СТРОЕНИЕ ДВОЙНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ
В электрическом поле заряженной поверхности ионы с зарядом, про- тивоположным заряду поверхности, притягиваются к ней, с одноименными – отталкиваются. В то же время хаотическое тепловое движение рассеивает ионы, распределяя их равномерно по всему объему раствора. Вблизи границы раздела фаз преобладает действие электри- ческого поля поверхности, и противоионы концентрируются возле нее. Кроме того, ионы притягиваются к поверхности силами межмолекулярного взаимодействия. По мере удаления от границы раздела фаз эти силы притяжения ослабевают, и начинает преобладать тепловое движение, избыток противоионов уменьшается и концентрация их приближается к концентрации электролита в объеме. Под влиянием этих противодействующих факторов формируется слой противоионов, суммарный заряд которого полностью компенсирует заряд твердой по- верхности.
Строение двойного электрического слоя впервые было представлено Гельмгольцем и Перреном по аналогии со строением плоского конденса- тора. Согласно их представлениям, на границе соприкасающихся фаз за- ряды располагаются в виде двух рядов разноименных ионов: ряд потен- циалопределяющих ионов на расстоянии, равном радиусу в несольвати- рованном состоянии, и прилегающий к нему ряд противоионов. Толщина электрического слоя близка к молекулярным размерам; потенциал слоя снижается в пределах его толщины линейно до нуля. Однако, подобное строение двойного слоя возможно при отсутствии теплового движения ионов. В реальных же условиях распределение зарядов на границе раз- дела фаз определяется соотношением сил электростатического притяже- ния ионов и теплового движения ионов, стремящихся равномерно рас- пределиться во всем объеме жидкой или газообразной фазы. Независимо друг от друга Гуи и Чепмен предположили, что двойной электрический слой имеет диффузное (размытое) строение и все противоионы находятся в диффузной его части – в диффузн1о7м9 слое.
Основы современной теории двойного электрического слоя были разработаны О. Штерном. Она объединяет две предыдущие теории. В со- ответствии с этой теорией формирование слоя противоионов определяет- ся не только электростатическим взаимодействием их с заряженной по- верхностью, но и адсорбцией. Предполагается, что адсорбционные силы действуют на очень коротких расстояниях, поэтому за ближайшим к по- верхности слоем противоионов их влиянием можно пренебречь. Теория также учитывает, что как бы ни были малы противоионы, они все же имеют конечные размеры. Следовательно, первый слой противоионов на- чинается не у самой поверхности, а на некотором отдалении (упрощенно можно считать это расстояние равным радиусу противоиона). Соотноше-
ние между электростатиче-
скими и адсорбционными
силами определяет концен- трацию и даже заряд ионов у поверхности. Если ад- сорбционная способность противоионов велика, то
под совместным действием
адсорбционных и электро- s
статических сил возрастает
концентрация в первом
слое. В тех же случаях, ко-
гда адсорбционные силы
превышают силы электро-
статического притяжения,
первый слой может состо- ять даже из ионов, одно- именных с потенциалопре- деляющими.
Рис. 8.2. Схема строения двойного электри- ческого слоя по Штерну.
Особенности образования первого слоя ионов в жидкости отражены в его названии – адсорбционный слой. За пределами адсорбционного слоя начинается диффузный слой. Формирование диффузного слоя опре- деляется двумя противоположными процессами: притяжением ионов к поверхности за счет электростатического взаимодействия, в связи с чем концентрация их у поверхности должна возрастать, и оттоком ионов из области высоких концентраций, то есть вблизи поверхности, в объем в результате диффузии. Повышение концентрации электролитов приводит к сжатию диффузного слоя, причем способность ионов сжимать диффуз- ный слой возрастает с увеличением их заряда. Строение двойного элек- трического слоя в соответствии с теорией Штерна показано на рис. 8.2.
Потенциалопределяющие ионы (рис. 8.2) находятся в плоскости гра- ницы раздела твердой (заштрихованная часть) и жидкой (незаштрихо- ванная часть) фаз (линия ОМ) и образуют внутреннюю обкладку, а про- тивоионы – наружную обкладку ДЭС. Те из противоионов, которые удер- живаются вблизи поверхности за счет совместного действия сил электро- статического притяжения и специфической адсорбции (то есть адсорбции за счет некулоновских (ван-дер-ваальсовых) сил), образуют адсорбцион- ную часть наружной обкладки (слой Штерна). Они локализованы в плос- кости АА на расстоянии от поверхности, соответствующем удвоенному радиусу ионов. Остальные противоионы, необходимые для полной ком- пенсации поверхностного заряда, образуют диффузную часть наружной обкладки двойного слоя (слой Гуи).
Образование ДЭС приводит к появлению электрического потенциала, который убывает с расстоянием и его значение в разных точках соответ-
ствует
s -потенциалу, или потенциалу твердой поверхности;
-потенциалу, или адсорбционному потенциалу; дзета-( )-потенциалу
или электрокинетическому потенциалу (рис. 8.2).
s -потенциал численно
равен работе переноса единичного (элементарного) заряда с поверхности
твердой фазы в глубину объема раствора, где
0 .
-потенциал опре-
деляется на границе слоя Штерна и диффузного слоя противоионов (ли- ния АА). -потенциал является потенциалом плоскости скольжения (ли- ния ВВ). Плоскость скольжения обычно проходит по диффузному слою, и часть его ионов остается в дисперсионной среде. В результате дисперси- онная среда и дисперсная фаза оказываются противоположно заряжен- ными. Электрокинетический потенциал численно равен работе переноса
единичного заряда из точки в объеме раствора, скольжения.
0 , на поверхность
В пределах слоя Штерна наблюдается прямолинейное уменьшение
потенциала с увеличением расстояния (как в плоском конденсаторе) от
значения s
до
(линия MN на рис. 8.2), в диффузном же слое потен-
циал с увеличением расстояния уменьшается от значения
до нуля по
экспоненциальному закону Больцмана при 25 мВ (линия NK на рис. 8.2)
x ex , (8.5)
где x – расстояние от границы слоя Штерна до точки внутри жидкой фа- зы. Величина, обратная в уравнении (8.5), 1/ – представляет собой эффективную толщину диффузного слоя – расстояние, на котором потен-
циал от значения
уменьшается в e раз. Толщина ДЭС, как и толщина
ионной атмосферы в теории сильных электролитов Дебая-Гюккеля, об- ратно пропорциональна ионной силе раствора I
1/ kI 1/ 2 . (8.6)
С повышением концентрации электролитов в жидкости и заряда об- разующих их ионов толщина двойного слоя уменьшается.
Достарыңызбен бөлісу: |