Ақылбеков Ә. Т., Кривобоков В. П., Даулетбекова А. К
жүктеу/скачать 4,15 Mb. Pdf көрінісі
|
Рентгендік топография X-ray topography Рентгендік сәуле
дифракциясының кӛмегімен кристалдардағы ақаулардың бейнесін алу әдістерінің жиыны. Торможение заряженных частиц Breaking Потеря энергии заряженных частиц в процессе их движения в конденсированной или газовой
среде в результате взаймодействия (упругого и неупругого рассеяния и ядерных) с атомами, молекулами, ионами и т.д.
Breaking Атомдармен, молекулалармен, иондармен және т.б ӛзара әрекет ету нәтижесінде (серпімді және серпімсіз және ядролық) газды
немесе конденсирленген ортада зарядталған бӛлшектер қозғалысы процесінде олардың энергиясын жоғалтуы.
энергии ионов в процессе их движения в конденсированной или газовой среде в результате упругого рассеяния и ядерных реакций. Последний механизм характерен только для ионов больших энергий. иондардың тежелуі / ion breaking – серпімді шашыраулар мен ядролық
реакциялар нәтижесінде газды немесе конденсирленген ортада иондардың қозғалысы процесінде иондар энергиясын жоғалтуы. торможение неупругое (торможение ионов электронное) / non – elastic breaking – потеря энергии движущихся заряженных частиц в конденсированной или газовой среде в результате неупругого рассеяния (электронное торможение). серпімсіз тежелу (иондардың электронды тежелуі) / non – elastic breaking – серпімсіз шашырау кезінде (электронды тежелу) конденсирленген немесе
газды ортада
қозғалатын зарядталған бӛлшектер энергиясының шығыны. торможение упругое ( торможение ионов ядерная) / elastic breaking, nuclear breaking – потеря энергии движущихся заряженных частиц в конденсированной или газовой серпімді тежелу ( иондардың ядролық тежелуі) / elastic breaking, nuclear breaking – серпімді шашырау нәтижесінде (ядролық тежелу) конденсирленген немесе газды
324
среде в результате упругого рассеяния (ядерное торможение). См. также излучение тормозное (в ст. излучение), способность тормозная электронная. Способность тормозная ядерная (в ст. способность). ортада қозғалушы зарядталған бӛлшектер энергиясының жоғалуы. Сон.қ.қара тежелу сәулеленуі, (ст.сәулелену), электронды тежегіштік қабілет. Ядролық тежегіштік қабілет (ст.қабілет) Торр Torr
Внесистемная единица давления, то же, что миллиметр ртутного столба. Названа в честь итал.ьянского ученого
Э.Торричелли (E.Torricelli). 1торр =1,33322∙10 3 дин∙см
-2 . Торр Torr
Шамасы миллиметр сынап бағанасына тең қысымның жүйелік емес бірлігі. Италиялық ғалым Э.Торричеллидің құрметіне қойылған. 1торр =1,33322∙10 3 дин∙см
- Точка Кюри (температура Кюри) Curie temperature Температура фазового перехода второго рода,
связанного со
скачкообразным изменением свойств симметрии вещества (например, магнитной – в ферромагнетиках, электрической – сегнетоэлектриках. Кристаллохимической – в упорядоченных сплавах). Кюри нүктесі (температура Кюри) Curie temperature Зат симметриясы мысалы, магниттіде- ферромагнетиктерде, электрліде – сегнетоэлектртиктерде, кристалды химиялықта - реттелген қорытпаларда) қасиеттерінің секірмелі ӛзгерісіне байланысты екінші текті фазалық ауысудың температурасы.
Dew-point temperature, condensation point, dew point Температура воздуха (или газа, близкого ему по свойствам), при достижении котрой (охлаждении) содержащийся в нем водяной пар становится насыщенным; при этой температуре парциальное давление в парогазовой смеси
водяного пара
соответствует давлению насыщенного пара. Здесь в точке росы, в парогазовой смеси и на предметах, с которыми она соприкасается, начинается конденсация пара, т.е. появляется роса. Шық нүктесі Dew-point temperature, condensation point, dew point Осы температураға қол жеткізу кезінде ауаның құрамындағы сулы бу қанығатын ауа (немесе қасиеттері бойынша жақын газға) температурасы; бұл температурада сулы будың булы газды қоспасында парциалды қысым қаныққан бу қысымына сәйкес келеді. Бұл жерде шық нүктесінде, булы газды қоспа мен ол жанасатын заттарда бу конденсациясы басталады, яғни шық пайда болады.
Triple point Точка пересечения кривых фазового равновесия на
плоской диаграмме состояния вещества, соответствующая устойчивому равновесию терх фаз. Обычно определяется значением температуры и давления, при котором вещество может равновесно находиться в трех (отсюда и название) агрегатных состояниях – твердом, жидком и газообразном. В этой точке сходятся линии плавления, кипения и сублимаии. В более общем случае могут рассматриваться и другие фазы вещества. Не соответствующие различным агрегатным состояниям. На достаточно сложных фазовых диаграммах может быть
Triple point Үш фазаның тӛзімді тепе-теңдігіне сәйкес келетін зат күйінің тегіс диаграммасында фазалық тепе-теңдік иіндерінің қиылысу нүктесі. Зат тепе-теңдікте үш (атауы да осыдан) агрегатты – қатты, сұйық, және газ тәрізді күйлерде бола алатын қысым мен температураның мәнімен анықталады.Бұл нүктеде балқу, қайнау және сублимация сызықтары кездеседі. Анағұрлым жалпы жағдайда түрлі агрегатты күйлерге сәйкес келмейтін заттың басқа да фазалары қарастырылуы мүмкін. Айтарлықтай күрделі фазалық диаграммаларда бірнеше үштік нүктелер болуы мүмкін. Кӛп ӛлшемді фазалық диаграммаларда (яғни температура
325
несколько тройных точек. На многомерных фазовых диаграммах (т.е. когда кроме температуры и давления присуствуют иные параметры) могут существовать четверные и т.д. точки мен қысымнан басқа да ӛзге параметрлер кезедеседі) тӛрттік және т.б нүктелер ӛмір сүруі мүмкін.
Etching 1. Химическое или электрохимическое удаление пленок
с металлической поверхности, чтобы
подготовить поверхность для последующей обработки, например окраски
или нанесения гальванического покрытия. 2.
Удаление атомов (молекул) с поверхности твердого тела с помощью плазмы или пучков заряженных частиц в процессе его технологической обработки. При этом режимы обработки поверхности должны
исключать возможность повреждения внутренних слоев. Удаление инородных материалов (загрязнений) с поверхности травлением не является.
когда удаление атомов происходит в результате столкновительных процессов.
Etching 1.Бетті ары қарай мысалы бояу немесе гальваникалық жамылғы жабу
сияқты ӛңдеуге дайындау үшін металл беттен пленкаларды химиялық немесе электрохимиялық жою. 2.Қатты дене бетінен оны технологиялық ӛңдеу процесінде плазма немесе зарядталған бӛлшектер шоғымен
атомдарды (молекулаларды) жою. Мұнда бетті ӛңдеу режимдері ішкі
қабаттарды зақымдау мүмкіндігін болдырмауы керек.Бӛгде материалдарды (ластануларды) беттен жою ӛңдеу емес. Тозаңдандыру- атомдарды жою соқтығысу нәтижесінде болатын ӛңдеудің бір түрі.
электролитическое травление, при котором травимый материал является анодом.
материал анод болатын электролиттік ӛңдеу. травление высокочастотное / high- frequency etching — удаление вещества с поверхности твердого тела под действием плазмы разряда высокочастотного. Метод применяется в том случае, если материалом мишени
является диэлектрик. Для распыления диэлектрика необходимо периодически нейтрализовать положительный заряд на нем. Для этого к металлической пластине, расположенной непосредственно за
распыляемой диэлектрической мишенью, прикладывают напряжение с частотой 1-20 МГц.
etching — затты қатты дене бетінен жоғары жиілікті разряд плазмасының кӛмегімен жою. Бұл әдіс нысана материалы диэлектрик болған кезде қолданылады. Диэлектрикті тозаңдандыру үшін ондағы оң зарядты периодты түрде бейтараптап тұру керек. Ол үшін тозаңданушы диэлектриктің астында орналасқан металл пластинаға жиілігі 1-20 МГц болатын кернеу түсіріледі. травление ионно- плазменное / ion plasma etching — удаление вещества с поверхности твердого тела
под действием бомбардировки ионной. ионды- плазмалық өңдеу / ion plasma etching — затты қатты дене бетінен ионды соққылаудың кӛмегімен жою. травление плазменное / plasma etching — травление поверхности в плазме с помощью реактивного технологического газа. Материал уносится, превращается в газовую фазу и отсасывается. Поверхность увеличивается и очень хорошо смачивается. плазмалық өңдеу / plasma etching — бетті реактивті технологиялық газдың кӛмегімен плазмада ӛңдеу. Материал алып кетіледі, газдық фазаға түрленеді және сіңіріледі. Бет ұлғаяды және ӛте жақсы дымқылданады.
326
etching — травление поверхности с помощью пучка ускоренных ионов.
бетті үдетілген иондар кӛмегімен бетті ӛңдеу. травление ионно-химическое / chemically assisted ion beam etching — травление поверхности твердого тела с применением ионов XeF + , XeF
2 + , CF 3 + и т.д. Эффект достигается благодаря как физическому распылению, так и эрозии с помощью химической реакции, в которую вступают эти с атомами поверхности. Различают три вида ионно-химического явления.
ion beam etching — қатты дене бетін XeF + ,
2 + , CF 3 + және басқа иондарды қолдана отырып ӛңдеу.Әсерге физикалық тозаңдану нәтижесінде, осы бет атомдарымен химиялық реакцияға сәйкес эррозиямен қол жеткізуге болады.Ионды-химиялық құбылыстардың үш түрін ажыратады. 1)
травление ионным пучком химическое ускоренное / chemically assisted ion beam etching — химическое травление, ассистированное пучком ускоренных ионов. Химиялық үдетілген ионды шоқпен өңдеу- Үдетілген иондардың кӛмегімен ессистирленген химиялық ӛңдеу.
травление в плазме, при котором ионы не ускорены. Является универсальной техникой сухого травления почти для всех материалов, находящих применение в электронике и оптоэлектронике. Заряженные частицы плазмы набегают на поверхность обрабатываемой детали и уносят материал воспроизводимым и анизотропным способом слой за слоем. Используется для
анизотропного структурирования кремния, органических и неорганических диэлектриков, металлических барьерных материалов. В случае кремния или кремнийсодержащих слоев используются газы на основе фтора (CF4, SF6 др.). Травление органических молекул или очистка неорганических поверхностей от органических остатков осуществляется с помощью кислородной плазмы или смеси О2 и CF4. Металлические травятся физически (в режиме распыления), например, с помощью аргонной плазмы.
иондар үдетілмеген жағдайда, плазмадағы иондық ӛңдеу.
Электроника мен
оптоэлектроникада қолданылатын барлық дерлік матриалдарды құрғақ ӛңдеудің әмбебап техникасы болып табылады. Плазманың зарядталған бӛлшектері ӛңделетін бұйымның бетіне ілесіп және қабат сайын материалды ӛндіруші және анизатробты тәсілмен алып
кетеді.Кремнийді, органикалық және бейорганикалық диэлектриктерді, метал
барьерлік материалдарды анизатропты құрылымдау үшін қолданылады. Кремний немесе кремнийден тұратын қабаттар үшін фтор (CF4, SF6 др.) негізді газдар қолданылады. Органикалық молекулаларды ӛңдеу немесе бейорганикалық беттерді қалдықтардан тазарту
оттекті плазма
кӛмегімен немесе О2 және CF4 қоспасының кӛмегімен іске асырылады. Металдықтар физикалық (тозаңдандыру режимінде), мысалы аргонның кӛмегімен ӛңделеді. 3) травление реактивное, ионно- пучковое / reactive ion beam etching — травление ионами, причем они ускорены и сформированы в пучок.
иондармен ӛңдеу, олар үдетілген және шоқ түрінде.
реактивное ионное травление является универсальной техникой сухого травления, которая используется почти для всех материалов, которые находят применение в электронике и реактивті ионды өңдеу — электроникада және
оптоэлектроникада кеңінен
қолданылатын материалдардық барлығына жуық пайдаланылатын құрғақ ӛңдеудің әмбебап техникасы болып табылады. Плазманың зарядталған бӛлшектері ӛңделуші 327
оптоэлектронике. Заряженные частицы плазмы набегают на поверхность обрабатываемой детали
и уносят
материал воспроизводимым и анизотропным способом слой за слоем. Реактивное ионное
травление, в частности, используется для
анизотропного структурирования кремния, органических и неорганических диэлектриков, металлических барьерных материалов и полимеров для
электронных и оптоэлектронных приложений.(SH) Для уноса кремния или кремнийсодержащих слоев используются в первую очередь газы травления, основанные на фторе, типа CF
4 и SF
6 . Травление органических молекул или очистка неорганических слоев
от органических остатков осуществляется с помощью кислородной плазмы или газовой смеси из O 2 и CF 4 . Металлические слои в первую очередь травятся физически (механическое выбивание атомов/молекул), например, с помощью аргонной плазмы. бұйым бетіне түсіп, материалды анизатропты және қайта ӛндірілетін әдіспен қабат қабатымен алып кетеді. Реактивті ионды ӛңдеу, атап айтқанда, электрондық және оптоэлектрондық салаларда кремнийді, органикалық және
бейорганикалық диэлектриктерді, барьерлі металл
материалдарын және
полимерлерді анизатропты құрылымдауда қолданылады. Кремнийлі және құрамында кремнийі бар қабаттарды алып тастау үшін, ең бірінші, фторға негізделген CF 4 және SF 6 секілді ӛңдеу газдары қолданылады. Органикалық молекулаларды немесе неорганикалық қабаттарды органикалық қалдықтардан тазалау оттегілік плазма немесе O 2 және CF 4 газ қоспаларының кӛмегімен іске асырылады. Металл қабаттары ең бірінші физикалық (атомдарды/молеклаларды механикалық жолмен алып тастау) жолмен, мысалы, аргонды плазманың кӛмегімен, ӛңделеді.
etching — важная технологическая операция в электротехнической и микроэлектронной промышленности. При еѐ выполнении закрываются участки проводящего или полупроводникового слоя, полностью покрывающего печатную плату, которые в дальнейшем будут использоваться в качестве токопроводящих дорожек, и открытые поверхности слоя удаляются методом травления. Процесс травления можно проводить жидким химическим способом или с помощью плазмы. баспа платаларын өңдеу / plated circuit etching —
электротехникалық және микроэлектроникалық ӛндірісте маңызды технологиялық операция болып табылады. Бұл процесті жүзеге асыру кезінде баспа платасын түгелімен кӛмкеріп тұрған ӛткізгіш немесе жартылай ӛткізгіш қабаттың кейіннен ток ӛткізгіш жолдар қызметін атқаратын аймақтарының беті жабылып, ал ашық қалған аймақтары ӛңдеу әдісімен жойылады. Ӛңдеу процесін сұйық химиялық әдіспен немесе плазманың кӛмегімен жүргізуге болады.
— воздействие на поверхность металла селективным химикатом, электролитическим раствором, плазмой и т.д., чтобы показать детали ее структуры для металлографического исследования.
металл бетіне металлографиялық зерттеу үшін оның құрылымының бӛліктерін кӛрсету үшін селективті химикатпен, электролиттік ерітіндімен, плазмамен және т.б. әсер ету.
стекло
можно травить химическим способом с помощью плавиковой кислоты, которая, однако, является высокотоксичной и может причинить химические ожоги с тяжкими последствиями. Альтернативой может быть контролируемое травление стекла в плазме,
қышқылдың кӛмегімен химиялық әдіспен ӛңдеуге болады. Бірақ та мұндай қышқылдар ӛте улы болып келеді және химиялық күйіктер тудыруы мүмкін. Егер құрамында фтор бар газ қоспасы қолданылатын болса, плазмадағы әйнекті басқарылатын тазартуды
328
если используется фторсодержащий технологический газ. При таком способе отсутствует прямой контакт
едких фтористых соединений с окружающей средой. альтернативті процесс деп қарастыруға болады. Бұл тәсілде фтор қоспаларының қоршаған ортамен тікелей
байланысы болмайды. травление физическое / physical etching process — процесс травления, при котором унос материала основывается главным образом на механических ударах ионов газа. См. также распыление.
кетілуі
таз иондарының механикалық соққысының кӛмегімен жүзеге асатын ӛңдеу процесі. Сон. қ. қараңыз: тозаңдалу. жүктеу/скачать 4,15 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|