Ақылбеков Ә. Т., Кривобоков В. П., Даулетбекова А. К

286 

 

кремнийсодержащие  вещества  (Si,  Fe-Si, 

SiC  и  др.),  а  также  80-90  %  «инертных» 

добавок  типа  Аl

2

О

3

,  MgO,  измельчѐнного 

шамота и др.  

90%  «инертті»  қоспалары,  ұнтақталған 

шамот  және  басқалары  бар  ұнтақ  арқылы 

жүзеге асатын силикаттау. 

силицирование  газовое  /  gas  siliconizing  — 

силицирование,  при  котором  поверхность 

насыщается  из  газовой  среды,  содержащей 

кремний.  

газдық силикаттау / gas siliconizing — бетті 

құрамында  кремнийі  бар  газ  арқылы 

қанықтыратын силикаттау. 

силицирование  жидкое  /  fluid  siliconizing 

—  силицирование  с  электролизом  или  без 

него  в  расплавах  силикатов  щелочных 

металлов при 900— 1100 °С. 

 сұйық  силикаттау    /  fluid  siliconizing  — 

900-1100°С-де  сілтілі  металл  силикаттары 

ерітінділерінде  электролиз  арқылы  немесе 

онсыз силикаттау. 

Синергетика 

Synergetics  (от  греч.  sinergeia  –  совместное 

действие) 

Междисциплинарное  научное  направление, 

задачей 

которого 

является 

познание 

принципов  самоорганизации  различных 

систем,  в  частности  совместного  влияния 

факторов  на  процесс  самоорганизации. 

Синергетика вводит понятие динамического 

хаоса 

как 

некой 

сверхсложной 

упорядоченности. 

Синергетика 

Synergetics  (от  греч.  sinergeia  –  совместное 

действие) 

Негізгі  мәселесі  әртүрлі  жүйелердің  ӛзін-ӛзі 

ұйымдастыру  принциптерін  тану,  соның 

ішінде  ӛзін-ӛзі  ұйымдастыру  процесіне 

факторлардың  бірлескен  ықпалы  болып 

табылатын 

пәнаралық 

ғылыми 

бағыт. 

Синэнергетика  динамикалық  хаос  түсінігін 

тым күрделі реттілік ретінде енгізеді.    

Синтез  

Synthesis  (греч.  synthesis  —  соединение, 

сочетание, составление) 

Применительно 

к 

радиационным 

и 

плазменным  технологиям  –  это  получение 

нового 

вещества 

путѐм 

соединения 

исходных  элементов  (веществ)  в  единое 

целое. 

Синтез  

Synthesis (гр. synthesis — қоспа) 

Бастапқы элементтерді (заттарды) бір бүтінге 

біріктіру  арқылы  жаңа  затты  алу,  бұл  әдісті 

радиациялық 

және 

плазмалық 

технологияларда қолдануға болады. 

синтез 

плазмохимический 

/ 

plasmochemical  synthesis    —  получение 

вещества  путѐм  соединения  исходных 

элементов 

(веществ) 

 

в 

результате 

химических  реакций  в  низкотемпературной 

плазме. 

плазмалы 

химиялық 

синтез 

/ 

plasmochemical  synthesis   

—  бастапқы 

элементтерді 

(заттарды) 

тӛмен 

температуралы 

плазмадағы 

реакция 

нәтижесінде  біріктіру  арқылы  жаңа  затты 

алу. 

Си́нтез те́рмоядерный 

Nuclear fusion 

Реакции  слияния  легких  ядер  в  более 

тяжелые; 

происходят 

при 

высоких 

температурах 

и 

сопровождаются 

выделением энергии. 

Термоядролық синтез 

Nuclear fusion 

Жеңіл  ядролардың  бірігуі  нәтижесінде  ауыр 

ядролардың  түзілу  реакциясы;  жоғары 

температураларда 

және 

энергияның 

бӛлінуімен бірге жүзеге асады. 

синтез  термоядерный  инерциальный  / 

inertial  thermonuclear  fusion    —процесс 

возбуждения 

реакции 

термоядерного 

синтеза в дейтерий-тритиевой (DT) мишени 

путем 

разогрева 

и 

сжатия 

еѐ 

бомбардировкой 

пучками 

ускоренных 

ионов (электронов) с помощью драйвера. 

 термоядролы  инерциалы  синтез  /  inertial 

thermonuclear  fusion    —  дейтерий-тритийлі 

нысанада 

оны 

драйвердің 

кӛмегімен 

үдетілген 

иондар(электрондар) 

шоғымен 

атқылап  қыздыру  және  сығу  арқылы 

термоядролы реакцияны қоздыру процесі. 

синтез 

термоядерный 

лазерный/  

thermonuclear  laser  fusion  —  одно  из 

 термоядролы 

лазерлі 

синтез 

/  

thermonuclear  laser  fusion  —  лазерлердің 

287 

 

направлений 

в 

исследованиях 

по 

управляемому 

термоядерному 

синтезу, 

основанное 

на 

способности 

лазеров 

концентрировать энергию в малых объемах 

(<

6

10



см

3

) 

за 

короткие 

промежутки 

времени  (<10

10



 —  10

9



с)  и  использующее 

инерциальное удержание плазмы. 

қысқа  уақыт  аралығында(<10

10



 —  10

9



с)  

энергияны  аз  кӛлемге    жинақтай  алу 

қасиетіне 

негізделген 

және 

плазманы 

инерциялы 

ұстап 

тұруды 

қолданатын, 

басқарылатын  термоядролы  синтез  бойынша 

зерттеулердің бір бағыты. 

синтез 

термоядерный 

управляемый/ 

controlled  fusion  —  процесс  слияния  легких 

атомных  ядер,  проходящий  с  выделением 

энергии  при  высоких  температурах  в 

регулируемых условиях. 

См. также реактор термоядерный. 

 басқарылатын  термоядролы  синтез  / 

controlled 

fusion 

— 

басқарылатын 

жағдайларда 

жоғары 

температураларда 

энергия  бӛле  отырып  жүзеге  асатын  жеңіл 

атомдардың бірігу процесі.  

Сон. қ. қараңыз термоядролық реактор.  

Синхротро́н 

Synchrotron. 

В  широком  смысле  слова  —  кольцевой 

резонансный 

ускоритель 

заряженных 

частиц  с  изменяющимся  в  процессе 

ускорительного  цикла  магнитным  полем  и 

неизменным радиусом равновесной орбиты. 

См. также излучение синхротронное. 

Синхротро́н 

Synchrotron. 

Үдету  циклі  процесінде    айнымалы  магнит 

ӛрісіне  ие  және  тепе  теңдік  орбитасының 

радиусы  тұрақты  болатын  зарядталған 

бӛлшектерді сақиналы резонанстық үдеткіш. 

Сон. қ. қараңыз синхротронды сәулелену. 

Синхрофазотро́н 

Synchrophasotron. 

Выходящее  из  употребления  название 

протонного 

синхротрона 

со 

слабой 

фокусировкой. 

Синхрофазотро́н 

Synchrophasotron. 

Фокусталуы  әлсіз  протонды  синхротронның 

қолданыстан шығып қалып бара жатқан аты. 

Систе́ма гетероге́нная 

Heterogeneous  system  (от  греч.  Heterogenes 

—разнородный) 

Термодинамическая  система,  состоящая  из 

различных  по  физическим  и  химическим 

свойствам  частей  (фаз),  которые  отделены 

друг  от  друга  резкими  поверхностями 

раздела. 

Гетероге́нді жүйе 

Heterogeneous  system  (гр.  Heterogenes  —әр 

текті)  

Бір-бірінен  күрт  бӛліну  беттері  арқылы 

бӛлінген, әр түрлі физикалық және химиялық 

қасиеттері 

бойынша 

ерекшеленетін 

бӛліктерден(фазалардан) 

тұратын 

термодинамикалық жүйе. 

Систе́ма гомоге́нная 

Homogeneous system (от греч. Gomogenes — 

однородный) 

Термодинамическая 

система, 

все 

равновесные  параметры  которой  (напр., 

химический  состав,  плотность,  давление) 

непрерывно изменяются в пространстве. 

См.также гомогенность. 

Гомоге́нді жүйе 

Homogeneous  system  (гр.  Gomogenes  — 

біртекті) 

Барлық  тепе-теңдік  параметрлері(мысалы, 

химиялық  құрамы,  тығыздығы,  қысымы) 

кеңістік  бойынша  үздіксіз  ӛзгеріп  отыратын 

термодинамикалық жүйе. 

Сон. қ. қараңыз гомогендік. 

Система открытая 

Open system 

Термодинамическая 

система, 

которая 

обменивается 

с 

окружающей 

средой 

веществом,  энергией  и  импульсом.  К 

наиболее  важному  типу  открытых  систем 

относятся  химические  системы,  в  которых 

непрерывно протекают химические реакции 

(извне  поступают  реагирующие  вещества  и 

отводятся продукты реакций). 

Ашық жүйе 

Open system 

Қоршаған  ортамен  зат,  энергия  және 

импульспен  алмасатын  термодинамикалық 

жүйе. Ашық жүйелердің анағұрлым маңызды 

типіне  химиялық  реакциялар  үздіксіз  жүріп 

отыратын (тыстан әсер етуші заттар түседі да 

реакция 

ӛнімдері 

шығады) 

химиялық 

реакциялар жатады. 

288 

 

Cистема  плазменная  

Установка 

для 

генерации 

или 

технологического применения плазмы. 

Плазмалы жүйе 

Плазманы ӛндіруге немесе оны технологияда 

қолдануға арналған қондырғы.  

Система равновесная 

 Equilibrium system 

Термодинамическая система, находящаяся в 

стационарном 

состоянии, 

которое  не 

обусловлено внешними процессами. 

Тепе-теңді жүйе 

Equilibrium system 

Сыртқы 

процесстерден 

оқшауланған 

стационар күйдегі термодинамикалық жүйе. 

Ситаллы 

Glassceramics, pyroceramics 

Стеклокерамические 

материалы, 

получаемые 

путем 

термообработки 

(кристаллизации) стекла. 

Ситалдар 

Glassceramics, pyroceramics 

Шыныны  термоӛңдеу  (кристалдау)  жолымен 

алынатын шыны керамикалық материалдар.  

Скол покрытия 

Дефект  покрытия  (например,  плазменного), 

образующийся  при  местном  разрушении  в 

виде 

отделения 

его 

элементов 

под 

действием касательных напряжений. 

Жабын қабаты 

Жанама 

кернеулердің 

әсерінен 

кейбір 

элементтерінің  ажырап  кетуі  түріндегі 

жергілікті  қираулар  нәтижесінде  түзілетін 

беттік ақаулар(мысалы плазмалық). 

Скорость химической реакции 

Reaction rate 

Величина,  характеризующая  интенсивность 

химической 

реакции. 

Скоростью 

образования  продукта  реакции  называют 

количество  этого  продукта  в  результате 

реакции  за  единицу  времени  в  единице 

объема  (если  реакция  гомогенная)  или  на 

единицу  площади  поверхности  (если 

реакция гетерогенная). 

 Химиялық реакция жылдамдығы 

Reaction rate 

Химиялық 

реакция 

қарқындылығын 

сипаттаушы  шама.  Реакция  ӛнімінің  түзілу 

жылдамдығы  деп  бірлік  кӛлемде    бірлік 

уақытта  (егер  реакция  гомогенді  болса) 

немесе беттің бірлік ауданында (егер реакция 

гетерогенді 

болса) 

болған 

реакция 

нәтижесінде  алынған  осы  ӛнім  мӛлшерін 

атайды. 

Скребок плазменный  

Установка  для  удаления  поверхностных 

слоев,  в  частности,  фотолаков  (резистов),  с 

помощью плазмы. 

Плазмалы ысқыш 

Плазманың  кӛмегімен  беттік  қабаттарды, 

атап айтқанда фотолактарды жоюға арналған 

құрылғы. 

Слой 

Layer  

Образование  на  поверхности  или  внутри 

какого-либо  тела,  находящегося    в  любом 

агрегатном  состоянии,  отличающееся  от 

окружающей  среды  своей  структурой, 

составом,  зарядовым  состоянием  или 

какими-либо другими свойствами.  

Қабат 

Layer  

Кез  келген  агрегаттық  күйдегі  қандай  да  бір 

дененің  бетінде  немесе  ішінде  пайда  болған, 

қоршаған ортадан ӛзінің құрылымы, құрамы, 

зарядтың  күйі  немесе  басқа  да  қасиеттері 

бойынша ерекшеленетін түзілістер.  

слой  барьерный  /    barrier  layer  —  слой, 

образующийся 

самопроизвольно 

или 

наносимый  специально  на  поверхность 

твердых 

тел 

или 

частиц 

сыпучих 

материалов, 

предотвращающий 

их 

взаимодействие с находящимися в контакте 

материалами или средами. 

 тосқауылды  қабат  /    barrier  layer  —  қатты 

денелердің 

немесе 

сусымалы 

материалдардың  бетінде  ӛздігінен  түзілетін 

немесе 

арнайы 

жағылатын, 

олармен 

жанасушы  материалдармен  немесе  ортамен 

ӛзара әселесуін болдырмайтын қабат. 

—

 

слой 

гетероэпитаксиальный 

/ 

heteroepitaxial layer — эпитаксиальный слой 

на  полупроводниковой  подложке,  при  этом 

параметры  кристаллической  решетки  и 

зонная  структура  слоя  и  подложки 

—

 

Гетероэпитаксиалді 

қабат- 

жартылайӛткізгіш тұғырдағы эпитаксиалді қабат, 

мұнда  кристалл  торының  параметрлері  және 

қабат пен тұғырдың  зоналық құрылымы әртүрлі. 

289 

 

различны. 

—

 

слой  гидрофильный  /  hydrophilic  layer 

—  слой,  который  содержит  полярные 

группы  молекул  и  поэтому  обладает 

гидрофильными свойствами. Гидрофильные 

слои 

можно 

создавать 

путем 

полимеризации  в  плазме,  они  находят 

применение в медико-биологической сфере, 

в качестве антиналѐтных слоев, промоторов 

адгезии и т.д. 

—

 

гидрофилді 

қабат- 

молекулалардың 

полярлық  топтарынан  тұратын  және  осының 

салдарынан  гидрофилді  қасиеттерге  ие  қабат. 

Гидрофилді  қабаттарды  плазмада  полимерлеу 

арқылы  жасауға  болады,  олар  қаққа  қарсы 

қабаттар,  адгезия  промоторы  ретінде  медико-

биологиялық салада қолданылады. 

 

слой  гидрофобный  /  hydrophobic  layer  — 

слой, который не содержит полярных групп 

и  поэтому  обладает  водоотталкивающими 

свойствами.  Гидрофобные  слои  можно 

создавать  путем  полимеризации  в  плазме, 

например  с  использованием  HMDSO 

(гексаметилдисилоксана). 

Гидрофобты қабат- полярлық топтары жоқ, 

сондықтан  су  сіңірмейтін  қасиеттерге  ие 

қабат.Гидрофобты 

қабаттарды 

плазмада 

полимерлеу 

арқылы, 

мысалы 

HMDSO 

(гексаметилдисилоксан)    қолданып  жасауға 

болады. 

 

слой  дельта-легированный /  delta  doped 

layer  —  слой  (обычно  в  полупроводниках), 

в 

котором 

легирующая 

примесь 

сконцентрирована  в  очень  узкой  области 

(шириной 

несколько 

межатомных 

расстояний). 

Пространственное 

распределение  еѐ  напоминает  дельта-

функцию. 

 дельта-қоспаланған  қабат /  delta  doped 

layer  —  қоспалаушы  қоспасы  ӛте  жіңішке 

облыстарда 

(ені 

бірнеше 

атомаралық 

қашықтыққа  тең  болатын)  шоғырланған 

қабат  (негізінен  жартылай  ӛткізгіштерде). 

Олардың 

кеңістіктік 

таралуы 

дельта 

функцияны еске түсіреді. 

 

слой  двойной  электрический  /  electric 

double layer —  совокупность электрических 

зарядов 

противоположных 

знаков, 

распределѐнных 

вдоль 

границы 

соприкосновения двух фаз. 

 қос электрлі қабат /  electric double layer — 

екі  фазаның  жанасу  шекарасы  бойымен 

таралған  қарама-қарсы  таңбалы  электрлік 

зарядтар жиыны.   

слой  демпферный  ионнолегированный  / 

damping  ion-implanted  layer    —  в  системе 

«тонкая плѐнка на поверхности – подложка» 

это  как  правило  небольшой  по  толщине 

слой  вещества  на  границе  раздела  фаз, 

получаемый 

методами 

ионной 

имплантации, 

который 

служит 

для 

предотвращения 

распространения 

механических 

напряжений, 

вызванных 

инородной по составу плѐнкой, в подложку. 

 демпферлі 

иондықоспаланған  қабат  / 

damping  ion-implanted  layer    —  «бетіндегі 

жұқа  пленка  –  тӛсеніш»  жүйесінде,  бұл 

негізінен 

фазалар 

арасындағы 

иондық  

имплантация  әдістерімен  жасалатын  жұқа 

қабат.  Ол  құрамы  бойынша  ӛзге  текті 

пленканың 

тӛсенішке 

әсер 

ететін 

механикалық  кернеулердің  алдын  алу  үшін 

жасалады.  

 

слой инверсный / inversion layer — область 

полупроводника  у  его  поверхности,  в 

которой 

равновесная 

концентрация 

неосновных  носителей  заряда  больше,  чем 

основных. 

 инверсиялы қабат / inversion layer — негізгі 

емес  заряд  тасымалдаушыларының  тепе-

теңдік 

концентрациясы 

негізгі 

заряд 

тасымалдаушыларынікінен 

кӛп 

болып 

келетін жартылай ӛткізгіш бетіндегі облыс. 

слой  мономолекулярный  (монослой)  / 

monomolecular  layer  —  слой  вещества 

толщиной  в  одну  молекулу  на  границе 

раздела фаз. 

 

 мономолекулалы  қабат(моноқабат)    / 

monomolecular  layer  —  фазалардың  бӛліну 

шекарасындағы  қалыңдығы  бір  молекула 

шамасындағы зат қабаты. 

290 

 

слой  нейтральный  /  neutral  layer  —  слой, 

волокна которого не изменяют своей длины 

при изгибе образца. 

 бейтарап қабат  / neutral layer — нұсқаның 

майысуы  кезінде  ӛз  ұзындығын  ӛзгертпейтін 

талшық қабаты. 

слой  обедненный  (слой  запирающий)  / 

barrier layer, blocking layer, depletion layer — 

область в полупроводнике вблизи границы с 

металлом  или  с  полупроводником  другого 

типа проводимости, обеднѐнная основными 

носителями заряд. 

 кемітілген қабат (жапқыш қабат) / barrier 

layer,  blocking  layer,  depletion  layer  — 

жартылай  ӛткізгіштің  металлмен  немесе 

ӛткізгіштігі  ӛзгеше  жартылай  ӛткізгішпен 

жанасу  шекарасы  маңында  пайда  болатын, 

негізгі  заряд  тасымалдаушылары  кемітілген 

облыс. 

слой  обогащенный  (слой  антизапорный)  / 

accumulating  layer,  enriched  layer  —  слой 

полупроводника 

с 

повышенной 

концентрацией основных носителей заряда; 

образуется  у  контакта  с  металлом,  у 

гетероперехода 

или 

изотипного 

моноперехода у свободной поверхности. 

 слой  обогащенный  (слой  антизапорный)  / 

accumulating layer, enriched layer — жартылай 

ӛткізгіштің 

заряд 

тасымалдаушылар 

концентрациясы  жоғары  облысы;  металлмен 

түйіскен  жерінде,  гетероауысуда  немесе 

еркін  беттің  изотопты  моноауысуында 

түзіледі. 

 

слой поверхностный упрочненный /  hardened 

surface case — в термообработке — область 

сплава 

на 

основе 

железа, 

распространяющаяся 

вглубь 

от 

поверхности,  химический  состав  которой 

был 

изменен 

при 

поверхностном 

упрочнении.  Слой  измененного  состава 

имеет  твердость  поверхности  значительно 

выше твердости сердцевины. 

беттік  бекемденген  қабат    /  hardened  surface 

case  —  термоӛңдеуде-  химиялық  құрамы  беттік 

бекемдеуде  ӛзгерген  беттен  тереңге  қарай 

таралатын, темір негізді қорытпа облысы.Құрамы 

ӛзгерген  қабаттың  қаттылығы    ӛзекшенің 

қаттылығынан жоғары. 

 

слой  пространственного  заряда  /  space 

discharge  layer  —  область  в  плазме, 

диэлектрике и т.д., в которой по каким-либо 

причинам 

имеет 

место 

повышенная 

концентрация 

положительных 

или 

отрицательных зарядов. 

 слой  пространственного  заряда  /  space 

discharge  layer  —  қандай  да  бір  себептермен 

оң немесе теріс зарядтардың концентрациясы 

жоғары 

болып 

келетін 

плазмадағы, 

диэлектриктегі және т.б. облыс. 

 

слой  скрытый  /    buried    layer  —  слой, 

границы 

которого 

не 

достигают 

поверхности. 

 слой  скрытый  /    buried    layer  —  шекарасы 

бетке жетпейтін қабат. 

 

жүктеу/скачать 4,15 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: