Түркістан облысының адами әлеуетті дамыту басқармасы
жүктеу/скачать 1,97 Mb.
|
| У
Н емесе схемасының шындық кестесі:
Емес схемасы теріске шығару амалын іске асырады.
Х Х х Және — емес схемасы және элементінен және теріске шығарудан тұрады да, және схемасының нәтижесін теріске шығады. z шығысы мен х, у кірістері арасындағы байланыс z = х * у түрінде жазылады. & Х х*у У Және - емес схемасының шындық, кестесі
Немесе - емес схемасы немесе элементінен және теріске шығару элементінен тұрады да, немесе схемасының нәтижесін теріске шығарады. Z шығысы мен х, у кipicтepi арасындағы байланыс z = х v у түрінде жазылады. Х х v у У Шындық қестесі:
1. Транзисторлы-транзисторлық логикалық элементтер Транзисторлы-транзисторлық логикалық (ТТЛ) негізіндегі микросхемалар бүгінгі ЭЕМ-ң әр турлі цифрлық құрылғыларын құру үшін кеңінен қолданылады. ТТЛ (TTL) ИС-ң бірнеше түрлері бар, олардың ішінде ең көп таралғаны К155, К531, КР1531, КМ555 және КР1533 сериялы ТТЛ микросхемалар болып табылады. К155 сериялы стандартты микросхемалардың (және де олардың, Texas Instruments фирмасы жасаған, SN74 сериялы функционалдық аналогтарының) тұтыну қуаты (10 МВт) орташа және шапшаңдылығы (10 нс) біршама төмен болады. К531 (SN74S) сериялы Шоттки транзисторлары (ТТЛШ) бар ТТЛ интегралдық микросхемалардың, стандартты ИС-ға қарағанда тұтыну қуаты жоғары болған кезде (20 МВт), шапшаңдылығы 3 есе жоғары болады. Тұтыну қуаты төмен (2 МВт) К555 сериялы ТТЛШ ИС-дың (SN74LS) шапшаңдылығы жоғары емес (10 нс). Ең келешегі зор болып тұтыну қуаты төмен (4 және 2 МВт), ал шапшаңдылығы жоғары (сәйкесінше 3 және 4 нс) КР1531 (SN74F) және КР1533 (SN74ALS) сериялы ТТЛШ микросхемалары саналады. Функционалдық аналогтардың белгілерінде Н, L және S әріптері: Н -жоғары шапшаңдылықты; L - аз тұтыну қуатты; S - құрылымдарда Шоттки транзисторларының бар екендігін сипаттайды. ТТЛ микросхемалары бір-бірімен электрлік үйлесімді және + 5 В кернеу көзінен қоректенеді. Кейбір ТТЛ микросхемалары қоректену көзінен 3,3 В кернеумен жұмыс істейді. К155, К531, К555, КР1531 және КР1533 сериялы микросхемалар пластмассалық корпус та шығарылады, ал КМ155 және КМ555 сериялы микросхемалар бұдыр шығарылымдары бар керамикалық корпуста шығарылады. Сұлбатехникалы түрде, айтылған сериялардың құрамына кіретін, логикалық элементгердің түгелге жуығы екі базалық сұлбаларды: ЖӘНЕ-ЕМЕС (2.1-сурет, а) логикалық элементті және НЕМЕСЕ бойынша кеңейткішті (2.1-сурет, б) құрамдастыру нәтижесінде алынады. ЖӘНЕ-ЕМЕС ЛЭ НЕМЕСЕ кеңейткішімен бірге ЖӘНЕ-НЕМЕСЕ-ЕМЕС логикалық элементін құрайды. Кеңейткішті 1 және 2 нүктелеріне қосу арқылы (2,1-сурет, а) 2.1-сурет. К155 сериялы ТТЛ базалық логикалық элементтің (а) және НЕМЕСЕ бойынша логикалық кеңейткіштің (б) сұлбалары НЕМЕСЕ логикалық кірісі бойынша біріктіру санын ұлғайтуға болады. НЕМЕСЕ бойынша кеңейтілу мүмкіндігі бар ТТЛ ИС-ң барлық сериялары үшін бірігу санының ең үлкен шамасы 8-ге тең. Біршама төмен кіріс және жоғары шығыс тоқтары элементтердің бір-бірімен жақсы үйлесуін және үлкен жүктемелік қабілеттілігін (п ≥ 10) қамтамасыз етеді. К155 стандарттық сериялы ТТЛ ЛЭ сұлбасының (2.1-сурет, а) құрауыштарының құрамы мен қызметін қарастырайық. Элемент сұлбасы келесі каскадтардан: тоқ бойынша терістеу күшейту коэффициенті аз, көпэмиттерлі (КЭТ) транзистор мен R0 резистордан тұратын кіріс каскадынан; Т1, транзистормен R1, резисторда құрастырылған фазабөлгіш каскадынан және R2, R3 резисторлар мен Т4 транзистордан тұратын түзету тізбегінен; Т1, мен Т3 транзисторлардың, және R4 резистор мен D0 диодтың негізіндерінде жасалынған екітактылы шығыс каскадынан тұрады. Оң сигналдар (оң логика - логикалық бірге (лог. 1) сигналдың жоғары деңгейі, ал логикалық нөлге (лог. 0) сигналдың төмен деңгейі сәйкес келген,) кезінде Т0 КЭТ-пен R0 резисторы бар кіріс каскад ЖӘНЕ логикалық функциясын, жүзеге асырады. Инверсті сигналдар (теріс логика) кезінде, лог. 1 сигналдың төмен деңгейімен, ал лог.0 сигналдың жоғары деңгейімен берілгенде Т0 КЭТ R0 резистормен бірге НЕМЕСЕ функциясын жүзеге асырады. Т0 КЭТ-ң эмиттерлеріне, теріс полярлы бөгеулер кернеуінің импульстерін шектеу үшін арналған, D1 және D2 демпфирлейтін диодтар қосылынған. Фазабөлгіш каскадтың Т1 транзисторының рп-өтулерінің сыйымдылығы аз болады және ол жұмыс тоғының мәні аз режімде жұмыс істейді. R1, R2 және Т4-тен тұратын түзету тізбегі берілу сипаттамасының пішімін (оны тікбұрышқа жақындату арқылы) жақсартады және соның арқасында ЛЭ-ң логикалық 1 жағдайындағы бегеуілге төзімділігін жоғарлатады. Фазабөлгіш каскад, шығыс каскадтың Т2 және Т3 транзисторларының қарама-қарсы фазада ауыстырылып қосылуы үшін, баскару сигналдарын қамтамасыз етеді. D0 диоды Т3 транзистордың ашылу деңгейінің ығысуын және, Т2 ашық кезде, оның сенімді түрде жабылуын қамтамасыз етеді. Т2 транзисторы үлкен жұмыс тоғына есептелінген және элементтің ауыстырылып қосылу кезіндегі, оның қанығу режімінен шығу уақыты аз. жүктеу/скачать 1,97 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|