можно получить рельеф поверхности проводника с точностью до размеров атомов и молекул, т.е. исследовать атомное строение поверхности, структуру отдельных молекул, адсорбцию, поверхностные химические процессы и другие свойства. арасындағы потенциалдар айырымы
шамамен 1 В) туннельді токтың туындауына негізделген электронды микроскоп. Токты тұрақты етіп ұстап тұрып және ұшты бет бойымен қозғалтқан кезде (сканерлегенде) z- тің ӛзгеруі есебінен атом және молекула ӛшемдеріне дейінгі дәлдіктегі ӛткізгіш бетінің рельефін алуға болады, яғни беттің атомдық құрылысын, жеке молекулалардың құрылысын, адсорбцияны, беттік химиялық процестерді және басқа да қасиеттерді зерттеуге болады.
X-ray microscopy Метод получения увеличенных изображений объекта, сформированных рентгеновскими лучами.
X-ray microscopy Рентген сәулелерінің кӛмегімен объектінің үлкейтілген бейнесін алу әдісі. Микроско́пия электро́нная Electron microscopy Совокупность электронно-зондовых методов исследования микроструктуры твердых тел, их локального состава и микрополей (электрических, магнитных и др.) с помощью электронных микроскопов. Электронная микроскопия включает также методики подготовки изучаемых объектов, обработки и анализа результирующей информации. Различают два главных направления электронной микроскопии: трансмиссионную (просвечивающую) и растровую (сканирующую), основанных на использовании соответствующих типов электронных микроскопов. Они дают качественно различную информацию об объекте исследования и часто применяются совместно. Известны также отражательная, эмиссионная, оже-электронная, лоренцова и иные виды электронной микроскопии, реализуемые, как правило, с помощью приставок к трансмиссионным и растровым микроскопам. Широко используется в радиационных и плазменных технологиях. Электрондық микроскопия Electron microscopy Қатты денелердің микроқұрылымдарын, олардың локальді құрамын және микро ӛрістерін (электрлік, магниттік және т.б.) электронды микроскоп кӛмегімен зерттелетін электронды-зондылы әдістердің жиыны. Электронды микроскопияға сонымен қатар зерттелетін объектілерді дайындау, нәтижелік ақпараттарды ӛңдеу және талдау әдістері де
жатады. Электронды микроскопияның екі негізгі түрі бар: трансмиссиялы(жарықтандырушы) және растрлі(сканерлеуші). Бұл әдістер сәйкес электронды микроскоптарды қолдануға негізделген. Олар зерттелетін объекті туралы әр түрлі сапалы ақпаратты береді және кӛбінесе бірге қолданылады. Тағы да шағылдыру, эмиссиялы, оже-электронды, лоренцтік және т.б.
электронды микроскопиялар белгілі, алайда
олар трансмиссиялы және растрлі микроскоптарға тіркесіп қолданылады. Радиациялық және плазмалық технологияларда кеңінен
қолданылады. Микроструктура Microstructure (от micro – и лат. structura – строение) Строение твердых тел ( преумущественно металлов и сплавов), видимое с помощью микроскопа. Для оптичсеких микроскопов минимальный размер
элемента микроструктуры — 200
нм, для
электронных – 0‚ 5 нм. Характер Микроструктура Microstructure (от micro – и лат. structura – строение) Микроскоп арқылы кӛрінуші, қатты денелердің (металдар мен қорытпаларға тән) құрылысы. Оптикалық микроскоптар үшін микроқұрылым элементінің минимал ӛлшемі – 200 нм, ал электрондар үшін – 0, 5 нм. Микроқұрылымның сипаты (ӛлшемі, 137
микростуктруры ( размеры, форма и взаимное расположение кристаллов) оказывает исключительно большое влияние на свойства металлов и сплавов. Подвержена существенным изменениям при воздействии плазмы, ионузирующих излучений, в частности пучков
заряженных частиц. формасы
эәне кристалдардың ӛзара орналасуы) металдар мен
қорытпалар қасиеттеріне үлкен ықпал етеді. Кӛбінесе зарядталған бӛлшектер шоқтары плазмасының, иондаушы сәулеленуері әсері кезінде айтарлықтай ӛзгерістерге бейім.
Microhardness Твѐрдость отдельных участков микроструктуры материала. Микро қаттылық Microhardness Материалдың микро құрылымының жеке бӛліктерінің қаттылығы. Микротро́н Microtron (от греч. mikrós — малый и …трон) Циклический резонансный ускоритель электронов с постоянным во времени ведущим магнитным полем и постоянной частотой ускоряющего СВЧ-поля. В классическом микротроне траектории ускоренных электронов составлены из ряда возрастающих по радиусу окружностей, соприкасающихся в общей точке, в которой расположена ускоряющая структура. жүктеу/скачать 4,15 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|