Биполярлы транзисторды зерттеу.
Ұзақтығы: 160 мин.
Пән: «Электронды құрылғылар схемотехникасы”,
Кімге арналған: Оқу жоспарына сәйкес Басқару жүйелерін автомататтандыру және ақпараттандыру, РЭТ т.б бағытта оқитын білімгерлеріне
Мақсаты: САПР Electronics Workbench құралдарын қолданып, транзистордың статикалық сипаттамаларын зерттеуді тәжірибе жүзінде машықтануды үйрену.
Оқудың нәтижесі:
Сабақты меңгергеннен соң тұтынушы білуі керек:
САПР Electronics Workbench құралдары көмегімен транзистордың кіретін және шығатын сипаттамалрын зерттеудің қарапайым схемаларын тұрғызуды білу, оларды шығару.
Транзистор үшін ВАС-ны алуды үйрену.
Қолданылатын бағдарлама: Electronics Workbench в. 5.0
Сабақ жоспары:
Оқытушы жетекшілігімен жасалатын жұмыс. 120 минут
Биполярлы танзситорды зерттеу.
Өзіндік жұмыс. 40 минут
Бағдарламаны қосу:
Осы керекті бағдарламалар бұған дейін дискіге көшірілген (ДК-де «Бағдарламаны қою инструкциясын» қараңыз).
I. Биполярлы транзисторды зерттеу.
Берілетін уақыт
120 минут
1.1. Жалпы теориялық мәліметтер.
Биполярлы транзистор- екі өзара әрекеттесетін өткелі бар, және үш шығысы бар жартылай өткізгіш аспап.
Биполярный транзистор инжекция құбылысымен, зарядтың негізгі емес тасығыштары экстракциясымен негізделген, күшейткіштік қасиеті бар.
Транзистордың қосылу схемасы – транзистордың бір тізбектің кірісіне мен шығысына бірдей таңдайды. Биполяплы транзисторлардың үш қосылу схемасын ажыратамыз; ортақ базалы, ортақ эмиттерлі, ортақ коллекторлы.
1.2. Ортақ эмиттерлі схемада биполярлы транзистордың кіретін, шығатын сипаттамаларын зерттеу.
Транзистордың кірмелік және шықпалық сипаттамалары алаласатын тізбектер және тұрақтандыру есебі үшін қолданылады. Кіретін ВАС ұяшығы Iб база тоғының Uкэ керенуіне тәуелді болады. Коллекторла кернеу әртүрлі мәнде болады, UКЭ: IБ=f(UБЭ). Кіретін ВАС ұяшығы IК коллектор тоғына тәуелді екнін білдіріп, UКЭ кернеуі IБ-ға тәуелді. Олай болса, IК=f(IБ, UКЭ). Тоқтың статикалық берілісі коэффиценті коллектор тоғының, база тоғына қатынасы деп анықталады.
= IК/ IБ (1)
Достарыңызбен бөлісу: |