Пікір жазғандар
жүктеу/скачать 3,31 Mb.
|
Аскын кітап
- Бұл бет үшін навигация:
- 11.13-сурет.
| 11.12-сурет. YBa2Cu3O7 а) және Tl2 Ba2Ca2Cu2 O10 ә) кристалдық құрылымының байланысы
221 Бұл асқын өткізгіштердің сұлбалық құрылымы 11.13-сурет- те көрсетілген. Бұл байланыстар және басқа да металлоксидтер үшін құрылымның жалпы элементі купратты қатпар деп атала- тын CuO2 қабаты болып табылады. Бірқатар байланыстар қата- рында купратты қатпардан болса, тағы да Cu O шынжыры да бар. CuO2 қатпары арасындағы элементтерге, яғни аралық қат- пар құрамына байланысты, мыс ионы купратты қатпарда жақын оттегі атомдарының түрлі сандарын қабылдай алады. Жоғары температуралы асқын өткізгіштіктің пайда болуын- да CuO2 қатпары маңызды рөл атқаратынын көрсететін жеткі- лікті дәлелдер бар. Құрылымының қатпарлылығы асқын өткіз- гіш қасиетінің анизотропиясымен түсіндіріледі. 11.13-сурет. а) YBa2Cu3O7 және ә) Tl2 Ba2Ca2Cu2 O10 кезектескен қабат түріндегі құрылымның сұлбалық суреті Рентген құрылымдық зерттеулер көрсетуі бойынша, жо- ғары температуралы асқын өткізгіштердің кристалдық құрылы- мы Тс арқылы ауысуда өзгермейді. Бұл факт жоғары температу- ралы асқын өткізгіштерде, сондай-ақ қарапайымдарда асқыш өт- кізгіштік құбылысы құрылымының қандай да бір өзгерісіне бай- ланысты емес екендігін көрсетеді. Қарапайым асқын өткізгіштердегі сияқты мұнда Тс кера- мика құрамына кіретін атомдардың массасына тәуелді екені анықталды (изотоптық эффект). Мысалы, Лантанды керамикадағы изотоптар O16 -ны O18 -ге ауыстыру Тс-ның 0,5К төмендеуіне әкеледі. Ұқсас нәтижелер иттрий асқын өткізгіштігінде алынған. Изотоптық эффект жаңа асқын өткізгіш материалдарда мұнда қарапайым өткізгіштер 222 сияқты асқын өткізгіштіктің пайда болуында тор тербелісі негізгі рөл атқарады. Меншікті кедергісі нөлдік күйге ауысуы төменгі темпера- туралы асқын өткізгішке қарағанда үлкен температура интерва- лында іске асады. Мысалы, Беднордц және Мюллердің бірінші жұмысында оксидтің La2x Bax CuO4 , x 0,2 және x 0,15 мен- шікті кедергісі 35К басталып және T 25K -де нөлдік мәнге ие болғаны айтылған. және оның нөлдік мәнге ие болатын интервал ені түрлі үлгі үшін әр түрлі және оларды жасау әдісіне тәуелді болады. Нөлдік кедергіге ауысудың ең аз интервалы La2x Bax CuO4 x 0,2 кермикада бақыланды және 1,4К-ді қам- тыды. Жоғары температуралы асқын өткізгіште қарапайыммен салыстырғанда үлкен айырмашылық керамикада әр түрлі шекті температура иеленетін түрлі фаза болуымен түсіндіріледі. Жоғары температуралы асқын өткізгіштің магнит өрісін- дегі іс-әрекеті қарапайым асқын өткізгіштің іс-әрекетіне ұқсас. Оларда, сонымен қатар идеал диамагнетизм байқалады (Мейсс- нер-Оксенфельд эффектісі). Егер оның шамасы кейбір шекті мәннен үлкен болса, асқын өткізгіш магнит өрісімен бұзылады. Асқын өткізгіштің жойылу сипатынан магнит өрісінде бұл мате- риалдар екінші текті асқын өткізгіштерге жатады, олардың ішін- де үлкен рекордты HC 2 0 шамасы байқалады. Сонымен қатар бұл жерде магнит өрісінің өту тереңдігі төмен температуралы асқын өткізгішке қарағанда анағұрлым үлкен. Иттербилік кера- 0 микада ол – ~ 2 103 A . Бұл көрсеткіш тасымалдаушылар тығыз- дығының үлкен емес екендігін көрсетеді. Қарапайым асқын өткізгіш материалдардағы сияқты магнит ағынының квантталуы байқалады. Асқын өткізгіштің саңылау |