Отчет по учебной практике
жүктеу/скачать 0,59 Mb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Литература
| Вывод:
Ученые, открывшие GMR-эффект, прекрасно понимали, что в современном высокотехнологичном мире всякий принципиально новый материал рано или поздно найдет свое практическое применение. И сегодня GMR-датчики, представленные на коммерческом рынке, позволяют проверять денежные купюры и классифицировать транспортные средства на расстоянии до нескольких метров. Новая STD-технология позволяет расширять области применения твердотельных датчиков и успешно заменять ими электромеханические устройства большего размера с большим энергопотреблением. Развитие технологии гигантского магнитосопротивления уже привело к созданию магниторезистивной оперативной памяти (Magnetoresistive RAM – MRAM) – одного из кандидатов на замену современных ДОЗУ, флэш-памяти и даже СОЗУ. Но это уже другая история. А история развития GMR-датчиков – прекрасный пример того, как неожиданное открытие может повлиять на развитие современных технологий. Литература P. S. Kireev Semiconductor physics, 2nd ed.. — Moscow: Mir Publishers, 1978. — С. 696. B. M. Askerov Electron Transport Phenomena in Semiconductors, 5-е изд.. — Singapore: World Scientific, 1994. — С. 416. Vorob’ev V. N. and Sokolov Yu. F. «Determination of the mobility in small sample of gallium arsenide from magnetoresistive effects» Sov. Phys. Semiconductors 5, 616 (1971). ↑ Л. И. Королёва, С. А. Никитин. МАГНИТОСОПРОТИВЛЕ́НИЕ. Большая российская энциклопедия. Дата обращения: 28 января 2022. Архивировано 28 января 2022 года. ↑ Kireev, P. S. (англ.)рус.. Semiconductor physics, 2nd ed (неопр.). — Moscow: Mir Publishers, 1978. — С. 696. ↑ Перейти обратно: жүктеу/скачать 0,59 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|