Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»
жүктеу/скачать 8,62 Mb. Pdf көрінісі
|
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)
| и
= SR t . Айта кететін бір жайт, дала транзисторларындағы кіру кедергісінің R кір 34 шамасы өте үлкен және 10 9 Ом-нан асуы мүмкін. 1.4.1. р-n-өтпелерін басқаратын дала транзисторлары 1.14-ші суретте р-п – өтпесін басқаратын дала транзисторының қарапайым құрылымы және оның шартты белгіленуі көрсетілген. Дала транзисторындағы тоқ көз бен ағар арасындағы арна бойынша өтеді. Арна келесі өткізгіштіктің бірі типінде орындалады: п- немесе р-типі. Бекітпе арнаға қатысты өткізгіштіктің қарама-қарсы типіндегі жартылай өткізгіштен орындалады, яғни тиісінше р- немесе п-типінен. Екі жартылай өткізгіштер шекарасында, оған жалғасқан кемітілген өткізбейтін қабаты бар р-п – өтпесі түзіледі. Дала транзисторлары арнаның электр өткізгіштігіне байланысты ерекшеленеді: басқарушы р-п – өтпесімен және п-арнасымен; басқарушы р-п – өтпесімен және р-арнасымен. Басқарушы р-п – өтпесімен және п-арнасы бар дала транзисторының жұмысын қарастырайық (1.14, а суреті). U ЗИ көзі р-п – өтпесін кері бағытта ығыстыратындай, яғни қақпаға «минус» белгісін беретіндей, ал U СИ қуат көзінен ағарға «плюс» белгісін беретіндей етіп U ЗИ және U СИ сыртқы қуат көздерін қосамыз. U СИ ұзына бойғы кернеуінің ықпалымен п-арнасы бойынша зарядтың негізгі тасымалдағыштары тоғы өтеді. Арнаның көлденең қимасы және оның кедергісінің аумағы, сыртқы шекарасы 1.14, а суретінде үзік сызықты сызықпен белгіленген, кемітілген қабаттың еніне байланысты. U ЗИ кері кернеуін ұлғайтқан жағдайда, кемітілген қабаттың ені артады, ал өткізгіш арнаның көлденең қимасы тиісінше кішірейеді. Мұның салдарынан тоқтың арна арқылы өтуі де азаяды. Кері кернеудің белгілі бір мәндерінде, кемітілген қабат, арнаны толық жабатындай және арна арқылы өту тоқтатылатындай етіп кеңуі мүмкін. Бұл кернеу қима кернеуі деп аталады. Дала транзисторларының биполярлы транзисторлардан айырмашылығы, тоқ р —п- өтпе арқылы өтпейді. 35 1.15- сурет. Басқарушы р—п-өтпелі және п- типті арналы транзисторлардың сипаттамасы: а — шығыс вольт-амперлі сипаттамалары; б — ауыстырмалы (ағарды бекіткіш) сипаттама Басқарушы р-п-өтпесі және п-арнасы бар дала транзисторының шартты белгіленуі 1.14, б суретте және р- арнасы бар 1.14. в суретте ұсынылған. Басқарушы р-п-өтпесі бар ДТ вольт-амперлік шығыс сипаттамаларын қарастырайық. Дала транзисторларының кіріс сипаттамалары болмайды, өйткені кіріс тоғы нөлге тең. Басқарушы р-п-өтпесі және п-арнасы бар дала транзисторының шығыс сипаттамалары 1.15, а суретінде ұсынылған. Шығыс сипаттамалары тобында үш аймақты бөле қарауға болады: желілік, қанығу және қима. Сызықтық аймақта ВАС еңкеюі бекітпе — көз (U ЗИ ) кернеуіне тәуелді тура сызық болып табылады. Арнаның минималды кедергісіне, кернеу U ЗИ = 0 болғанда қол жеткізіледі, өйткені арнаның |