Мәңдерінің бірі –заттар салмағының сақталу заңын ашқан кедергі деңгейінде қалыптасып,әрі қарай даму дәрежесі жетті
Гидроксидтердің қышқылдық-негіздік диссоциациялануы
жүктеу/скачать 1,36 Mb.
|
| 10.4 Гидроксидтердің қышқылдық-негіздік диссоциациялануы
Оттексіз қышқылдардың жалпы формуласы – НхR (R – Г, S, Se, Te) НхR↔ хH+ + Rх- Галогенді сутек қышқылдарының қатарын жазсақ: HF - HCI - HBr - HI осы көрсетілген бағытта қышқылдық қасиет артады, оның себебі галогенид иондарының радиустары артады да, сутек ионымен байланыс күші азаяды. Осы заңдылық VIА топшасының элементтері үшін де орындалады. Ал, элемент оксидтерінің гидраттарды негіздерше және қышқылдарша да диссоциацияланады. Кесте 16. Негізгі топша элементтерінің гидроксидтері
Гидроксидтің негіздік-қышқылдық қасиеті оның суда еру кезінде ерітіндіге бөліп шығаратын ионының табиғатына байланысты. Гидроксид диссоциацияланған кезде оның ерітіндіге бөліп шығаратын иондарының табиғаты мына жағдайларға байланысты: а) молекуладағы байланыс полюстілігіне (Э – орталық ион) ол – гидроксид түзуші элемент табиғатына байланысты, ә) орталық ионның зарядына, б) орталық ион радиусына. а) Егер Э – типтік металл болса, онда Э–О арасында байланыс өте полюсті болады, және ол О–Н арасындағы байланыс полюстілігінен жоғары болуына байланысты қосылыс негіздерше диссоциацияланады. ә) Егер Э – бейметалл болса, онда Э–О арасындағы байланыс полюстілігі О–Н арасындағы байланыс полюстілігінен кем болады да, зат қышқылдарша иондарға ыдырайды. в) Егер Э-дің қасиеті металл мен бейметалл аралығында болса, онда Э–О және О–Н полюстілігі шамалас болуына байланысты жағдайға байланысты екі жақты (екідайлы) қасиет көрсетеді. Период бойынша атом (ион) радиустары кемиді, бейметалдық қасиет артады, олай болса, осы бағытта гидроксидтердің қышқылдың қасиеті артады. Топ бойынша жоғарыдан төмен қарай атом (ион) радиустары артады, осы бағытта металдық қасиет артады, олай болса, осы бағытта гидроксидтерінің негіздік қасиеті артады. Оттекті қышқылдардың жалпы формуласын ЭОm(ОН)n десек, қышқылдық қасиет n-нің мәніне қарағанда m-нің мәніне көбірек тәуелді. Э(ОН)n – әлсіз рК = 7-10; ЭО(ОН)n – орташа (рК= 1,5-4); ЭО2(ОН)n – күшті рК= 0-1,4; ЭО3(ОН)n – өте күшті. m-нің мәні артқан сайын электрон бұлттарының тығыздығы оттекке қарай көбірек ығысады да Н-О арасындағы байланыс әлсіреп, қышқылдық күші артады.
Олай болса, мына қышқылдар қатарында да қышқылдық қасиет артады: H4SiO4 < H3PO4 < H2SO4 < HClO4 Сонда, гидроксид түзуші орталық ион (Э) заряды ұлғайып, радиусы кішірейген сайын гидроксидтің негіздік жолмен диссоциациялану мүмкіншілігі азайып, қышқылдық жолмен ионға ыдырау мүмкіншілігі артады. Қосымша топша элементтерінің гидроксидтерінің қышқылдық-негіздік қасиеттері олардың тотығу дәрежелерінің мәндеріне байланысты: төменгі тотығу дәрежелеріне сәйкес гидроксидтері – негіз, жоғары тотығу дәрежелеріне сәйкестері – қышқыл, ал аралық тотығу дәрежелеріне сәйкестері әрі қышқыл әрі негіз болатын екідайлы гидроксидтерге жатады. Мысалы, титанның валенттілік электондарының формуласы 4s23d2, оның қосылыстарда көрсетер валенттіліктері II, III, IV, сонда оксидтері: ТіО Ті2О3 ТіО2 Негіздік оксид екідайлы оксид қышқылдық оксид Оксидтерінің гидраттары: Ті(ОН)2 Ті(ОН)3 Н2ТіО3 НТіО2 Н3ТіО3 жүктеу/скачать 1,36 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||