Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»
—р— n –транзисторлары мен p —
жүктеу/скачать 8,62 Mb. Pdf көрінісі
|
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)
| —р— n –транзисторлары мен p — п — p-транзисторларын айырады.
1.3. 23 Транзистордың құрылымында орта аймақты база деп атайды (1.9-шы сурет). Шеткі аймақтардың бірін эмиттер деп, яғни зарядты тасымалдаушылар көзі, ал екіншісін — коллектор, яғни бұл тасымалдауыштарды қабылдағыш деп атайды. Әдетте, коллектордың аймағы, эмиттердікіне қарағанда кең болады. Базаны әлсіз қосындыланған жартылай өткізгіштен (сондықтан ол үлкен кедергіге ие) дайындайды және өте жұқа етіп жасайды, коллектор мен база арасындағы p — n –өтпесі коллекторлық өтпе, ал эмиттер мен база арасындағы өтпені — эмиттерлік өтпе деп атайды. Бұл екі себеп бойынша жасалынады: ■ коллектор өтпесінің үлкен аумағы — база, базадан коллекторға баратын негізгі емес зарядты тасымалдағыштарды ұстап қалу мүмкіндігін ұлғайтады; ■ коллектордан жылудың шығуы жақсарады. Биполярлы транзистор симметриялық емес құрылғы болып табылады, сондықтан қосылудың полярлылығын өзгерту жолымен эмиттер мен коллектордың орындарын ауыстыру, яғни биполярлық транзистордың инверстік қосылуын жүзеге асыру мақсат емес. Транзистордың белгіленуіндегі нұсқардың бағыты өтіп жатқан тоқтың бағытын көрсетеді. Тоқтың оң бағыты деп «плюстан» «минусқа» өтуі қабылданады, сондықтан транзистордың белгілемесіндегі нұсқар р аймағынан п аймағына бағытталған. Осылайша, транзистордың n — p — n белгіленуінде нұсқар базадан эмиттерге (1.9, а суреті), ал транзистордың p—n—p- белгіленуінде нұсқар эмиттерден базаға бағытталған (1.9, б суреті). Биполярлы транзисторлар корпуссыз (мысалы, интегралдық микросызбалар құрамында пайдалану үшін) және үлгілік металдан, пластмассадан немесе керамикалық корпустан жасалынған болулары мүмкін. 1.9- сурет. Транзисторлардың графикалық белгіленуі: а — n—p—n-типті; б — p—n—p-типті |