“Аморфты материалдар” лекциялары курсы
жүктеу/скачать 5,58 Mb.
|
ÐмоÑÑ Ð¼Ð°ÑÐµÑ 15 даÑиÑ
| 14.2 As2 Se3 және As2 S3 қабыршақты ТИ және ВЧ-дағы заряд тасымалдаушылардың дрейфтік қозғалысы.
Бөлімде (аморфты қабыршақты модельді құрайды) халькогенитті шынытәрізді жартылай өткізгіштер (ХСП) үшін дрейфтік қозғалыс зерттеулерінің эксперименталды нәтижесі қарастырылады, бұларды(ТИ-қабыршақты) вакуумда термиялық буландыру және (ВЧ-қабыршақты) жоғары жиілікті ионно-плазмалық тозаңдатумен алған. ТИ-қабыршақты As2 S3-те кемтіктердің ауыспалы фототогы электронның ауыспалы фототогын арттырады және электронның фототогы практикада тіркелмейді. 14.4-суретте бөлме температурасындағы (Т=300k) электр өрісінің F=105В/cм мәніндегі Tu-қабыршақты As2 S3-те кемтіктердің ауыспалы фототогы келтірілген. Бағытпен көрсетілген, талапқа сай, үлгі арқылы өткен инжектрленген кемтіктер пакетінің уақыт аралық ауырлық центрі зерттелген ТИ-пленкадағы кемтіктердің дрейфтік қозғалысының мәні ~10-5cм2/(В×c),әдебиеттегі мәнімен 14.4-сурет аморфты ТИ-қабыршақты As2S3-кемтіктерінің ауыспалы фототогы. а-As2 S3 пленкасындағы ВЧ-тозаңдатумен алынған, кемтікті және электронды ауыспалы фототок мәні салыстырылған (14.5-сурет) 14.5-сурет.Аморфты ВЧ-пленкада As2 S3 электрон мен кемтіктердің ауыспалы фототогы. Мәліметтер, вакуумда термиялық буландыру әдісімен және T=300k кезінде селенид мышьякты қабыршақта F=105B/см алынған электрондар мен кемтіктердің дрейфтік қозғалысының мәні практика жүзінде бірдей (тең) екенін көрсетті, ол ~10-5cм2/(В×с) құрайды. ВЧ-қабыршақты а-As2 S3- тегі электрондар құрайтын фототоктың пайда болуы осы пленкалардағы электрондардың ауысу шарттарының ерекшелігін көрсетеді. ВЧ-қабыршақтарындағы электрондардың жылдам (үлкен) қозғалысы электрондардың қозғалысын бақылайтын осы пленкалардағы терең ловушкаларға спектрдегі локальденген күйдегі электронның қатысуынсыз-ақ болатындығымен қорытындылауға болады. Қарастырылған ауыспалы фототок пен дисперстік ауысудың түр тәуелділігі сәйкес келеді. 14.6-14.9 суреттерде 300k және 438k және электр өрісі кернеуі F=105B/cм кезіндегі ТИ және ВЧ-пленкалы а-As2 S3-тегі электрондар мен кемтіктердің ауыспалы фототогы келтірілген. 14.6-14.9-суреттерде келтірілген мәліметтерді салыстырсақ, ТИ және ВЧ-қабыршақтарындағы электрондар мен кемтіктердің ауыспалы фототогы 2 түрлі екені көрінеді. ТИ-пленкаларда бөлме температураларында (14.6-сурет), T=438K-де де (14.8-сурет) кемтіктердің ауыспалы фототогы (қисық) электрондардың ауыспалы фототогынан (2қисық) айтарлықтай үлкен және бұл фототоктар уақытқа сәйкес тез азаяды. Бірақ электронардың фототогы кемтіктердікіне қарағанда тезірек азаяды, шамасы электрондарды терең ловушкалардың жылдам қармауына байланысты болар. Нәтижесінде барлық инжектрленген электрондар және көбінесе кемтіктер теріс (қарама-қарсы) электродқа жетпей қалады, 438K температурада (14.7-сурет) электрондардың жылдам құлауы (резкий спад) орын алады, ал кемтіктерде бұл байқалмайды(өтпейді). ТИ- пленкалы а-As2 S3-те Т=438K және F=105B/см-дегі есептелген кемтіктердің дрейфтік қозңалысының мәні μh~10-7см2/(В×с) құрайды және кесте мәндерімен сәйкес келеді. 14.6-сурет Аморфты. ТИ-пленкалы As2 S3-тің T=300K-дегі (2)дегі электрондар мен (1) кем- тіктердің ауыспалы фототогы. 14.7-сурет. ТИ-пленкалы As2 S3-те Т=438K-дегі Электрондар (2) мен (1) кемтіктерінің ауыспалы фототогы. ВЧ-қабыршақтарында а-As2 S3 T=300K (14.8-сурет) сонымен қатар ТИ-қабыршақтарында инжектрленген тасымалдаушылардың ауыспалы фототоктары жылдам төмендейтіні байқалады, айырмашылығы ТИ-қабыршақтағы кемтіктерінің ауыспалы фототогымен салыстырғанда электрондар мен кемтіктердің фототоктары бірдей T=438K (14.9-сурет) электрондар мен кемтіктердің ауыспалы фототоғының қисықтарында сипаттамалық (харатерный) излом байқалады. ВЧ-қабыршақта T=438K және F=105B/cм электрондар мен кемтіктердің қозғалғыштығы сәйкес келеді және μn~μp~10-6см/(В×с) құрайды. ВЧ-пленкадағы байқалатын электрондар мен кемтіктердің ауыспалы фототок мәнінің бірдейлігі төмен өрісті кернеулерде де байқалатынын ескеру қажет. Бұдан байқатынымыз, ВЧ-қабыршақтарындағы қозғалғыш электрондар күшті электр өрісінде өтетін эффект әсерінен пайда болмайды. 14.8-сурет.T=300K.Аморфты ВЧ-қабыршақты AS2 S3 электрон(2) және кемтіктердің (1) ауыспалы фототогы. 14.9-сурет.T=438K.Аморфты ВЧ-қабыршақты AS2 S3 электрон(2) және кемтіктердің (1) ауыспалы фототогы. ВЧ-қабыршақтарда а-As2 S3 және As2 S3 қозғалғыш заряд тасымалдаушылар практикалық қозғалғыштық мәні бірдей μn және μр, кемтіктер және электрондар, яғни заряд тасымалдаушылардың биполярлық ауысу мәні болады. жүктеу/скачать 5,58 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|