Казахского государственного женского педагогического университета
жүктеу/скачать 6,41 Mb. Pdf көрінісі
|
6-5-PB
| Ключевые слова: оксидные образования, атомы кислорода, морфология поверхности,
пирамидальные выступы Введение Одним из способов изменения электрофизических параметров полупроводниковых пластин кремния является термическая обработка, в результате которой происходит изменение электронных состояний. При термическом отжиге в воздухе протекают, как правило, процессы окисления, что затрудняет использование в технологии изготовления полупроводниковых приборов [1]. Другим способом, позволяющим влиять на окисление поверхностного слоя, является облучение его пучком фотонов с определенной энергией [2, 3]. Воздействие лазерного излучения на полупроводники может приводить к различным изменениям их кристаллической структуры, электрофизических и оптических свойств [4]. Кроме того, изучение воздействия лазерной обработки на полупроводниковые структуры позволяет определить характеристики их дефектной структуры [5]. В [6] было показано, что в зависимости от параметров лазерного излучения можно достигать улучшения качества поверхности кремния за счет рекристаллизации поликристаллических или аморфных слоев Si . Как известно, граница раздела кремний - (двуокись кремния) обладает набором уникальных электрофизических свойств. Особенности накопления и переноса заряда вблизи этой границы сделали возможной реализацию широкого круга полупроводниковых устройств [7]. Всѐ это поддерживает постоянный интерес к исследованиям свойств границы самыми различными методами. В связи с этим, большой интерес представляет исследование процессов покрытия поверхности пластин кремния ее оксидами при различных температурах и времени отжига и последующее непрерывное воздействие лазерного луча на состояние образовавшейся оксидной пленки на поверхности пластин кремния. жүктеу/скачать 6,41 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|