Аморрфты алмазтектес көміртегі қабыршақтарының құрылымының және электрондық қасиеттерінің модификациясы. 15.1. Үлгілерді жасау технологиясы Құрылымы реттелмеген конденсирленген ортадағы алмазтектес қабыршақтар, аморфты гидрогенирленген көміртегі (а-С:Н) неігзіндегі, магнетрондық тозаңдату әдісімен алынған.
Тозаңдату процесі – нысананы жоғарғы энергиялы иондармен атқылағанда, нысана материалдың бетінен атомдардың ұшып шығу процессі болып келеді. Сонымен қатар, жоғарыдағы анықтамаға сәйкес, тозаңдату процесі улау (травление) процесі ретінде қарастырылып, бетті тазалау және оны профильдеу үшін қолданылады. Тозаңдату кезінде нысана материалдың жойылуы және көшуі (транспортировка) болатындықтан, бұл әдіс жұқа қабыршақтарды алу әдісі ретінде де қолданылады. Қазіргі кезде осы әдіс әр түрлі материалдардан қабыршақтарды алудың алдыңғы қатарында.
15.1 суретте ВУП-4 вауумдық қондырғының вакуумдық камерасына орналастырылған, тұрақты токтағы магнетрондық тозаңдату жүйесінің сұлбасы көрсетілген. Қондырғыда вакуумдық камераны алдын ала форвакуумдық және диффузиялық насоспен ~5· Па қысымға дейін сорып алады, кейін камера жұмыстық Ar+ газымен толтырылады.
1 – Тозаңдату камерасы, 2 – төсенішті ұстағыш, 3 – төсеніш (подложка), 4 – анод, 5 – нысана (катод), 6 – анодтың тефлондық ұстағышы, 7 – магнит, 8 – газ жіберілетін кіріс, 9 – тұрақты ток көзі, 10 – айдау (откачка) сызығы
15.1 суреті – Тұрақты токтағы магнетрондық тозаңдату жүйесінің сұлбасы
Нысана тұрақты магнитке орнатылып, қалыңдығы 2 мм және диаметрі 10 см пиролиттік поликристалдық графиттен құралған. Қабыршақтарды алу үшін тазалыға 99,99% графит қолданылды. Анод тат баспайтын (нержавеющий) болаттан цилиндрлік формада жасалған және тұрақты кернеу көзіне қосылған. Төсеніштің ұстағышы да тат баспайтын болаттан жасалып, жерге қосылады. Төсенішті ұстағыштың конструкциясы төсеніштің температурасын сақтап және 50 - 300ºС интервалында өзгертуге мүмкіндік берген. Тозаңдату анодта тұрақты оң кернеу кезінде жүзеге асады.