48. Заряд тасушылардың қозғалғыштығының температураға тәуелділігі. Ерекшеленбеген жартылай өткізгіштерде шашыраудың бір механизмі болған кезде релаксация уақытының орташа мәні
Бұл жердегі Г(n+1)= n!. N- натурал сан
Егер бірнеше шашырау механизмі болса, онда
Ерекшеленген жартылай өткізгіш
Кристал торының жылулық тербелісте шашырауындағы қозғалғыштық - тура пропорционал, егер шашырау акустикалық фонондардан болса, онда
Температура үлкен кезде негізгі рольді кристалл тордың жылулық тербелісте шашырау атқарады, сондықтан
А - Холл эффектісі көбейткіш мүше ()
Төменгі температурада – негізгі роль температураға тәуелсіз және А=1. Ал, электрондар тесіктерден шашырағанда
49. Релаксация уақытының сыртқы өріске тәуелділігі. Ом заңының бұзылуы. Сыртқы өріс заряд тасушылардың энергиясын өзгертеді. Сондықтан олардың қозғалғыштығы өзгереді. Шашырау механизміне байланысты қозғалғыштық өсуі де мүмкін кемуі де мүмкін.
Соққы ионизациядан заряд эффектісінен немесе суық эмиссиядан Штарк эффектісінен және де термиялық қозуға байланысты потенциалдық барьердің өзгеруінен күшіт электр өрісі еркін заряд тасушылардың концентрациясы өзгереді.
Қызған электрондардың жоғары аймаққа өтуі (эффективтік массасы төменгі аймақтағы эффективтік массадан үлкен болған кездегі) электрондардың дрейфтік жылдамдығының кемуіне әкеліп соғады, яғни ток азаяды. Ал, электрондардың төменгі аймаққа өтуі токты үлкейтеді.
Тұрақты токқа қосқандағы жартылай өткізгіште токтың периодты тербелісінің тууы Ганн эффектісі деп аталады.
