Есте сақтау құрылғыларының негізгі құрылымдары

Статикалық оперативті есте сақтау құрылғылары және ROM типті жадылар үшін 2D, 3D және 2DM құрылғылары сипатты.

9.2.1 2D құрылымы .

 2D құрылымында  (9.1 суретті қара) ЕСЭ есте сақтау элементтері   М = k x m өлшемді тік бұрышты матрицаға ұйымдастырылады, мұндағы:

М – жадының ақпараттық сыйымдылығы, бит;

 k – сақталу сөздерінің саны;

 m – олардың разрядтылығы.

 9.1 сурет – 2D типті есте сақтау құрылғыларының құрылымы

DC адресті кодының ДШ рұқсат беру сигналы CS (Chip Select – микросызбаны таңдау сигналы) бар болған жағдайда таңдалған жолдың барлық элементтеріне бір уақытта қол жеткізуді рұқсат ететін мекен-жайы нөміріне сәйкес келетін сөзді сақтайтын шығу сызықтарының біреуін активтендіреді. Алмасу бағыттары R/W (Read - оқу, Write - жазу) сигналдарының әсеріндегі оқу/жазу күшейткіштерімен анықталады.  

9.2.2 3D құрылымы.

 n разрядты мекен-жай коды екі жартыға бөлінеді, олардың кодтары жеке-жеке шешіледі. Екі дешифратордың шығуларындағы активті сызықтарының қиылысуында орналасқан есте сақтау элементі таңдалады. Бұндай қиысулар болады

Екі дешифратордың шығыстар санының қосындысы

          бұл  n  нақты мәндеріндегі   2n қарағанда әлдеқайда аз.

9.2 сурет – 3D типіндегі бірзарядты ұйымның есте сақтау құрылғысының құрылымы 

9.2.3 2DM құрылымы.

2DM  құрылымды ROM типті  (9.3 суреттен қара) ЕСҚ  бүтін жолды таңдайтын DC_x  дешифраторларынан мекен-жайы бар есте сақтау элементтерінің матрицасы үшін.

 9.3 сурет  – ROM арналған 2DM типті есте сақтау құрылғысының құрылымы

Алайда 2D құрылымына қарағанда жол ұзындығы сақталушы сөздердің разрядтылығына тең емес, ал оны көптеген есе көбейтеді. Матрицаның жолдарының саны азаяды және сәйкесінше DC шығуларының саны азаяды. Жолдардың біреуін таңдау үшін Т адресті кодтардың барлық разрядтары қызмет етпейді, ал олардың бөлігі  A_n-1... A_k. Басқа разрядты адрестік басқа разрядтары (A_k-1…A₀) жолда болатын көп сөздердің ішінен қажетті сөзді таңдау үшін қолданылады. Бұл адресті кірістеріне  A_k-1…A₀ коды берілетін мультиплексорлар көмегімен жүзеге асырылады. Жол ұзындығы m2^k тең, мұндағы,  m – сақталушы сөздердің разрядтылығы. Ұзындығы  2^k жолдың әрбір «кесігінен» мультиплексор бір бит таңдайды. Мультиплексорлар шығысында шығу сөзі қалыптасады. Үш күймен басқарылатын буферлердің ОЕ кірісіне түсетін CS сигналының рұқсат етілуіне  байланысты шығу сөзі сыртқы шинаға беріледі.