Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»
Шешімі. І Э1 эмиттер тоғын табамыз
жүктеу/скачать 8,62 Mb. Pdf көрінісі
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Трансформаторлық байланыс
| Шешімі. І
Э1 эмиттер тоғын табамыз. Бұл үшін VTІ транзисторының кіріс тізбегіне арналған Кирхгофтың екінші заңын жазамыз: І Э R Э1 = U БЭ + U кір . Бұдан І Э1 = 𝑈кір −Uбэ RЭ1 = 2,1−0,7 700 = 0,002 А; VTІ екінші транзисторының кірмесіндегі кернеуді, яғни А нүктесіндегі кернеуді табамыз: U A = Е 2 – І К1 R К1 І К1 ≈ І Э1 болғандықтан; U A = E 2 - I Э1 R K1 = 12 - 0,002 · 4 000 = 4 В. Екінші транзистордың эмиттері тоғын табамыз. Киргхофтың екінші заңы бойынша VTІ транзисторының кіріс тізбегі үшін: І Э2 = 𝑈а −𝑈бэ RЭ2 = 4−0,7 3300 = 0,001 А; VTІ транзисторының шығыс тізбегі Киргхофтың екінші заңын қолдана отырып және І Э2 ≈ І К2 ескере отырып, R K резисторының кедергісін табамыз: Rк 2 = Е2 −𝑈шығ ІЭ2 = 12−5 0,001 = 7 кОм; Трансформаторлық байланыс. Тұрақты тоқ бойынша каскадтар арасындағы гальваникалық оқшаулануды қамтамасыз ете отырып, бір каскадтан келесісіне ауыспалы тоқ сигналын беруге мүмкіндік беретін байланыстың тағы бір түрі. Трансформатордың бастапқы орамы коллекторлық резистордың орнын алады, ал екінші орамы келесі каскадтың 87 кірмесінде қосылатын болады. Трансформаторлық байланыстың артықшылығы коллектор тізбегіндегі қуаттылықтың жоғалтымдарының төмендеуі болып табылады. Трансформаторлық байланыстың кемшіліктері: ■ трансформаторлық орамдардың сыйымдылығы мен индуктивтіліктің болуынан бір қалыпты емес жиіліктік сипаттамалары; ■ оларды интегралды жүйелерде қолдануға мүмкіндік бермейтін, трансформаторлардың қолайсыз үлкендігі. Трансформаторлық байланыс 20 кГц-тен жоғары жиіліктерде жоғары жиіліктегі күшейткіштерде, радиоқабылдағыштарда, теледидарларда қолданылады. жүктеу/скачать 8,62 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|