Ақылбеков Ә. Т., Кривобоков В. П., Даулетбекова А. К
жүктеу/скачать 4,15 Mb. Pdf көрінісі
|
разряд скользящий / creepage — разновидность импульсного искрового разряда по поверхности диэлектрика.
creepage – диэлектриктің бетіндегі импульстік ұшқындық разрядтың бір кӛрінісі.
discharge — самостоятельный газовый разряд при низких давлениях и очень малых токах. қара разряд / dark discharge, silent discharge – тӛменгі қысымда және ӛте аз ток кезіндегі ӛздік газ разряды.
silent
discharge — несамостоятельный разряд в газе при малом значении разности потенциалов между анодом и катодом. При повышении напряжения сила тока тихого разряда сначала увеличивается пропорционально напряжению. Затем рост его замедляется и, когда все заряженные частицы, возникшие под действием ионизатора в единицу времени, уходят за то же время на катод и анод, усиление тока с ростом напряжения не происходит. При дальнейшем росте напряжения ток снова возрастает и тихий разряд переходит в несамостоятельный лавинный разряд. В этом случае сила тока определяется как интенсивностью воздействия ионизатора, так и газовым усилением, которое зависит от давления газа и напряжѐнности электрического поля в области, занимаемой разрядом. Тихий разряд наблюдается при давлении газа порядка
атмосферного. Внешними ионизаторами могут быть радиоактивное излучение, космические лучи, свет, пучки быстрых электронов и т. д.
катод арасындағы потенциалдар айырымы аз болған кезде пайда болатын ӛздік емес разряд. Бастапқыда тыныш разрядтың ток күші кернеудің ӛсуіне байланысты пропорционал артады. Кейіннен оның ӛсуі баяулайды, және бірлік уақыт ішінде иондаушының әсерінен пайда болған
зарядталған бӛлшектердің барлығы түгелімен сол уақыт ішінде анод пен катодқа кеткенде, кернеудің артуына байланысты токтың артуы болмайды. Кернеудің одан ары ӛсуінде ток қайта арта бастайды және тыныш разряд ӛздік емес кӛшкіндік разрядқа айналады. Бұл жағдайда ток күші иондаушының әсер ету қарқыны мен газдың қысымына және разряд орын алған облыстағы электр ӛрісінің кернеулігіне тәуелді, газдық күшеюдің кӛмегімен анықталады. Тыныш разряд газдың атмосрфералық қысымы шамасында бақыланады. Сыртқы иондаушы қызметін радиоактивті сәуле, космостық сәулелер, жарық, жылдам электрондардың шоғы және т.б. атқаруы мүмкін. разряд тлеющий / glow discharge — самостоятельный газовый разряд при низкой температуре катода, сравнительно малой плотности тока и пониженном, по сравнению с атмосферным, давлении газа.
тӛменгі температура жағдайында, токтың тығыздығы аз кезінде және газ қысымы атмосфералық қысымнан тӛмен болған жағдайда пайда болатын ӛздік газ разряды.
discharge — особый вид одноэлектродного высокочастотного разряда; возникает при
discharge – бір электронды жоғары жиілікті разрядтың ерекше түрі; тәждік разрядта
253
повышении тока и частоты (≥ 10 6 Гц) в
разряде коронном или при удалении, например, одного из
электродов высокочастотной дуги. При давлениях порядка атмосферного и выше факельный разряд похож по форме на пламя свечи. С понижением давления постепенно утрачивает свою характерную форму, превращаясь в разряд с равномерным диффузным свечением. токтың және жиіліктің (≥ 10 6 Гц) жоғарылуы кезінде немесе жоғарыжиілікті доғада электродтың біреуін алып тастаған кезде пайда болады.
Қысым деңгейінің атмосфералық және
одан
жоғары жағдайында алаулық разряд шырақтың жалынына ұқсас
болады. Қысымның біртіндеп тӛмендеуімен ол ӛзіне тән бейнесін жоғалтып, біртекті диффузиялық жарқырау разрядына айналады.
Softening Процесс понижения прочности и повышения пластичности материалов, предварительно упрочненных в результате наклепа, термической обработки или облучения частицами с высокой энергией.
Softening Термиялық ӛңдеу немесе жоғары энергиялы бӛлшектермен сәулелену қақ
түзу нәтижесінде алдын ала беріктендірілген материалдардың
жоғарылату мен
тӛмендету процесі.
Distribution Основное понятие теории вероятностей и математической статистики, полнстью характеризует случайную величину. Функция, определяющая вероятность состояния системы многих частиц в зависимости от значений каких-либо переменных.
Distribution Ықтималдылық теориясы мен математикалық статистика теорияларының негізгі ұғымы, кездейсоқ шаманы сипаттайды. Кӛптеген бӛлшектер жүйесінің ықтимал күйін қандай да бір
айнымалылардың мәндеріне тәуелділігін анықтайтын функция.
distribution – распределение по импульсам и координатам частиц идеального газа, молекулы которого движутся во внешнем потенциальном поле
по законам
классической механики. Больцман таралуы / Boltzmann distribution – молекулалары сыртқы потенциалды ӛрісте классикалық механика заңы бойынша
жылжитын идеал
газ бӛлшектерінің координаттары мен импульстары бойынша таралуы. Распределение Гиббса / Gibbs canonical distriburion – распределение состояний малой части произвольной системы многих частиц,
находящейся в состоянии статистического равновесия, при условии, что эта часть слабо взаимодействует с остальными частями системы.
– бұл бӛлік жүйенің басқа бӛліктерімен әлсіз әсерлеседі деген шарт орындалғанда ғана статистикалық тепе-теңдік күйінде
орналасқан кӛп бӛлшектердің кез келген жүйесінің шағын бӛлігі күйінің таралуы. Распредение дефектов / defect distribution – среднее значение энергии, выделяемое в элементе объема в результате упругих соударений налетающего иона и всех образовавшихся атомов отдачи с атомами мишени. Эта функция определяет долю энергии иона, переданную на движение атомов мишени. Ақаулардың таралуы / defect distribution – ұшып келетін ионның серпімді соққылары мен нысана атомдарымен түзілген барлық тебілу атомдарының нәтижесінде кӛлем элементінде бӛлінетін энергияның орташа мәні. Бұл функция нысана атомдарының қозғалысына берілген ион энергиясының үлесін анықтайды. Распределение зарядовое (функция зарядовая) / charging distribution (charging function) – распределение ионов пучка или плазмы по зарядовым состояниям.
charging distribution (charging function) – зарядты күйлер бойынша шоқ иондары немесе плазманың таралуы. 254
distribution – распределение вероятностей каких-либо состояний системы, свидетельствующее о независимости их свойств относительно направления. Распределение изотропное / isotropic distribution –бағытқа қатысты қандай да бір жүйе
күйлері ықтималдылықтарының олардың қасиеттерінің тәуелсіздігін кӛрсететін таралу. Распределение ионизаций / ionization distribution – среднее значение энергии, выделенной в элементе объема в неупругих соударениях налетающего иона и атомов отдачи с атомами мишени. Эта функция определяет долю энергии иона, идущую на ионизацию и возбуждение атомов мишени.
– ұшып келуші ионның серпімсіз соққылары мен нысана атомдарымен түзілген кӛлем элементінде бӛлінген энергияның орташа мәні. Бұл функция иондану мен нысана атомдарының қозуына кететін
ион энергиясының үлесін анықтайды. Распределение Максвелла / Maxwellian distribution – распределение частиц по скоростям в рамках модели идеального газа, находящегося в состоянии термодинамического равновесия. Максвелл таралуы / Maxwellian distribution – термодинамикалық тепе-теңдік күйіндегі идеал газ моделі шеңберінде бӛлшектердің жылдамдықтары бойынша таралуы. Распределение пробегов ионов / ion pass distribution – вероятность того, что ион или атомная частица, влетающие в мишень в определенном направлении и с определенной энергией, остановится в результате взаимодействия с атомами и электронами мишени в определенном элементе объема. Иондар жүріп өту жолының таралуы / ion pass distribution – белгілі бір бағытта және белгілі бір энергиямен нысанаға ұшып кірген ион немесе атомдық бӛлшек белгілі бір кӛлем элементінде нысанның атомдары және электрондарымен ӛзара әсерлескенде тоқтау ықтималдылығы.
Radiative swelling Увеличение удельного объема стали или сплава, используемых в конструкциях ядерного реактора, вследствие образования в структуре пор и межузельных атомов при взаимодействии с потоками быстрых нейтронов (образуются при
реакции деления ядер, их энергия 0,1-10 МэВ). Распухание является процессом, который значительно снижающий пластичность сталей и сплавов при их применении в ядерных реакторах. Радиациялық ісіну Radiative swelling Ядролық реактордың
құрылысында пайдаланылатын болат немесе құймалардың жылдам нейтрондармен (ядролардың бӛліну реакциясы кезінде туындайды, олардың энергиясы 0,1-10 МэВ) әсерлесуі кезінде құрылымдық қуыс
және түйінаралық атомдардың пайда
болуы салдарынан меншікті кӛлемінің ұлғаюы. Ісіну болат пен құймалардың ядролық реакторларда пайдалану кезінде олардың пластикалық қасиетін тӛмендететін процесс
болып табылады. распухание пороговое / threshold swelling — фаза распухания материала, при котором дальнейшее облучение его приводит к
одан ары сәулелендіру оның пластикалық қасиетін жоғалтуына әкеп соғатын
материалдың ісіну фазасы. распухание топлива / fuel swelling — увеличение объема ядерного топлива в процессе эксплуатации реактора, обусловленное поглощением газов
и летучих
элементов, образующихся в результате деления ядер топлива. К газообразным продуктам деления относятся ксенон и криптон, накапливающиеся а зазоре между топливом и оболочкой твэла,
қолдану процесінде ядролық отынның бӛлуінен пайда болатын газдар және ұшқын элементтерді жұту арқылы ядролық отын кӛлемінің ұлғаюы. Бӛлінудің газ тәрізді ӛнімдеріне ксенон және криптон жатады, олар отын мен жылу бӛлуші элемент қабығының арасындағы кристалиттерде кішкентай газ кӛпіршіктері түрінде және
255
в виде маленьких газовых пузырьков в кристаллитах и на их границах. олардың шекараларында жинақталады. Распыле́ние твѐрдых тел Spraying, sputtering, dispersion, atomization Удаление атомов (молекул) с поверхности твѐрдых тел путѐм бомбардировки еѐ ускоренными частицами (атомами, ионами и т.д.). В результате существенно изменяются состав и морфологическая структура облучаемой поверхности. См. также травление. Қатты денелерді тозаңдау Spraying, sputtering, dispersion, atomization Қатты дене
бетінен оны
үдетілген бӛлшектермен (атомдармен, иондармен және т.б.) атқылаудың кӛмегімен атомдардан (молекулалардан) тазарту. Нәтижесінде сәулеленуші беттің
құрамы және
морфологиялық құрылымы айтарлықтай ӛзгереді. Сон. қ. қараңыз:тазалау
frequency sputtering — удаление атомов с поверхности твѐрдого тела под действием плазмы
высокочастотного разряда. Несмотря на то, что данный термин применяется на практике, он не вполне точен, так как частицы в плазме высокочастотного разряда не являются ускоренными. См. также травление высокочастотное. жоғары жиілікті тозаңдау / high-frequency sputtering – жоғары жиілікті разряд плазмасы әсерінен қатты дененің бетін атомдардан тазарту. Берілген терминнің тәжірибеде қолданылуына қарамастан, ол нақты емес, себебі, жоғары жиілікті разрядтағы плазмада бӛлшектер үдетілген болмайды. Сон. қ. қараңыз:жоғары жиілікті травление. распыление ионное / ion(-beam) sputtering — удаление атомов с поверхности твѐрдого тела с
бомбардировки ускоренными ионами. В более широком смысле — разрушение твѐрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами. См. также распыление катодное. ионды тозаңдау / ion(-beam) sputtering - үдетілген иондармен атқылау нәтижесінде қатты дене бетін атомдардан тазарту. Кең мағынада – зарядталған немесе бейтарап бӛлшектермен атқылау кезінде қатты заттың қирауы.
Сон. қ. қараңыз: катодты тозаңдау. распыление ионно-магнетронное — метод нанесения покрытий с помощью низкочастотного переменного электромагнитного переменного поля в диапазоне 10 3
-10 5
Гц. Принцип
основывается на ионном распылении исходных материалов для покрытий. Термин определѐн не строго,
используется в основном в плазменных технологиях и почти не применяется в физике плазмы.
3 -10 5 Гц
диапазонындағы тӛменгі жиілікті айнымалы электромагнитті
айнымалы ӛрістің кӛмегімен сылау әдісі. Әдіс жабыуларға арналған бастапқы материалдарды ионды тозаңдандыруға негізделген. Термин нақты анықталмаған, негізінен плазмалық технологияда қолданылады және плазма физикасында мүлдем қолданылмайды деуге болады. Распыление ионно-плазменное / — процесс плазменной очистки или
плазменного травления поверхности, при которых высокоэнергетические ионы из плазмы падают на поверхность материала и удаляют атомы с поверхности. В качестве технологического газа используется аргон. Он также служит в тонкопленочных технологиях в качестве метода создания паровой фазы определенного состава, которая получаются путем бомбардировки
жоғары энергиялы иондардың материал бетіне түсіп, оны атомдардан тазартуға негізделген, бетті плазмалық тазалау процесі. Техникалық газ ретінде аргон қолданылады. Бұл сонымен қатар, жұқа пленкалық технологияда материалды (нысанды) атқылау арқылы алынатын және соңынан бетке жұқтыратын қандай да бір құрамның булық фазасын түзу әдісі ретінде де қолданылады.
256
пробы необходимого материала (мишени), для последующего осаждения на подложку. распыление ионно-плазменное высокочастотное / ion plasma frequency sputtering — то же самое, что и распыление ионно-плазменное, только
с использованием плазмы высокочастотного разряда.
жоғары
жиілікті разряд
плазмасы қолданылатын ионды-плазмалық тозаңдау.
cathode sputtering — то же самое, что и распыление ионное, разрушение отрицательного электрода (катода) в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. В более широком смысле — разрушение твѐрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами. Следует отметить, что термин
несколько устарел и в последнее время в литературе практически вытеснен термином распыление ионное. См. также распыление ионное. катодты тозаңдау / cathode spraying, cathode sputtering – иондық тозаңдану, газ разрядында оң иондардың соққылауынан теріс электродтың (катодтың) қирауы. Кең мағынада – зарядталған немесе бейтарап бӛлшектермен атқылау кезінде қатты заттың қирауы. Бұл термин біраз ескіріп қалғанын ескерте кеткен жӛн. Соңғы кездері оның орнына
термині
кеңінен қолданысқа ие. Сон. қ. қараңыз: ионды тозаңдау.
sputtering — метод нанесения тонкослойных покрытий на поверхность твѐрдого тела. Является разновидностью группы
технологий на основе тлеющего разряда. Магнетронные распылительные системы относятся к устройствам диодного типа, в которых атомы распыляемого материала удаляются с поверхности мишени при ее бомбардировке ионами рабочего газа, образующимися в плазме аномального тлеющего разряда. Катод
(мишень) помещается в скрещенные электрическое (между катодом и анодом) и магнитное поля.
Магнитное поле
позволяет локализовать плазму разряда
непосредственно у мишени. На диод подается постоянное напряжение (300 – 800 В), которое приводит к возникновению между
мишенью (отрицательный потенциал) и анодом (положительный или нулевой
потенциал) неоднородного электрического поля, и возбуждению аномального тлеющего разряда. Электроны, как выбитые
из катода
ионной бомбардировкой, так и родившиеся в результате ионизации молекул рабочего газа, подвергаются воздействию магнитного поля, возвращающего их на катод, с одной стороны, с другой – поверхностью мишени, магнетрондық тозаңдау / magnetron sputtering – қатты дененің бетіне жұқа қабаттық жұқтыру әдісі. Солғын разрядқа негізделген технологияның бір түрі болып есептеледі. Магнетронды тозаңдатқыш жүйелер нысан бетінен тозаңдатылатын материалдардың атомдарын аномальды солған разрядты плазмада пайда болатын жұмыс газымен атқылау арқылы жоғалтуға негізделген диодты типті қондырғылар жүйесіне жатады. Катодты
(нысана) қиылысқан электр және магнит ӛрістерінің (катод пен анод арасында) орналастырады. Магнит ӛрісі разряд плазмасын катодтың тӛңірегінде жинақтайды. Диодқа тұрақты (300-800 В) кернеу беріледі, ол катод (теріс потенциал) пен анод (оң не нӛлдік потенциал) арасында біртекті емес электр ӛрісін тудырып, аномальды солғын разрядты қоздыруына әкеліп соқтырады. Катодтан иондық атқылау кезінде, сондай-ақ жұмыс газының
иондалуынан пайда
болатын электрондар, бір жағынан
катодқа
қайтаратын магнит ӛрісінің әсеріне, екінші жағынан ӛзінен кері итеретін нысана (катод) бетінің әсеріне
ұшырайды. Бұл
электрондардың катод бетінде күрделі циклдік
қозғалыс жасауына әкеліп соқтырады. Қозғалыс кезінде электрондар жұмыс газының
молекулаларымен 257
отталкивающей электроны. Это приводит к тому, что они совершают сложное циклическое движение у поверхности катода. При
движении электроны многократно сталкиваются с молекулами (атомами) рабочего газа, обеспечивая высокую степень ионизации, что приводит к возрастанию интенсивности ионной бомбардировки мишени, а следовательно, и к возрастанию скорости распыления. Преимущества метода:
высокая скорость распыления при низких рабочих напряжениях (600-800 В) и при небольших давлениях рабочего газа (5 10
- 10 Па); отсутствие перегрева подложки; малая степень загрязнения пленок; возможность получения равномерных по толщине пленок на большей площади подложек. (атомдарымен) бірнеше рет соқтығысып, ионданудың жоғары дәрежесін қамтамасыз етеді. Ал ол нысананың ионмен атқылау интенсивтілігін арттырады, яғни, тозаңдану жылдамдығын ӛсіреді. Әдістің артықшылықтары: тӛменгі жұмыс кернеуінде (600-800В) және жұмыс газының тӛмен қысымында (5 10 -1 - 10 Па) тозаңданудың жоғары
жылдамдығы; тӛсеніштің қызып кетуінің болмауы; пленканың ластану дәрежесінің тӛмен болуы; тӛсеніштің үлкен ауданында қалыңдығы біртекті пленка алу мүмкіндігі. жүктеу/скачать 4,15 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|