Р-n- ауысуда заряд тасуға ауысудың ішінде және сыртында өндірілетін заряд тасушылардың қосатын үлестерінің ерекшеліктеі қандай?
P-n-ауысу арқылы зарядты қосалқы заряд тасушылар тасиды. Ал, p-n-ауысудың сыртында өндірілетін заряд тасушылардың барлығы бірдей ауысу арқылы заряд тасуға қатыспайды. Р-n-ауысу арқылы заряд тасуға қалыңдығы диффузия ұзындығына тең, ауысумен жапсарлас шалаөткізгіш қабатының ішінде орналасқан қосалқы заряд тасушылар ғана қатысады. Электрон-кемтік қосына кіретін негізгі заряд тасушылар p-n-ауысудың потенциалық тосқауылынан өте алмайды, сондықтан олар ауысу арқылы заряд тасуға қатыса алмайды.
Фотодиодтың жұмыс ұстанымдарының сыртқы потенциал айырымы әсер еткендегі, әсер етпегендегі ерекшеліктері қандай?
Сыртқы потенциал айырымы әсер еткендегі фотодиодта жүретін және фотодиодтың инерциялығын анықтайтын физикалық құбылыстарды қарастырайық
Фотодиодқа кері бағытта түсірілген кернеу, негізінен, p-n-ауысуда төмендейді. Фотоөндіріліген электрон-кемтік қосы, ауысудың өте күшті электр өрісі әсерінен электрондар мен кемтіктерге ыдырайды. Электрон-кемтік ыдырауы нәтижесінде пайда болған заряд тасушылар, ауысудың электр өрісі әсерінен, өздері негізгі болатын шалаөткізгіш өңірлеріне лақтырылады. Электрондар n-шалаөткізгішке, кемтіктер p-шалаөткізгішке лақтырылады. Нәтижесінде, фотоөндірілген электрондар мен кемтіктерге тапшыланған қабаттар пайда болады. Ауысудың қалыңдығы кернеудің квадрат түбіріне тура пропорционал d ~ U болатындықтан, кері бағытта түсірілген кернеудің әсерінен, фотоөндірілген электрондар мен кемтіктерге тапшыланған кристалл қабатының қалыңдығы артады.
Достарыңызбен бөлісу: |
