Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»

Шешімі. І Э1 эмиттер тоғын табамыз

жүктеу/скачать 8,62 Mb.

Pdf көрінісі

бет	62/159
Дата	10.10.2022
өлшемі	8,62 Mb.
	#42085
түрі	Оқулық

1 ... 58 59 60 61 62 63 64 65 ... 159

Байланысты:
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)

Трансформаторлық байланыс

Шешімі. І
Э1
эмиттер тоғын табамыз. Бұл үшін VTІ транзисторының
кіріс тізбегіне арналған Кирхгофтың екінші заңын жазамыз:
І
Э
R
Э1
= U
БЭ
+ U
кір
.
Бұдан
І
Э1
=
𝑈кір −Uбэ
RЭ1
=
2,1−0,7
700
= 0,002 А;
VTІ екінші транзисторының кірмесіндегі кернеуді, яғни А нүктесіндегі
кернеуді табамыз:
U
A
= Е
2
– І
К1
R
К1

І
К1
≈ І
Э1
болғандықтан;
U
A
= E
2
- I
Э1
R
K1
= 12 - 0,002 · 4 000 = 4 В.
Екінші транзистордың эмиттері тоғын табамыз. Киргхофтың екінші
заңы бойынша
VTІ транзисторының кіріс тізбегі үшін:
І
Э2
=
𝑈а −𝑈бэ
RЭ2
=
4−0,7
3300
= 0,001 А;
VTІ транзисторының шығыс тізбегі
Киргхофтың екінші заңын қолдана
отырып және І
Э2
≈ І
К2
ескере отырып, R
K
резисторының кедергісін табамыз:
Rк
2
=
Е2 −𝑈шығ
ІЭ2
=
12−5
0,001
= 7 кОм;
Трансформаторлық байланыс. Тұрақты тоқ бойынша каскадтар
арасындағы гальваникалық оқшаулануды қамтамасыз ете отырып, бір
каскадтан келесісіне ауыспалы тоқ сигналын беруге мүмкіндік беретін
байланыстың тағы бір түрі. Трансформатордың бастапқы орамы
коллекторлық резистордың орнын алады, ал екінші орамы келесі каскадтың

87
кірмесінде
қосылатын
болады.
Трансформаторлық
байланыстың
артықшылығы коллектор тізбегіндегі қуаттылықтың жоғалтымдарының
төмендеуі
болып
табылады.
Трансформаторлық
байланыстың
кемшіліктері:
■
трансформаторлық орамдардың сыйымдылығы мен индуктивтіліктің
болуынан бір қалыпты емес жиіліктік сипаттамалары;
■
оларды интегралды жүйелерде қолдануға мүмкіндік бермейтін,
трансформаторлардың қолайсыз үлкендігі.
Трансформаторлық байланыс 20 кГц-тен жоғары жиіліктерде жоғары
жиіліктегі күшейткіштерде, радиоқабылдағыштарда, теледидарларда
қолданылады.

жүктеу/скачать 8,62 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:

1 ... 58 59 60 61 62 63 64 65 ... 159