А, М. Кунаев, Б. К. Кенжалиев теория и практика кучного выщелачивания меди алматы «гылым» 1998 4


Рис. 17 ИК - спектры растворов после



Pdf көрінісі
бет20/81
Дата14.04.2022
өлшемі27,65 Mb.
#31013
1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   ...   81
Байланысты:
ТЕОРИЯ-И-ПРАКТИКА-КУЧНОГО-ВЫЩЕЛАЧИВАНИЯ-МЕДИ-1

Рис. 17 ИК - спектры растворов после 
выщелачивания халькопирита 
раствором H
2
S0
4
 (10 г/дм
3
): 1 - 
исходный, 2 - после 1,4 - после ІІ, 6 
- после III, 8 - после V циклов; 3 - 
раствор NaCl после I, 5 - после II, 7 - 
после Ш циклов; 9 - водный раствор 
Растворение халькопирита, проте-
кающее 
с 
образованием 
промежуточных 
соединений, 
осложняется 
тем, 
что 
эти 
формирования  на  поверхности 
затрудняют  доступ  реагирующих 
агентов NaCi и H
2
SO
4
  к  основной 
массе  минерала.  Поэтому  после 
каждой 
операции 
орошения 
необходима  определенная  пауза, 
во  время  которой  усиливаются 
электрохимические  процессы  и 
про- 
исходит разрушение поверхностных соединении. 
           Хлорид  натрия  не  только  равномерно  покрывает  поверхность 
сульфида,  но  и  проникает  в  разного  рода  трещины  и  тем  самым 
способствует  разрушению  минерала,  увеличивая  дефектность  и, 
соответственно,  общую  геометрическую  поверхность  халькопирита. 
Поверхность как в макроскопическом, так и в 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
электронном смысле является одним из отражений внутренней структуры. 
Мессбауэровские  параметры  исследуемого  сульфида  после 
выщелачивания 
соответствуют 
халькопириту 
с 
высокоразвитой 


62 
 
поверхностью. Дополнительно в спектрах фиксируется в незначительных 
количествах дисперсный оксид железа.  При  этом  изменяются  положения 
ионов железа и, соответственно, меди, устойчивость которых сохраняется 
за счет компенсации плотностей d-электронов на ядрах соответствующих 
ионов. 
Образование  новых,  более  богатых  кислородом  соединений  и 
накопление  сульфатных  составляющих  вызывает  кристаллохимические 
превращения.  Так,  например,  в  последующих  циклах  обработки 
халькопирита  появляются  некоторые  отличительные  особенности.  В 
частности,  мессбауэровские  спектры  поглощения  дают  возможность 
обнаружить образование парамагнитной составляющей, соответствующей 
образованию  борнита  (Cu
5
FeS
4
).  Количество  этого  новообразования 
линейно растет и к 15 циклу достигает значения 2,71 % (10 циклов - 1,06 
%)  [35,  115].  Это  сопровождает  непосредственную  перестройку  кристал-
лической  решетки  поверхности  халькопирита  с  образованием  фаз, 
экранирующих  поверхность  сульфида  от  растворителя.  Для  повышения 
миграционной  способности  указанных  промежуточных  соединений 
необходимо, чтобы процессы их превращения заканчивались переходом в 
наиболее  растворимые  формы  –  C
U
SO
4
,  Fe
2
CI
3
,  Fe
2
(S0
4
)
3
,  а  для  этого 
требуется  дополнительное  количество  окислителя,  в  качестве  которого 
выступает  кислород  воздуха  во  время  пауз.  Микроскопические 
исследования  (рис.  18-  19)  и  данные  рентгеноструктурного  анализа 
дополнительно  фиксируют  выделения  новообразований,  имеющих 
размеры 0,005- 0,008 мм. 
          При  взаимодействии  реагентов  с  поверхностью  халькопирита 
изменяется  химический  состав  пленки  на  границе  раздела  фаз  "твердое 
тело - жидкость", она покрывается налетом, легко 
 
 
 
 
 
 
устраняемым  при  повторной  полировке.  В  отражённом  свете  минералы 
показывают  отражательную  способность  значительно  ниже,  чем  для 
сфалерита  (рис.  18).  Цвет  темно-серый  от  синеватого  до  розоватого 
оттенка.  Кристаллы  анизотропны,  внутренние  рефлексы  бесцветны, 


63 
 
твердость  2,0-2,5,  легко  растворимы  водными  растворами.  Травятся 
азотной кислотой со вскипанием. После взаимодействия остаются пустоты 
выщелачивания  (рис.19).  В  проходящем  свете  минерал  оптически 
отрицательный, 
2v= 530, N
g
 = 1,539-1,546; N
p
 = 1,530-1,539; 
N
m
 =1,511-1,516; N
g
-N
p
 -0,03-0,27. 
 


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   ...   81




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет