Отчет по учебной практике
жүктеу/скачать 0,59 Mb.
|
Бельчевичена 2215 Гальваноупругий магнитный эффект(магнитосопротивлении) (1)
- Бұл бет үшін навигация:
- Энергетический факультет
- Содержание
- Введение
- Рисунок 1. Магниторезистивный эффект
- 1.Магниторезистивный эффект
|
МИНИСТЕРСТВО СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН КАЗАХСКИЙ АГРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. С.СЕЙФУЛЛИНА Энергетический факультет Кафедра «Радиотехника, электроника и телекоммуникации» Отчет по учебной практике
(подпись) Проверил:
Астана, 2023 г. Содержание: Введение 1 Магниторезистивный эффект 1.1Качественное объяснение эффекта Двумерный электронный газ 1.2 Тензор проводимости 1.3 Геометрическое магнитосопротивление 1.4 Виды магнетосопротивления 2 GMR-датчики. Глаза, нервы, мозг электронных систем 2.1 Суть GMR 2.2GMR/MEMS-датчик ускорения 2.3Угловые датчики 2.4Магнитные датчики для средств получения биопроб Вывод Литература Введение В 2004 группа исследователей из Университета Айовы обнаружила необычный магнитный эффект, проявляемый пленками органических полупроводников. При приложении слабого магнитного поля к пленке ее электрическое сопротивление понижалось примерно на 10%. Эта необычная чувствительность к магнитным полям, известная как магниторезистивность, ранее проявлялась только для ферромагнитных материалов, как, например, железа. Причина наблюдаемого явления тогда, три года назад, не была выяснена. Рисунок 1. Магниторезистивный эффект https://www.google.com/url?sa=i&url=https%3A%2F%2Fstudbooks.net%2F1978441%2Fmatematika_himiya_fizika%2Fmagnitorezistivnyy_effekt&psig=AOvVaw3OKqaBHdGm2S2ERvKdRL2_&ust=1680938224137000&source=images&cd=vfe&ved=2ahUKEwihppf_nJf-AhXbk6QKHQUQDF8QjRx6BAgAEAs Сейчас исследователи сделали шаг вперед к пониманию проявления эффекта. Изучение пленок многочисленных органических полупроводников позволило определить, что уменьшение проводимости под действием магнитного поля происходит только при совместном присутствии в органических материалах тяжелых атомов переходных металлов (платина или иридий) и водорода. На атомном уровне электрические и магнитные свойства атомов сильно связаны. Тяжелые атомы и водород совместно оказывают легкое влияние на энергетическое распределение электронов в пленке, в результате чего и проявляется магниторезистивность. Маркус Вольгенаннт (Markus Wohlgenannt), возглавляющий исследование, отмечает, что результаты научных поисков уже сейчас могут быть использованы на практике, в органических светодиодных дисплеях, позволяющих сенсорный ввод информации с помощью магнитного стило. Главное преимущество технологии, предлагаемой американскими исследователями в сравнении с существующими – понижение стоимости оборудования за счет изготовления дисплеев и магнитных ручек к ним из одного и того же материала. 1.Магниторезистивный эффект Магниторезистивный эффект (магнетосопротивление) — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном напряжении и изменении магнитного поля. Все вещества в той или иной мере обладают магнетосопротивление. Для сверхпроводников, способных без сопротивления проводить электрический ток, существует критическое магнитное поле, которое разрушает этот эффект и вещество переходит в нормальное состояние, в котором наблюдается сопротивление. В нормальных металлах эффект магнетосопротивления выражен слабее. В полупроводниках относительное изменение сопротивления может быть в 100—10 000 раз больше, чем в металлах, и может достигать сотен тысяч процентов. Магнетосопротивление вещества зависит и от ориентации образца относительно магнитного поля. Это связано с тем, что магнитное поле не изменяет проекцию скорости частиц на направление магнитного поля, но благодаря силе Лоренца закручивает траектории в плоскости перпендикулярной магнитному полю. Это объясняет, почему поперечное поле действует сильнее продольного. Здесь речь пойдёт в основном о поперечном магнетосопротивлении двумерных систем, когда магнитное поле ориентировано перпендикулярно к плоскости движения частиц. На основе магниторезистивного эффекта создают датчики магнитного поля. жүктеу/скачать 0,59 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|