Байланысты: Доп. материал по теории хим. кинетики. 2023 (1)
Теория активированного комплекса (ТАК) или теория переходного состояния.
Одной из распространенных современных теорий в химической кинетике является теория активированного комплекса (ТАК) или теория переходного состояния. Теория была разработана в 1935 году Г.Эйрингом и независимо от
него М.Эвансом и М. Поляни. Она была огромным шагом вперед по сравнению с предшествующими теоретическими гипотезами и объяснениями в химической кинетике. Во-первых, она выработала общий подход к количественному описанию элементарного акта. Во-вторых, теория указала путь, по крайней мере принципиального полного расчета абсолютных величин констант скорости химических реакций только на основе данных о строении реагирующих веществ. Поэтому эту теорию иногда называют теорией абсолютных скоростей. В 1995 году, выступая на конференции, посвященной 60-летию теории переходного состояния, известный физико-химик Р. Маркус сказал об этой теории: «Она мало что дала для количественных расчетов скоростей химических реакций, но выработанные ею понятия и подходы стали поистине универсальным языком современной химии».
Основная идея теории активированного комплекса состоит в том, что образование продуктов реакции идет через стадию постепенного изменения межатомных расстояний в исходных молекулах. Это приводит к образованию промежуточного активированного комплекса и постепенной перестройке химических связей, при которой старые связи разрушаются, а новые образуются. Согласно теории переходного состояния реакцию А+ВСÛАВ+С, нужно записывать: А+ВСÛ[ABC]* Û АВ+С.
При сближении А к ВС, происходит ослабление связи ВС и появление новой связи АВ. Это приводит к тому, что до образования продукта реакции АВ и С, образуется комплекс [ABC]* , который затем и распадается на продукты реакции. Основное уравнение ТАК для расчета константы скорости при этом может быть выведено несколькими способами, но в основе их подходов лежат четыре основных постулата, которые формулируются принципом движения фигуративной точки по поверхности потенциальной энергии.