ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПРИМЕРНОЙ РАБОЧЕЙПРОГРАММЫУЧЕБНОЙДИСЦИПЛИНЫ
СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ
УСЛОВИЯРЕАЛИЗАЦИИУЧЕБНОЙДИСЦИПЛИНЫ
КОНТРОЛЬ И ОЦЕНКА РЕЗУЛЬТАТОВ ОСВОЕНИЯ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПРИМЕРНОЙ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙДИСЦИПЛИНЫ«ОГСЭ.05 ЭЛЕКТРОННАЯТЕХНИКА»
Местодисциплинывструктуреосновнойпрофессиональнойобразовательнойпрограммы: учебная дисциплина входит в общепрофессиональный цикл и имеет связь с учебными дисциплинами: ОП.02. Электротехника, ОП.08. Цифровая схемотехника, ОП.09. Электрорадиоизмерения и профессиональными модулями ПМ.01. Выполнение сборки, монтажа и демонтажа электронных приборов и устройств, ПМ.02. Проведение технического обслуживания и ремонта электронных приборов и устройств ПМ.03. Проектирование электронных приборов и устройств на основе печатного монтажа.
Цель и планируемые результаты освоения дисциплины:
18 Объем самостоятельной работы обучающихся определяется образовательной организацией в соответ- ствии с требованиями ФГОС СПО в пределах объема образовательной программы в количестве часов, необ- ходимом для выполнения заданий самостоятельной работы обучающихся, предусмотренным тематическим планом и содержанием учебной дисциплины (междисциплинарного курса).
Коды компетен-ций, формирова-ниюкоторыхспо- собствует элементпрограммы
1
2
3
4
Раздел1.Физическиеосновыполупроводниковыхприборов
6
ПК 1.1, 1.2,
2.1, 2.2,
ПК3.1, ПК3.2,
ОК.01-ОК.03, 07, 09, 10
Тема 1.1. Электрофизические свойства полупровод- ников
Содержаниеучебногоматериала
2
1. Зонная теория твердого тела. Зонные диаграммы диэлектрика, полупроводника, проводни-
ка. Энергетические диаграммы состояния электрона в твердом теле. Понятие функции рас- пределения Ферми и уровня Ферми
2
2. Электрофизические свойства полупроводников. Внутренняя структура полупроводника. Понятие ковалентной связи и ее особенность. Свободные носители заряда в полупроводнике понятия дырки. Собственная и примесная проводимость. Получение примесной проводимо- сти. Виды примесей, зависимость проводимости примесных полупроводников от температу-
ры. Токи в полупроводниках. Механизмы их возникновения
Тема 1.2. Контактные и поверхностные яв- ления в полупровод- никах
Содержаниеучебногоматериала
4
1. Основные группы электрических контактов и требования к ним. Электронно-дырочный (р- п) переход и его свойства., Вольт-амперная характеристика (ВАХ) р-п перехода. Понятие
пробоя р-п перехода. Виды пробоя
2
2. Температурные и частотные свойства р-п перехода. Влияние температуры на ВАХ р-n пе- рехода. Барьерная и диффузионная емкость р-п перехода, их влияние на частотные свойства р-n перехода. Гетеропереходы. Контакт металл-полупроводник переход Шотки. Свойства.
Применение. Поверхностные явления в полупроводниках.
Тематикалабораторныхработ
2
1.Исследование ВАХ р-n перехода
2
Раздел2.Полупроводниковыеприборы
30
ПК 1.1, 1.2,
Тема 2.1. Полупро- водниковые диоды
Содержаниеучебногоматериала
6
1.Общие сведения. Основные типы. Классификация, маркировка основных типов полупро- водниковых диодов.
Характеристики и параметры выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов. Диоды Шотки. Области применения
Характеристики и параметры импульсивных, высокочастотных (ВЧ) и сверхвысокочастот- ных (СВЧ) диодов, туннельных диоды. Диоды Ганна. Области применения
1. Биполярные транзисторы. Классификация. Типы структур. Устройство, работа, обозначе-
ние. Основные способы включения (ОБ, ОЭ, ОК), особенности и характеристики этих схем включения. Входные и выходные статические характеристики.
2
2.Динамический режим работы транзистора. Температурные и частотные свойства биполяр- ного транзистора. Импульсный режим работы транзистора. Собственные шумы биполярного транзистора
Тематикалабораторныхработ
4
1.Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ
2
2. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ
2
Тема 2.3. Полевые (униполяр- ные) транзисторы
Содержание
6
1.Полевые (униполярные) транзисторы. Особенность, структура, основные типы, области применения, классификация.
Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом. Устройство. Принцип работы. Основ-
ные способы включения. Характеристики и параметры.
2
2.Полевые транзисторы МДП структуры с изолированным затвором: с индуцированным и встроенным каналом. Устройство. Принцип работы. МДП-транзистор как линейный четы- рехполюсник. Условное графическое обозначение.
Температурные частотные свойства полевых транзисторов. Маркировка. Рекомендации по их включению.
Тематикалабораторныхработ
4
1.Исследование полевого транзистора с управляющим переходом по схеме с общим затвором
(ОЗ)
2
2.Исследование полевого транзистора МДП - структуры
2
Тема 2.4 Тиристоры
Содержание
4
Общие сведения. Устройство и режим работы. Основные физические процессы. Принцип
2
действия, параметры, особенности ВАХ. Схемы включения различных типов тиристоров и особенности их работы. Условное графическое изображение и маркировка. Области приме-
нения.
Тематикалабораторныхработ
2
1.Исследование тиристора
2
Тема 2. 5 Оптоэлектронные приборы
Содержание
8
1.Фотоприемники. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках: Классификация. Фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор. Устройство. Ха-
рактеристики и параметры. Принцип работы. Применение. Обозначение
2
2.Светодиоды. Устройство. Характеристики и параметры. Применение. Обозначение. Оптроны. Структурная схема оптронов. Разновидности оптронов. Принцип работы. Пара-
метры и характеристики. Обозначение
