Пікір жазғандар
жүктеу/скачать 3,31 Mb.
|
Аскын кітап
- Бұл бет үшін навигация:
- 11.7. Электрмагниттік сәулеленудің жұтылуы
| 11.8-сурет. Қалыпты (1) және асқын өткізгішті (2) металдың төменгі температуралық жылу сыйымдылығы
Екіншіден, Т < Tc кезінде жылу сыйымдылықтың темпера- тураға тәуелділігі мына түрде бейнеленіп сипатталады: С = VD
kBT . (11.5) Металл үшін жылу сыйымдылыққа торлық (фонондық) үлесі қалыпты болып қалады, ал электрондық газдың үлесі әлде- қайда өзгереді. Ол температура бойынша түзу сызықты сипат- талмайды, ал экспоненциялдық тәуелділік түрінде жүреді . Осындай тәуелділік, энергетикалық жағдайды не- exp k BT 211 гізгі жағдайынан 2∆ энергетикалық саңылау арқылы бөлінген жүйе үшін күтуге болады. Осы жағдайға біздер жартылай өткіз- гіштердің меншікті өткізгіштігін талқылағанда кездескенбіз. Мұның барлығы асқын өткізгіштік кейбір түбірлі электрондық өткізулер тәртібімен байланысты екенін көрсетеді. Егер тәжіри- беден электрондар спектрінде пайда болатын энергетикалық саңылаудың енін бағалағанда ол кВ ТС ретті болады екен. 11.7. Электрмагниттік сәулеленудің жұтылуы30-жылдардың өзінде-ақ асқын өткізгіштік күйлер электр- магниттік сәулеленудің сәйкес жиілігінде бұзылу мүмкіндігі көрсетілген. Осы кезде сәулелену асқын өткізгіште жұтылу ке- рек. Соңынан жүргізілген тәжірибелер осы болжамды растады. 11.9-суретте асқын өткізгіштегі электрмагниттік толқындардың жұтылу коэффициентінің жиіліктік тәуелділігі сызбамен бейне- ленген. 11.9-суретте көрсетілгендей, кейбір шекті жиіліктер бар. Ол ~1011 Гц , одан жоғары сәулеленуі асқын өткізгіште жұтылады. Кейіннен «жұтылу шегі» жартылай өткізгіштіктерде де бақыла- нады. Онда ол электрондардың энергетикалық саңылау арқылы лақтырылуына (тыйым салынған аймақ арқылы) байланысты. Асқын өткізгіштерде «жұтылу шегінің» бар болуы, элек- трондардың энергетикалық спектрінде кейбір энергетикалық саңылаудың болуымен куәландырылады. Асқын өткізгіштердің жартылай өткізгіштерден айырмашылығы «жұтылу шегі» арқы- лы анықталған, асқын өткізгіштердегі осы саңылаудың енінің мәні өте аз 104 эВ. Егер осы мәнді Квт арқылы өрнектесек, онда Т шамамен бірнеше кельвин болуы керек. Бұл асқын өткіз- гіштікке ауысуының шекті температурасына сәйкес келеді. Сонымен, асқын өткізгіштерде электрмагниттік сәулелену- дің жұтылуы және төмен температурадағы жылу сыйымдылық- ты зерттеу, асқын өткізгіштік жағдайға ауысу кезінде өткізгіш электрондардың энергетикалық спектріндегі өзгерісін көрсетеді. Осы өзгерулердің нәтижесінде спектрде энергетикалық саңылау пайда болады. Ескере кетсек, басқа да тәжірибелер түрі кездесе- 212 ді, олар да энергетикалық саңылаулардың бар екенін дәлелдейді. Металдың өткізгіш аумағының қалыпты және асқын өткізгіштік жағдайы 11.10-суретте көрсетілген. жүктеу/скачать 3,31 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|