Дала транзисторлары екі негізгі типке бөлінеді:  ■  басқарушы p —

33 
■ 
U
СИ
(V
DS
) — ағар кернеуі — көз; 
■ 
U
ЗИ
(V
GS
) — бекітпе кернеуі — көз; 
■ 
I
c
 (I
D
) — ағар тоғы; 
■ 
І
С бас.
(I
DSS
) — бекітпе — көз нөлдік кернеуінде және ағар — көз 
тұрақты кернеуі жағдайында транзистор арқылы өтетін ағардың 
бастапқы тоғы; 
■ 
U
кес
(V
GS
(
OFF
) немесе V
P
) — қима кернеуі, яғни дала транзисторы 
арнасы арқылы өтетін тоқ, іс жүзінде нөлге тең болатын бекітпедегі 
кернеу; 
■ 
U
СИқан
(V
DS
(
SAT
)) — І
С 
тоғы іс жүзінде ұлғаймайтын, ағар — көз 
шықпалары арасындағы максималды кернеу (қанығу кернеуі); 
■ 
І
Сқан
(I
D
(
SAT
)) — берілген (нөлдік емес) қақпа — көз U
ЗИ 
кернеуіндегі 
ағардың максималды тоғы (ағардың қанығу тоғы); 
■ 
S — құламалық (ауыстырмалы сипаттама бойынша анықталатын) 
U
ЗИ
= const тең болғанда S
=
𝛥Іс
𝛥UЗИ
; 
р – n – өтпелі дала транзисторларының ауыспалы сипаттамасының 
тіктігі, төменгі қуатты аспаптардағы 1 ...2 мА/В күштік транзисторлардағы 
ондаған миллиампер вольтқа дейін өзгеруі мүмкін. Тіктіктің максималды 
мәні U
ЗИ 
= 0 болады. Бекітпедегі кернеудің артуымен тіктік кемиді және 
U
ЗИ 
= U
кес
жағдайында нөлге тең болады. 
■ 
R
t
— дала транзисторының шығыс (ішкі) кедергісі: 
U
ЗИ
= const жағдайында R
 t 
=
𝛥Uси
𝛥Іс
; 
■
R
кіп
— кіру кедергісі (бекітпе — ағар кедергісі)
U
СИ
= const жағдайында R
кір 
=
𝛥Uзи
𝛥Із
≤ 109 Ом; 
■
К
и
— кернеу бойынша күшею коэффициенті 
І
СИ
= const жағдайында К
и 
=
𝛥Uси
𝛥Uзи
; 
К
и
, S, және R
t
аарналған көріністерді салыстыра отырып келесі ұсынылған 
теңдікті алуға болады 
K

жүктеу/скачать 8,62 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: