Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»
жүктеу/скачать 8,62 Mb. Pdf көрінісі
|
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)
| 24
Транзистордың өтпелерінің қандай жағдайда болғандықтарына байланысты (өтпелер тура немесе кері бағыттарда ығыстырылулары мүмкін), биполярық транзистордың төрт түрлі жұмыс тәртіптері белгіленеді (1.3- кесте). Егер, транзистор сигналдарды күшейту үшін қолданылса, онда белсенді жұмыс тәртібі, егер, транзистор кілт ретінде қолданылса – айыру немесе қанығу тәртіптері негізгі болып табылады. Биполярлы транзисторлардың негізгі ерекшеліктері, эмиттердегі, базадағы және коллектордағы зарядтарды негізгі тасымалдаушылардың шоғырлануының біркелкі еместігі болып табылады. Эмиттерде заряд тасымалдағыштар максималды, коллекторда эмиттерге қарағанда — біршама аз, ал базада — ол тіпті шамалы болады. Транзисторға екі кернеу береді: коллектор мен эмиттер арасында U КЭ және база мен эмиттер арасында U БЭ. Соңғысы U КЭ қарағанда айтарлықтай төмен (салыстыру үшін, мысалы кремнийден жасалынған транзистор үшін қажетті минималды кернеу U БЭ = 0,7 В, ал коллекторлық өтпеге U КЭ = 15 В кернеуі берілуі мүмкін). Эмиттер мен коллектор арасында, база мен эмиттер арасындағыға қарағанда (базаның әлсіз басқару тоғы) айтарлықтай үлкен шамадағы тоқ өтеді (коллектор тоғы). Транзистордағы тоқтардың негізгі арақатынасы Кирхгофтың бірінші заңы бойынша жазылады: І Э = І Б + І К . Транзистордың жұмыс істеу тәртібі, базаның шамалы көлемдегі тоғы коллектордың үлкен шамадағы тоғын басқарады. Транизистордың n — p — n-жұмыс істеуін белсенді тәртіпте қарастырайық. Эмиттерлік өтпе ашық болғандықтан, электрондар эмиттер тоғын жасай отырып, базаға жеңіл «қаша» алады. Ол жерде олар кемтіктермен жиі рекомбинация жасайды, бірақ олардың көп бөлігі базаның қалыңдығының төмендігінен және оның әлсіз қоспаланғандығынан, белсенді тәртіпте жабық болатын жүктеу/скачать 8,62 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|